本发明涉及光伏组件测试领域，尤其涉及一种晶体硅光伏组件letid测试方法。
背景技术：
1、热辅助光致衰减(light elevatedtemperature induce degradation，letid)是导致多晶硅及perc光伏组件衰减的一种重要机制，由于该机制在实际情况中可能引起较大的光伏组件发电功率衰减，其已经引起了光伏产业界广泛的关注。
2、letid现象可以造成组件功率衰减幅度超过10％，远高于lid，fraunhofer以及nrel研究人员非常系统地研究测试了组件工作时在不同环境下的温度，研究表明组件在沙漠和湿热地区温度要超过75℃。目前我们在电站现场已观察到高达7％的衰减率。光伏行业需要接受letid的存在，理解letid机理，进而找出letid的解决方案，这就像六七年前大家理解和解决pid问题一样。
3、letid试验是通过在高温下施加电流来评估高温热辅助光致衰减(letid)的影响。目前，在iec 61215组件型式认证标准的修改草案中，采用电流注入方法来测试组件letid衰减。由于letid是高温下较长时间内才能达到饱和的衰减，现有方法需要多步测试或是专门的测试系统才能模拟并完成letid测试模拟。
4、为此，亟需一种晶体硅光伏组件letid测试方法来填补在组件生产端采用普通环境实验设备完成letid测试模拟的技术空白，进而有效评估晶体硅光伏组件letid性能，为保证光伏行业的发展提供技术支持。
技术实现思路
1、有鉴于此，本发明提出了一种晶体硅光伏组件letid测试方法，旨在解决或改善上述技术问题中的至少之一。
2、为实现上述目的，本发明提供了如下方案：本发明提供一种晶体硅光伏组件letid测试方法，包括：
3、对目标光伏组件进行第一性能测试，得到第一性能测试结果；
4、对所述目标光伏组件进行letid降解试验，将所述目标光伏组件置于温度75℃±2℃，相对湿度＜20％rh的环境条件下，持续通短路电流168小时；
5、对经过letid降解试验的所述目标光伏组件进行第二性能测试，得到第二性能测试结果；
6、对所述目标光伏组件进行letid再生试验，所述目标光伏组件置于温度85℃±2℃，相对湿度＜20％rh的环境条件下，持续通短路电流500小时；
7、对经过letid再生试验的所述目标光伏组件进行第三性能测试，得到第三性能测试结果；
8、根据所述第三性能测试结果和所述第一性能测试结果确定所述目标光伏组件的letid性能。
9、可选地，所述第一性能测试、所述第二性能测试和所述第三性能测试均包括外观检测、功率测试和电致发光测试。
10、可选地，在标准光照强度1000w/m2条件下，对所述目标光伏组件进行性能测试。
11、可选地，所述第一性能测试后记录所述目标光伏组件的短路电流isc，所述letid降解试验和所述letid再生试验中，持续通1倍的所述短路电流isc。
12、可选地，选择经过所述第二性能测试且合格的所述目标光伏组件进入所述letid再生试验。
13、可选地，所述根据所述第三性能测试结果和所述第一性能测试结果确定所述目标光伏组件的letid性能，包括：
14、根据所述目标光伏组件的功率衰减值来判定所述目标光伏组件是否为letid敏感。
15、可选地，所述功率衰减值≤2％则判定所述目标光伏组件为合格，否则判定为letid敏感。
16、可选地，所述根据所述第三性能测试结果和所述第一性能测试结果确定所述目标光伏组件的letid性能，包括：
17、根据所述目标光伏组件的el测试结果图像变化来判定所述目标光伏组件的letid性能。
18、可选地，所述根据所述第三性能测试结果和所述第一性能测试结果确定所述目标光伏组件的letid性能，包括：
19、根据所述目标光伏组件的外观是否产生可视缺陷来判定所述目标光伏组件的letid性能。
20、可选地，所述目标光伏组件至少为一个；当所述目标光伏组件为多个时，多个目标光伏组件为同一批次；若确定同一批次中多个所述目标光伏组件均为letid敏感，则确定该批次的光伏组件均对letid敏感。
21、本发明公开了以下技术效果：
22、本发明方法提供了一种晶体硅光伏组件letid测试方法，操作简便，试验成本低，能有效评估晶体硅光伏组件letid性能，为保证光伏行业的发展提供技术支持。
1.一种晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，所述第一性能测试、所述第二性能测试和所述第三性能测试均包括外观检测、功率测试和电致发光测试。
3.根据权利要求2所述的晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，在标准光照强度1000w/m2条件下，对所述目标光伏组件进行性能测试。
4.根据权利要求2所述的晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，所述第一性能测试后记录所述目标光伏组件的短路电流isc，所述letid降解试验和所述letid再生试验中，持续通1倍的所述短路电流isc。
5.根据权利要求1所述的晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，选择经过所述第二性能测试且合格的所述目标光伏组件进入所述letid再生试验。
6.根据权利要求2所述的晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，所述根据所述第三性能测试结果和所述第一性能测试结果确定所述目标光伏组件的letid性能，包括：
7.根据权利要求6所述的晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，所述功率衰减值≤2％则判定所述目标光伏组件为合格，否则判定为letid敏感。
8.根据权利要求2所述的晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，所述根据所述第三性能测试结果和所述第一性能测试结果确定所述目标光伏组件的letid性能，包括：
9.根据权利要求2所述的晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，所述根据所述第三性能测试结果和所述第一性能测试结果确定所述目标光伏组件的letid性能，包括：
10.根据权利要求1至9中任一项所述的晶体硅光伏组件letid测试方法，其特征在于，所述目标光伏组件至少为一个；当所述目标光伏组件为多个时，多个目标光伏组件为同一批次；若确定同一批次中多个所述目标光伏组件均为letid敏感，则确定该批次的光伏组件均对letid敏感。
