本公开的实施例属于有机电子器件制备，具体涉及一种超薄有机电子器件的制备方法及电子器件。
背景技术：
1、历经多年发展，有机半导体材料已成功实现多种光电子器件，器件性能也在不断提高。有机半导体和有机电子器件的载流子迁移率在近四十年中实现了近八个数量级的增进，早已达到甚至超过了非晶硅的水平。有机电子器件在大屏显示器、电子书、传感器、曲面显示器、电子标签、智慧卡、电子皮肤等领域具有广泛的应用价值。
2、目前制备有机半导体薄膜的方法包括气相沉积法。但气相沉积制备的器件因其成本高昂、操作复杂且高温状态下易破坏半导体材料的性能等缺点，难以应用于商业化制备和生产。
3、因此，如何解决上述问题成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种超薄有机电子器件的制备方法及电子器件。
2、本公开的实施例的第一个方面，提供一种超薄有机电子器件的制备方法，包括：
3、提供基底；
4、在所述基底上表面形成栅绝缘层；
5、在所述栅绝缘层上表面制作源电极和漏电极；
6、配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的共混液；
7、将所述共混液旋涂于所述栅绝缘层上表面，并干燥处理形成有机半导体层。
8、可选的，所述末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物包括2,2'-联噻吩和末端硅氧烷基侧链取代的吡咯并吡咯二酮的共聚物，或2,2'-联噻吩和末端硅氧烷基侧链取代的萘二酰亚胺基的共聚物。
9、可选的，所述共混液浓度为0.1～1mg/ml；其中，所述共混液旋涂转速1000～10000r/min，旋涂时间10～300s，旋涂温度25～100℃。
10、可选的，所述有机溶剂包括三氯甲烷溶剂；所述末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和所述三氯甲烷溶剂的共混液浓度为0.8mg/ml；其中，所述共混液旋涂转速6000r/min，旋涂时间30s，旋涂温度25℃。
11、可选的，所述有机溶剂包括甲苯溶剂；所述末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和所述甲苯溶剂的共混液浓度为0.4mg/ml；其中，所述共混液旋涂转速5000r/min，旋涂时间20s，旋涂温度25℃。
12、可选的，所述有机溶剂包括正己烷溶剂；所述末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和所述正己烷溶剂的共混液浓度为0.4mg/ml；其中，所述共混液旋涂转速8000r/min，旋涂时间20s，旋涂温度25℃。
13、可选的，所述末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物的用量0.02～1g/m2。
14、可选的，所述有机溶剂用量为0.2～0.8l/m2。
15、可选的，所述有机溶剂用量为0.4l/m2。
16、本公开的实施例的第二个方面，提供一种超薄有机电子器件应用，所述超薄有机电子器件由上述所述的超薄有机电子器件的制备方法制备得到，所述应用包括下述至少一项：传感器，射频电子商标，记忆存储器，有机电路或显示驱动。
17、本公开的实施例的第三个方面，提供一种超薄有机电子器件，所述超薄有机电子器件由上述所述的超薄有机电子器件的制备方法制备得到。
18、本公开的实施例的有益效果，包括：
19、由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的共混液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。
1.一种超薄有机电子器件的制备方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的超薄有机电子器件的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的超薄有机电子器件的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的超薄有机电子器件的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的超薄有机电子器件的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的超薄有机电子器件的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的超薄有机电子器件的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的超薄有机电子器件的制备方法，其特征在于，
9.一种超薄有机电子器件应用，其特征在于，所述超薄有机电子器件由权利要求1至8任一项所述的超薄有机电子器件的制备方法制备得到，所述应用包括下述至少一项：传感器，射频电子商标，记忆存储器，有机电路或显示驱动。
10.一种超薄有机电子器件，其特征在于，所述超薄有机电子器件由权利要求1至8任一项所述的超薄有机电子器件的制备方法制备得到。
