本技术涉及多晶硅生产还原，更具体地说涉及一种还原炉电极防护隔热结构。
背景技术：
1、多晶硅还原工序的还原反应在还原炉中进行，还原炉正常运行过程中，炉内温度可达1000℃以上，由于还原炉生产多晶硅的特殊性，还原炉内的设备设施表面易生成低温硅，而还原炉所需的高温由铜电极对硅芯进行通电加热获取，若铜电极表面出现过多低温硅，则极有可能出现电极放电，影响产品质量，因此需要使用隔热件将电极进行防护隔热。
2、现有技术中，隔热件如图2所示，因为还原炉内温度高，隔热件距离放热的硅棒距离较近，隔热件受到热辐射较强，隔热件表面温度达到了反应所需的温度，因此隔热件表面会积硅，隔热件表面积硅后易与电极接触，从而引起电流从隔热件向还原炉底盘传导，造成接地放电。
技术实现思路
1、为了克服上述现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的是提供一种还原炉电极防护隔热结构，以解决上述现有技术中的隔热件表面积硅导致的接地放电故障问题。本发明中，在隔热盖环宽部分的外檐装配有向下的挡板，降低了隔热筒体外侧的温度，减少了隔热筒体外侧无定形硅的生成；将隔热盖内径扩大，减少了隔热盖表面积硅后与还原炉电极接触放电的几率。
2、为了实现以上目的，本实用新型采用的技术方案：
3、一种还原炉电极防护隔热结构，包括隔热筒体、隔热盖和挡板；
4、所述隔热筒体底端安装在多晶硅还原炉底盘上，顶端装配有所述隔热盖；所述隔热盖呈圆环结构，其环宽部分的底端中部与所述隔热筒体顶端连接，环宽部分的外檐装配有向下的所述挡板；还原炉电极向上穿过所述隔热筒体和隔热盖，还原炉电极与隔热筒体和隔热盖之间预留有隔热空隙。
5、优选的，所述挡板呈圆环结构，其环宽部分的截面呈梯形或者长方形。
6、优选的，所述隔热盖与还原炉电极之间的距离为15mm。
7、优选的，所述隔热筒体、隔热盖和挡板一体成型。
8、优选的，所述隔热筒体、隔热盖和挡板的材料均为氮化硅。
9、优选的，所述还原炉电极为铜电极。
10、优选的，所述隔热筒体、隔热盖、挡板和还原炉电极同轴设置。
11、本实用新型的有益效果：
12、本实用新型提供的还原炉电极防护隔热结构，相对于现有技术，在隔热盖环宽部分的外檐装配有向下的挡板，挡板阻挡辐射热从侧面向隔热筒体方向运动，降低了隔热筒体外侧的温度，降低了硅芯对隔热筒体外侧的辐射温度。隔热筒体外侧的温度降低后，减少了隔热筒体外侧无定形硅的生成，从而降低了电流从隔热筒体外表面向还原炉底盘传导，造成接地放电的事故的发生。
13、本实用新型提供的还原炉电极防护隔热结构，相对于现有技术，将隔热盖的内径扩大，也即增大隔热结构与还原炉电极之间的距离，两者距离增大后，减少了隔热结构表面积硅后与还原炉电极之间接触的几率，进而减少了隔热结构表面积硅后与还原炉电极接触，从而引起电流从隔热筒体向还原炉底盘传导，造成接地放电的事故的发生。
1.一种还原炉电极防护隔热结构，其特征在于，包括隔热筒体（1）、隔热盖（2）和挡板（3）；
2.如权利要求1所述的还原炉电极防护隔热结构，其特征在于，所述挡板（3）呈圆环结构，其环宽部分的截面呈梯形或者长方形。
3.如权利要求1所述的还原炉电极防护隔热结构，其特征在于，所述隔热盖（2）与还原炉电极（4）之间的距离为15mm。
4.如权利要求1所述的还原炉电极防护隔热结构，其特征在于，所述隔热筒体（1）、隔热盖（2）和挡板（3）一体成型。
5.如权利要求1所述的还原炉电极防护隔热结构，其特征在于，所述隔热筒体（1）、隔热盖（2）和挡板（3）的材料均为氮化硅。
6.如权利要求1所述的还原炉电极防护隔热结构，其特征在于，所述还原炉电极（4）为铜电极。
7.如权利要求1所述的还原炉电极防护隔热结构，其特征在于，所述隔热筒体（1）、隔热盖（2）、挡板（3）和还原炉电极（4）同轴设置。
