本技术涉及功率模块的散热结构和采用该散热结构的功率模块。
背景技术：
1、包括igbt芯片和/或mosfet芯片等功率器件的功率模块广泛应用在各种电力电子设备上，此类功率器件工作时会产生大量热量，如果功率模块不能及时将所产生的热量散发，将严重影响功率器件及其周边电子元件的工作。
2、现有技术中，功率模块普遍采用散热器进行散热。作为改进，在一些现有技术中，功率模块被连接到均温板或热管上，均温板或者热管再连接到散热器，以通过均温板或热管将功率模块内的热量更快速地传导至散热器。其中，均温板或热管一般通过导热介质(例如导热垫)连接到功率模块的导热基板上，在连接界面处产生的热阻会影响从功率模块到均温板或热管的传热效率。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本实用新型的主要目的是提供一种功率模块的散热结构，以进一步提高功率模块的散热性能。
2、本实用新型的另一目的是提供具有上述散热结构的功率模块。
3、为了实现上述主要目的，本实用新型的第一方面公开了一种功率模块的散热结构，包括：
4、导热基板，具有第一表面和用于安装功率器件的第二表面，所述第一表面设有金属散热层；
5、散热罩，安装在导热基板的第一表面，并与导热基板之间围合成容纳冷却工质的蒸发腔，该蒸发腔具有设置在散热罩的内壁和金属散热层上的毛细结构。
6、进一步地，上述功率模块的散热结构还包括：水箱，设有进水口和出水口；散热罩至少部分地容纳在水箱的内部。功率模块工作时，水箱内的循环水流可快速带走散热罩的热量，以实现更佳的散热性能。
7、根据本实用新型的一种具体实施方式，导热基板包括绝缘基板和设置在绝缘基板内的金属块或者陶瓷块；其中，金属块直接连接到金属散热层，陶瓷块直接或通过金属箔连接到金属散热层。
8、根据本实用新型的另一具体实施方式，导热基板包括陶瓷芯板，金属散热层设置在陶瓷芯板的表面。
9、进一步地，蒸发腔内设有支撑毛细结构的支撑结构，以避免或减少毛细结构坍塌或者脱落的发生。
10、进一步地，散热罩的底壁具有中空或非中空的散热柱，以增大散热罩的散热面积。
11、为了实现上述的另一目的，本实用新型的第二方面提供了一种功率模块，其包括功率器件以及如上所述的任意一种散热结构，功率器件安装在导热基板的第二表面上。
12、进一步地，功率模块还包括封装体，其设置在导热基板的第二表面，并将功率器件封装在其内部。
13、进一步地，封装体背对导热基板的表面可以设有与功率器件电连接的表面线路。功率模块的功率脚位和信号脚位均可以设置在该表面线路中，以简化其外部电连接结构。
14、进一步地，封装体包括多层绝缘芯板，封装体的内部具有设置在绝缘芯板表面的内层导电线路。
15、本实用新型中，安装功率器件的导热基板形成蒸发腔的一部分，使得蒸发腔内的冷却工质可直接接触导热基板，以消除导热基板与蒸发腔之间的热阻，从而可进一步提高功率模块的散热性能。
16、为了更清楚地说明本实用新型的目的、技术方案和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。
1.一种功率模块的散热结构，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述功率模块的散热结构，其特征在于还包括：水箱，设有进水口和出水口；所述散热罩至少部分地容纳在所述水箱的内部。
3.根据权利要求1所述功率模块的散热结构，其特征在于：所述导热基板包括绝缘基板和设置在所述绝缘基板内的金属块或者陶瓷块；所述金属块直接连接到所述金属散热层，所述陶瓷块直接或通过金属箔连接到所述金属散热层。
4.根据权利要求1所述功率模块的散热结构，其特征在于：所述导热基板包括陶瓷芯板，所述金属散热层设置在所述陶瓷芯板的表面。
5.根据权利要求1所述功率模块的散热结构，其特征在于：所述蒸发腔内设有支撑所述毛细结构的支撑结构。
6.根据权利要求1所述功率模块的散热结构，其特征在于：所述散热罩的底壁具有中空或非中空的散热柱。
7.一种功率模块，其特征在于：所述功率模块包括功率器件以及如权利要求1-6任一项所述的散热结构，所述功率器件安装在所述导热基板的第二表面上。
8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于还包括：
9.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于：所述封装体背对所述导热基板的表面设有与所述功率器件电连接的表面线路。
10.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于：所述封装体包括多层绝缘芯板，所述封装体的内部具有设置在所述绝缘芯板表面的内层导电线路。
