本发明涉及隔离终端，具体为一种集成式超结mos隔离终端的制造方法。
背景技术：
1、集成式超结mosfet中，各mosfet间需要一定的隔离区域，称之为隔离终端，以将各mosfet隔离开，使各mosfet具有独立性，在实际工作中能够独立工作，相互之间无影响。
2、现有的用于隔离终端在制作优化方面的改进，通常是为了提高芯片的整体性能，比如在申请公开号为cn114900134a的中国专利中，公开了一种带体电极隔离mos管中和电容放大器及终端，该方案就是通过提高放大器的增益，优化放大器的噪声系数，有助于射频芯片整体性能的提升，其他的用于隔离终端在制作优化方面的改进，通常是在保证mos隔离终端性能的情况下对部件的损耗进行优化，而在隔离终端运作时，随着击穿电压的增大，电路应用中的感应尖峰电压越大，对于隔离电压的要求相应增加，因此，隔离终端也需要进一步加长，以满足电路应用的工作需求，而在现有的改进中，缺少在隔离终端的制作方面在缩短隔离终端的宽度、缩小管芯面积以及增加每片圆片的有效管芯数方面的制作改进，这会导致隔离终端区域的增加，极大的增加了集成式超结mosfet的无效面积，减少了每片圆片的有效管芯数，增加了单颗管芯的成本，鉴于此，有必要对现有的隔离终端的制作方面进行改进。
技术实现思路
1、本发明旨在至少在一定程度上解决现有技术中的技术问题之一，通过提出一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，用于解决现有技术中缺少在隔离终端的制作方面在缩短隔离终端的宽度、缩小管芯面积以及增加每片圆片的有效管芯数方面的制作改进，这会导致隔离终端区域的增加，极大的增加了集成式超结mosfet的无效面积，减少了每片圆片的有效管芯数，增加了单颗管芯的成本的问题。
2、为实现上述目的，本发明提供一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，包括：
3、获取外延片，对选取后的外延片使用标准光刻法进行处理并进行p型外延填充；
4、对外延片的有源区进行处理得到p-body结区域以及完整的隔离终端结构；
5、对外延片进行后续处理，其中，后续处理包括生长氧化层、形成栅氧化层、沉积多晶硅、在np区域进行注入推阱、生成绝缘膜并开孔、生成钝化层以及进行背面减薄处理。
6、进一步地，所述标准光刻法包括：
7、对外延片进行氧化处理，将经过氧化处理后的外延片表面生成的氧化层记为掩蔽氧化层，其中，掩蔽氧化层的厚度小于等于第一氧化厚度且大于等于第二氧化厚度；
8、在掩蔽氧化层的jfet区进行光刻处理，将光刻处理后的jfet区记为光刻jfet区，在光刻jfet区进行注入，其中，注入的能量小于等于第一标准能量且大于等于第二标准能量，注入的剂量小于等于第一标准剂量且大于等于第二标准剂量，注入的元素为磷元素。
9、进一步地，所述标准光刻法还包括：
10、对外延片表面的掩蔽氧化层进行淀积处理，将淀积处理后的掩蔽氧化层记为淀积氧化层，获取外延片中的trench区域，并在淀积氧化层中标记trench区域；
11、对淀积氧化层中的trench区域进行光刻处理以及刻蚀处理，将光刻处理以及刻蚀处理后的trench区域记为已刻凹槽；
12、对已刻凹槽表面进行rca清洗，在清洗后的已刻凹槽内进行外延填充，形成超结器件p/n结构。
13、进一步地，对外延片的有源区进行处理得到p-body结区域以及完整的隔离终端结构包括：
14、在外延片的有源区进行选择性曝光，并对有源区进行注入，其中，注入的能量小于等于第三标准能量且大于等于第四标准能量，注入的剂量小于等于第三标准剂量且大于等于第四标准剂量，注入的元素为硼元素；
15、对外延片中的body区域进行光刻处理，并对光刻处理后的body区域进行退火处理，其中，退火处理的温度为标准退火温度，退火处理的时间小于等于第一退火时间且大于等于第二退火时间；
16、body区域进行退火后得到p-body结区域。
17、进一步地，光刻处理包括：
18、将被光刻的物体记为待光刻体；
19、在进行光刻处理前对待光刻体进行清洗，其中，清洗的时间小于等于第一清洗时间且大于等于第二清洗时间；
20、清洗后在待光刻体表面涂抹光刻胶，使用光刻机将光源照射在待光刻体表面进行曝光处理；
21、当曝光处理后使用显影液对待光刻体表面进行溶解处理，溶解未进行曝光的光刻胶；
22、将使用显影液溶解后的待光刻体进行清洗，其中，清洗时使用去离子水以及化学清洗剂进行混合清洗。
23、进一步地，刻蚀处理包括：
24、将被刻蚀的物体记为待刻蚀体；
25、在待刻蚀体表面流通等离子气流，对等离子气流进行低气压处理并每隔标准处理时间对等离子气流进行采样分析，当采样结果为等离子体中含有刻蚀反应剂时，将等离子气流记为刻蚀气流，其中，刻蚀反应剂为能够进行刻蚀的等离子体；
26、获取待刻蚀体的厚度，记为k；
27、当等离子气流被记为刻蚀气流时开始计时，将计时的时间记为刻蚀时间；
28、当刻蚀时间等于标准刻蚀时间时，将等离子气流移出待刻蚀体表面，其中，标准刻蚀时间为α×k；
29、刻蚀处理包括系数获取子方法，系数获取子方法包括：
30、获取n个被刻蚀较多的待刻蚀体，依次记为已刻蚀体1至已刻蚀体n；
31、将所有已刻蚀体的厚度依次记为k1至kn；
32、获取所有已刻蚀体从刻蚀开始至刻蚀结束所消耗的时间，依次记为刻蚀消耗时间1至刻蚀消耗时间n；
33、建立平面直角坐标系，记为刻蚀坐标系，其中，刻蚀坐标系的x轴为厚度，刻蚀坐标系的y轴为时间；
34、在刻蚀坐标系中基于所有已刻蚀体的厚度以及所有已刻蚀体的刻蚀消耗时间进行标记，并基于所有标记点获取拟合函数y＝α×x，将y＝α×x记为刻蚀函数，其中，α为标准刻蚀系数。
35、进一步地，对外延片进行后续处理包括：
36、将得到p-body结区域后的外延片记为完整结构片；
37、在完整结构片表面生长一层氧化层，记为后处理氧化层，其中，后处理氧化层的厚度小于等于第三氧化厚度且大于等于第四氧化厚度；
38、对完整结构片的表面进行光刻处理，将光刻后的有源层进行曝光处理以及刻蚀处理；
39、将完整结构片中的终端区域以及隔离终端区域记为非清除区域，将有源区中除非清除区域以外的区域使用氢氟酸对氧化层进行去除。
40、进一步地，对外延片进行后续处理还包括：
41、在完整结构片中进行栅氧化形成栅氧化层，在栅氧化层表面沉积多晶硅，其中，栅氧化层的厚度小于等于第五氧化厚度且大于等于第六氧化厚度，多晶硅的厚度小于等于第一多晶厚度且大于等于第二多晶厚度；
42、当栅氧化层表面的多晶硅沉积后，对多晶硅进行光刻处理以及刻蚀处理；
43、在完整结构片中的n型区域以及p型区域进行原子注入，其中，注入的能量小于等于第五标准能量且大于等于第六标准能量，注入的剂量小于等于第五标准剂量且大于等于第六标准剂量，注入的元素为砷元素；
44、将进行原子注入后的n型区域以及p型区域记为待扩散区域；
45、对待扩散区域进行推阱处理，其中，推阱处理时的温度为标准推阱温度，推阱处理时的时间为标准推阱时间。
46、进一步地，对外延片进行后续处理还包括：
47、在完整结构片的表面生成层间绝缘膜，其中，层间绝缘膜使用bpsg进行沉积获得且bpsg的厚度为标准绝缘厚度；
48、获取层间绝缘膜中需要进行开孔的区域，并对需要进行开孔的区域进行开孔处理，将开孔处理后得到孔依次记为绝缘孔1至绝缘孔m；
49、对所有绝缘孔进行光刻处理以及刻蚀处理；
50、在完整结构片的表面沉积标准沉积厚度的铝，并对沉积后的铝进行光刻处理以及刻蚀处理，形成完整结构片中mos的栅区和源区。
51、进一步地，对外延片进行后续处理还包括：
52、在完整结构片表面沉积氮化硅并将沉积后的氮化硅记为完整结构片的钝化层，其中，氮化硅的厚度小于等于第一钝化厚度且大于等于第二钝化厚度；
53、对钝化层进行光刻处理以及刻蚀处理，形成完整结构片表面gate以及source的开口区；
54、对完整结构片的背面进行背面减薄，背面减薄的厚度小于等于第一减薄厚度且大于等于第二减薄厚度；
55、将进行背面减薄后的完整结构片记为待蒸发结构片；
56、在待蒸发结构片的背面蒸发ti-ni-ag形成蒸发膜。
57、本发明的有益效果：首先本发明通过获取外延片，对选取后的外延片使用标准光刻法进行处理并进行p型外延填充；然后对外延片的有源区进行处理得到p-body结区域以及完整的隔离终端结构，这样的好处在于，通过选取外延片后使用标准光刻法对p型外延进行填充，有利于在后续处理中对外延片的有源区进行处理从而得到p-body结区域，而得到的p-body区域能够有效缩短制作出来的隔离终端的宽度，从而缩小管芯面积，增加每片圆片的有效管芯数，并且随着击穿电压的增大，电压规格越高，优化效果越明显；
58、本发明还通过对外延片进行后续处理，其中，后续处理包括生长氧化层、形成栅氧化层、沉积多晶硅、在np区域进行注入推阱、生成绝缘膜并开孔、生成钝化层以及进行背面减薄处理，这样的好处在于，通过对外延片进行后续处理，能够使得到的隔离终端结构的组成更加完善，从而使隔离终端能够满足将各mosfet隔离开的需求，从而使隔离终端的整体结构更加完整。
59、本技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术了解。本技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
1.一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，所述标准光刻法包括：
3.根据权利要求2所述的一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，所述标准光刻法还包括：
4.根据权利要求3所述的一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，对外延片的有源区进行处理得到p-body结区域以及完整的隔离终端结构包括：
5.根据权利要求4所述的一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，光刻处理包括：
6.根据权利要求5所述的一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，刻蚀处理包括：
7.根据权利要求6所述的一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，对外延片进行后续处理包括：
8.根据权利要求7所述的一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，对外延片进行后续处理还包括：
9.根据权利要求8所述的一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，对外延片进行后续处理还包括：
10.根据权利要求9所述的一种集成式超结mos隔离终端的制造方法，其特征在于，对外延片进行后续处理还包括：
