实现四端口电子校准件优化的结构的制作方法

    专利2025-04-04  26


    本发明涉及信号测试,尤其涉及矢量网络分析仪的电子校准领域,具体是指一种实现四端口电子校准件优化的结构。


    背景技术:

    1、电子校准作为能极大提高矢量网络分析仪校准效率的功能,被广泛应用于校准。随着多个端口器件的应用变多,4端口电子校准的需求日益增多。全四端口校准,需要取到各端口两两交叉的直通数据,共6个直通。连接各个直通,必然会有一组直通交叉,意味着有一条直通需要打过孔走线。如何优化布局设计,提高指标,将对最终的校准效果产生至关重要的影响。


    技术实现思路

    1、本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点,提供了一种满足结构简单、校准效果好、适用范围较为广泛的实现四端口电子校准件优化的结构。

    2、为了实现上述目的,本发明的实现四端口电子校准件优化的结构如下:

    3、该实现四端口电子校准件优化的结构,其主要特点是,所述的结构包括四个端口,所述的四个端口两两互连,即共具有六个直通,其中一组直通交叉走线,一个直通过孔走线,每个所述的端口对应6种状态,分别为open、short、load与其余3个开关的直通状态,所述的结构还包括多个开关,每个所述的端口与对应的开关走线连接。

    4、较佳地,所述的每个端口至开关为偏s型走线。

    5、较佳地,所述的结构具有8个开关,分别为第1-1开关、第1-2开关、第2-1开关、第2-2开关、第3-1开关、第3-2开关、第4-1开关和第4-2开关,所述的第1-1开关和第1-2开关相连,所述的第2-1开关和第2-2开关相连,所述的第3-1开关和第3-2开关相连,所述的第4-1开关和第4-2开关相连,所述的第1-1开关还与第2-1开关、第3-1开关和第4-1开关相连,所述的第2-1开关还与第3-1开关和第4-1开关相连,所述的第3-1开关还与第4-1开关相连;所述的四个端口分别与第1-2开关、第2-2开关、第3-2开关和第4-2开关相连。

    6、较佳地,所述的结构中交叉走线的直通的通孔孔径为6mil。

    7、较佳地,所述的结构中交叉走线的直通的走线为走背层的方式。

    8、采用了本发明的实现四端口电子校准件优化的结构,提供了一种优化的过孔走线方式,以及更改开关方式进而改善过孔影响从而提升整体的校准效果。本发明对四端口电子校准件直通交叉损耗提供技术帮助,对后续高频电子校准件的校准效果提供参考。



    技术特征:

    1.一种实现四端口电子校准件优化的结构,其特征在于,所述的结构包括四个端口,所述的四个端口两两互连,即共具有六个直通,其中一组直通交叉走线,一个直通过孔走线,每个所述的端口对应6种状态,分别为open、short、load与其余3个开关的直通状态,所述的结构还包括多个开关,每个所述的端口与对应的开关走线连接。

    2.根据权利要求1所述的实现四端口电子校准件优化的结构,其特征在于,所述的每个端口至开关为偏s型走线。

    3.根据权利要求1所述的实现四端口电子校准件优化的结构,其特征在于,所述的结构具有8个开关,分别为第1-1开关、第1-2开关、第2-1开关、第2-2开关、第3-1开关、第3-2开关、第4-1开关和第4-2开关,所述的第1-1开关和第1-2开关相连,所述的第2-1开关和第2-2开关相连,所述的第3-1开关和第3-2开关相连,所述的第4-1开关和第4-2开关相连,所述的第1-1开关还与第2-1开关、第3-1开关和第4-1开关相连,所述的第2-1开关还与第3-1开关和第4-1开关相连,所述的第3-1开关还与第4-1开关相连;所述的四个端口分别与第1-2开关、第2-2开关、第3-2开关和第4-2开关相连。

    4.根据权利要求1所述的实现四端口电子校准件优化的结构,其特征在于,所述的结构中交叉走线的直通的通孔孔径为6mil。

    5.根据权利要求4所述的实现四端口电子校准件优化的结构,其特征在于,所述的结构中交叉走线的直通的走线为走背层的方式。


    技术总结
    本发明涉及一种实现四端口电子校准件优化的结构,包括四个端口,所述的四个端口两两互连,即共具有六个直通,其中一组直通交叉走线,一个直通过孔走线,每个所述的端口对应6种状态,分别为OPEN、SHORT、LOAD与其余3个开关的直通状态,所述的结构还包括多个开关,每个所述的端口与对应的开关走线连接。采用了本发明的实现四端口电子校准件优化的结构,提供了一种优化的过孔走线方式,以及更改开关方式进而改善过孔影响从而提升整体的校准效果。本发明对四端口电子校准件直通交叉损耗提供技术帮助,对后续高频电子校准件的校准效果提供参考。

    技术研发人员:赵洋,陈勇,姚武伟,阮帅,党嘉鹏,杨涛,苏林,陆建平,杜建,王贤军
    受保护的技术使用者:创远信科(上海)技术股份有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
    转载请注明原文地址:https://wp.8miu.com/read-85033.html

    最新回复(0)