本技术涉及半导体，尤其涉及一种发光二极管。
背景技术：
1、发光效率以及使用寿命是发光二极管(led，light emitting diode)的两个重要性指标。影响发光二极管的使用寿命的其中一个重要因素是发光二极管的散热问题，如果散热不佳会大幅度缩短发光二极管的使用寿命；而影响发光二极管的发光效率的一个重要因素是很大一部分发光层发射的光被衬底和电极等材料吸收，从而影响出光，大大降低光的提取效率。为了改善发光效率，目前利用全方位反射镜(odr，omni-directionalreflector)将发光层射向衬底的光反射出去，全方位反射镜由低折射率的介质层和反射镜层构成，介质层通过光刻工艺制作出导电通孔，反射镜层通过导电通孔同外延层形成电学接触，然而仍存在散热问题和发光效率问题。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种发光二极管，达到散热的效果，并提高发光二极管的发光效率。
2、为了达到上述目的，本实用新型提供了一种发光二极管，包括：
3、衬底；
4、键合层，位于所述衬底上；
5、反射结构层，位于所述键合层上；
6、外延层，位于所述反射结构层上，且所述外延层包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
7、导热反射结构，至少贯穿所述第二半导体层和所述发光层；
8、第一电极，位于所述衬底远离所述键合层的表面；
9、第二电极，位于所述外延层上，所述导热反射结构在所述衬底上的投影围绕所述第二电极在所述衬底上的投影，且所述导热反射结构与所述第二电极在所述衬底上的投影之间具有第一间隙。
10、可选的，所述导热反射结构还贯穿所述第一半导体层。
11、可选的，所述导热反射结构包括导热通孔、导热介质层和导热金属反射层，所述导热通孔贯穿所述第二半导体层和所述发光层或者贯穿所述外延层，所述导热介质层覆盖所述导热通孔的侧壁和底部，所述导热金属反射层填充所述导热通孔。
12、可选的，所述导热介质层和所述导热金属反射层的顶部与所述外延层远离所述衬底的表面齐平或不齐平。
13、可选的，所述导热介质层为sio2层、sinx层中的至少一层，所述导热金属反射层为ag层、al层、au层中的至少一层。
14、可选的，所述导热通孔的横截面为扇环、圆形、扇形、多边形中的至少一种。
15、可选的，所述导热通孔的横截面为扇环时，所述扇环的内径为25μm～50μm，所述扇环的外径为26μm～75μm。
16、可选的，所述导热介质层的厚度为100nm～1000nm。
17、可选的，所述第一间隙为2μm～30μm。
18、可选的，所述第一半导体层包括第一欧姆接触层和第一限制层，所述第二半导体层包括第二限制层和第二欧姆接触层，使得所述外延层包括由下至上依次堆叠的所述第一欧姆接触层、所述第一限制层、所述发光层、所述第二限制层和所述第二欧姆接触层。
19、可选的，还包括扩展电极，位于所述外延层上，并且所述扩展电极与所述第二电极电性连接。
20、可选的，所述导热反射结构与所述扩展电极在所述衬底上的投影之间具有第二间隙，且所述第二间隙为2μm～30μm。
21、可选的，所述反射结构层为金属反射结构或全反射结构，所述金属反射结构包括反射镜层，位于所述外延层与所述键合层之间，所述全反射结构包括反射镜层、导电介质层和绝缘介质层，其中所述绝缘介质层位于所述第一半导体层靠近所述键合层一侧的表面，所述绝缘介质层中有贯穿所述绝缘介质层的导电通孔，所述导电介质层至少覆盖所述导电通孔的侧壁和底部，所述反射镜层填充所述导电通孔且延伸覆盖所述绝缘介质层靠近所述键合层的一侧表面。
22、可选的，所述导电介质层还延伸覆盖所述绝缘介质层靠近所述键合层的一侧表面，所述反射镜层填充所述导电通孔且延伸覆盖所述导电介质层靠近所述键合层的一侧表面。
23、可选的，所述全反射结构还包括增透层，所述增透层位于所述导电介质层和所述反射镜层之间。
24、可选的，所述导电通孔在所述衬底上的投影在所述导热反射结构、所述第二电极和所述扩展电极在所述衬底上的投影之外。
25、在本实用新型提供的发光二极管中，包括衬底、键合层、反射结构层、外延层、导热反射结构、第一电极和第二电极，其中键合层位于衬底上，反射结构层位于键合层上；外延层位于反射结构层上，且外延层包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，导热反射结构至少贯穿第二半导体层和发光层；第一电极位于衬底远离键合层的表面，第二电极位于外延层上，导热反射结构在衬底上的投影围绕第二电极在衬底上的投影，且导热反射结构与第二电极在衬底上的投影之间具有第一间隙。本实用新型通过设置导热反射结构至少贯穿第二半导体层和发光层，导热反射结构一方面能够将发光层的热量传导至发光二极管的表面，达到散热的效果；另一方面能够反射导热反射结构外围的发光层的光，以增加光的发射，提高发光二极管的发光效率。
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导热反射结构还贯穿所述第一半导体层。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述导热反射结构包括导热通孔、导热介质层和导热金属反射层，所述导热通孔贯穿所述第二半导体层和所述发光层或者贯穿所述外延层，所述导热介质层覆盖所述导热通孔的侧壁和底部，所述导热金属反射层填充所述导热通孔。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述导热介质层和所述导热金属反射层的顶部与所述外延层远离所述衬底的表面齐平或不齐平。
5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述导热介质层为sio2层、sinx层中的至少一层，所述导热金属反射层为ag层、al层、au层中的至少一层。
6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述导热通孔的横截面为扇环、圆形、扇形、多边形中的至少一种。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述导热通孔的横截面为扇环时，所述扇环的内径为25μm～50μm，所述扇环的外径为26μm～75μm。
8.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述导热介质层的厚度为100nm～1000nm。
9.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一间隙为2μm～30μm。
10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层包括第一欧姆接触层和第一限制层，所述第二半导体层包括第二限制层和第二欧姆接触层，使得所述外延层包括由下至上依次堆叠的所述第一欧姆接触层、所述第一限制层、所述发光层、所述第二限制层和所述第二欧姆接触层。
11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括扩展电极，位于所述外延层上，并且所述扩展电极与所述第二电极电性连接。
12.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述导热反射结构与所述扩展电极在所述衬底上的投影之间具有第二间隙，且所述第二间隙为2μm～30μm。
13.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述反射结构层为金属反射结构或全反射结构，所述金属反射结构包括反射镜层，位于所述外延层与所述键合层之间，所述全反射结构包括反射镜层、导电介质层和绝缘介质层，其中所述绝缘介质层位于所述第一半导体层靠近所述键合层一侧的表面，所述绝缘介质层中有贯穿所述绝缘介质层的导电通孔，所述导电介质层至少覆盖所述导电通孔的侧壁和底部，所述反射镜层填充所述导电通孔且延伸覆盖所述绝缘介质层靠近所述键合层的一侧表面。
14.如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述导电介质层还延伸覆盖所述绝缘介质层靠近所述键合层的一侧表面，所述反射镜层填充所述导电通孔且延伸覆盖所述导电介质层靠近所述键合层的一侧表面。
15.如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述全反射结构还包括增透层，所述增透层位于所述导电介质层和所述反射镜层之间。
16.如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述导电通孔在所述衬底上的投影在所述导热反射结构、所述第二电极和所述扩展电极在所述衬底上的投影之外。
