一种mos管的双排引脚结构
技术领域
1.本实用新型涉及mos晶体管技术领域,具体涉及一种mos管的双排引脚结构。
背景技术:
2.mos管,又被称为绝缘栅场效应管,具体可分有pmos关、nmos关和vmos管等,绝缘栅场效应管即金属-氧化物-半导体场效应管,通常用mos表示,简称mos管,它具有比结型场效应管更高的输入阻抗,并且制造工艺比较简单,使用灵活方便,非常有利于高度集成化。
3.在mos管当中,为了方便连接电子元件进行适配,有的mos管引脚设计为直列式,便于插接;有的mos管引脚设计为折弯式,便于焊接。焊接式mos管常规设计是将三个引脚分别设置在mos管封装结构的两侧壁面,并且将引脚折弯,方便平放在安装部进行引脚焊接。在封装结构的两侧壁面设置引脚以便于焊接的平稳性和牢靠性。然而,焊接式mos管在引脚焊接时,由于电路设计的原因还需要借助工具将引脚折弯使得引脚平行于电路板进行焊接,而直列式mos管根本无法做到焊接的效果。
4.有鉴于此,亟待设计出一种mos管的双排引脚结构,通过在直列式mos管的引脚部套设外接套,在外接套的两侧壁面分别设置有外接引脚,利用外接引脚之间相互并联的关系与直列式mos管的引脚部串联,从而形成电连关系。在使用时,根据电路需要选择性地将外接引脚的源极、漏极和栅极布置在外接套两侧壁面并且焊接在电路板上,从而形成双排引脚的效果,无需折弯引脚即可将直列式mos管转换为焊接式mos管,减少了焊接式mos管的生产繁琐度。
技术实现要素:
5.为了解决以上现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种mos管的双排引脚结构,通过在直列式mos管的引脚部套设外接套,在外接套的两侧壁面分别设置有外接引脚,利用外接引脚之间相互并联的关系与直列式mos管的引脚部串联,从而形成电连关系。在使用时,根据电路需要选择性地将外接引脚的源极、漏极和栅极布置在外接套两侧壁面并且焊接在电路板上,从而形成双排引脚的效果,无需折弯引脚即可将直列式mos管转换为焊接式mos 管,减少了焊接式mos管的生产繁琐度。
6.为了实现上述目标,本实用新型的技术方案为:一种mos管的双排引脚结构,包括:封装体、芯片、引脚组、外接套、外接引脚和外接引脚并联结构,所述芯片安装在所述封装体内,所述引脚组与所述芯片电性连接并贯穿所述封装体暴露在外,所述外接套的内径面与所述封装体的外径面相配合,所述外接套可滑动套设在所述封装体外径面上,所述外接引脚固定安装在所述外接套的两侧壁面并通过外接引脚并联结构与所述引脚组电性连接。
7.进一步的,所述封装体包括:芯片安装槽、引脚组安装槽和滑动嵌合檐,所述芯片安装槽与所述芯片相配合,所述芯片可嵌合安装在所述芯片安装槽内,所述引脚组安装槽开设在所述芯片安装槽底部,所述引脚组安装槽与所述引脚组相配合,所述引脚组可嵌合安装在所述引脚组安装槽内,所述滑动嵌合檐固定安装在所述封装体的两侧壁面。
8.进一步的,所述引脚组包括:源极引脚、漏极引脚和栅极引脚,所述源极引脚、漏极引脚和栅极引脚分别嵌合在所述引脚组安装槽内并与所述芯片电性连接。
9.进一步的,所述外接套包括:源极引脚嵌合导套、漏极引脚嵌合导套、栅极引脚嵌合导套和滑动嵌合槽,所述源极引脚嵌合导套与所述源极引脚相配合,所述漏极引脚嵌合导套与所述漏极引脚相配合,所述栅极引脚嵌合导套与所述栅极引脚相配合,所述源极引脚嵌合导套、漏极引脚嵌合导套、栅极引脚嵌合导套并排安装在所述外接套内径面底部,所述滑动嵌合槽固定安装在所述外接套内径面两侧壁上并与所述滑动嵌合檐相配合。
10.进一步的,所述外接引脚包括:源极引脚组、漏极引脚组和栅极引脚组,所述源极引脚组、漏极引脚组和栅极引脚组分别并排安装在所述外接套的两侧壁面并且通过外接引脚并联结构与所述源极引脚、漏极引脚和栅极引脚电性连接。
11.进一步的,所述外接引脚并联结构包括:源极电连芯、漏极电连芯和栅极电连芯,所述源极电连芯固定安装在所述源极引脚嵌合导套底部面,所述漏极电连芯固定安装在所述漏极引脚嵌合导套底部面,所述栅极电连芯固定安装在所述栅极引脚嵌合导套底部面,所述源极电连芯、漏极电连芯和栅极电连芯分别与所述源极引脚组、漏极引脚组和栅极引脚组电性连接。
12.有益效果:
13.本实用新型提供的一种mos管的双排引脚结构,通过在直列式mos管的引脚部套设外接套,在外接套的两侧壁面分别设置有外接引脚,利用外接引脚之间相互并联的关系与直列式mos管的引脚部串联,从而形成电连关系。在使用时,根据电路需要选择性地将外接引脚的源极、漏极和栅极布置在外接套两侧壁面并且焊接在电路板上,从而形成双排引脚的效果,无需折弯引脚即可将直列式mos管转换为焊接式mos管,减少了焊接式mos管的生产繁琐度。
附图说明
14.图1为本实用新型一种mos管的双排引脚结构整体结构示意图;
15.图2为本实用新型一种mos管的双排引脚结构电连原理示意图。
16.图中:1-封装体,2-芯片,3-引脚组,4-外接套,5-外接引脚,6-外接引脚并联结构, 11-芯片安装槽,12-引脚组安装槽,13-滑动嵌合檐,31-源极引脚,32-漏极引脚,33-栅极引脚,41-源极引脚嵌合导套,42-漏极引脚嵌合导套,43-栅极引脚嵌合导套,44-滑动嵌合槽,51-源极引脚组,52-漏极引脚组,53-栅极引脚组,61-源极电连芯,62-漏极电连芯,63
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栅极电连芯。
具体实施方式
17.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型的保护范围。
18.如图1-2所示,本实用新型公开了一种mos管的双排引脚结构,包括:封装体1、芯片2、引脚组3、外接套4、外接引脚5和外接引脚并联结构6,所述芯片2安装在所述封装体1内,
所述引脚组3与所述芯片2电性连接并贯穿所述封装体1暴露在外,所述外接套4的内径面与所述封装体1的外径面相配合,所述外接套4可滑动套设在所述封装体1外径面上,所述外接引脚5固定安装在所述外接套4的两侧壁面并通过外接引脚并联结构6与所述引脚组3 电性连接。
19.本实施例中,所述封装体1包括:芯片安装槽11、引脚组安装槽12和滑动嵌合檐13,所述芯片安装槽11与所述芯片2相配合,所述芯片2可嵌合安装在所述芯片安装槽11内,所述引脚组安装槽12开设在所述芯片安装槽11底部,所述引脚组安装槽12与所述引脚组3相配合,所述引脚组3可嵌合安装在所述引脚组安装槽12内,所述滑动嵌合檐13固定安装在所述封装体1的两侧壁面。
20.本实施例中,所述引脚组3包括:源极引脚31、漏极引脚32和栅极引脚33,所述源极引脚31、漏极引脚32和栅极引脚33分别嵌合在所述引脚组安装槽12内并与所述芯片2电性连接。
21.本实施例中,所述外接套4包括:源极引脚嵌合导套41、漏极引脚嵌合导套42、栅极引脚嵌合导套43和滑动嵌合槽44,所述源极引脚嵌合导套41与所述源极引脚31相配合,所述漏极引脚嵌合导套42与所述漏极引脚32相配合,所述栅极引脚嵌合导套43与所述栅极引脚 33相配合,所述源极引脚嵌合导套41、漏极引脚嵌合导套42、栅极引脚嵌合导套43并排安装在所述外接套4内径面底部,所述滑动嵌合槽44固定安装在所述外接套4内径面两侧壁上并与所述滑动嵌合檐13相配合。
22.本实施例中,所述外接引脚5包括:源极引脚组51、漏极引脚组52和栅极引脚组53,所述源极引脚组3、漏极引脚组52和栅极引脚组53分别并排安装在所述外接套4的两侧壁面并且通过外接引脚并联结构6与所述源极引脚31、漏极引脚32和栅极引脚33电性连接。
23.本实施例中,所述外接引脚并联结构6包括:源极电连芯61、漏极电连芯62和栅极电连芯63,所述源极电连芯61固定安装在所述源极引脚嵌合导套41底部面,所述漏极电连芯62 固定安装在所述漏极引脚嵌合导套42底部面,所述栅极电连芯63固定安装在所述栅极引脚嵌合导套43底部面,所述源极电连芯61、漏极电连芯62和栅极电连芯63分别与所述源极引脚组51、漏极引脚组52和栅极引脚组53电性连接。
24.工作原理:
25.首先,由于封装体1内安装有芯片2和引脚组3,引脚组3贯穿封装体1对外暴露,此为引脚直列式mos管。由于封装体1的两侧壁面固定安装有滑动嵌合檐13,而外接套4的内径面两侧壁上开设有滑动嵌合槽44,封装体1可沿着滑动嵌合槽44将滑动嵌合檐13推动进入外接套4内,是的外接套4围合在封装体1的外径面。
26.其中,由于外接套4内径底部固定安装有源极引脚嵌合导套41、漏极引脚嵌合导套42和栅极引脚嵌合导套43。在封装体1滑动嵌合进外接套4后,引脚组3的源极引脚31穿接在源极引脚嵌合导套41内,漏极引脚32穿接在漏极引脚嵌合导套42内,栅极引脚33穿接在栅极引脚嵌合导套43内,此时外接套4将引脚组3全部固定套合。
27.其中,由于源极引脚嵌合导套41的底部固定安装有源极电连芯61,源极电连芯61与源极引脚31相接触取点,实现电性连接;漏极引脚嵌合导套42的底部固定安装有漏极电连芯 62,漏极电连芯62与漏极引脚32相接触取点,实现电性连接;栅极引脚嵌合导套43的底部固定安装有栅极电连芯63,栅极电连芯63与栅极引脚33相接触取点,实现电性连接。而
源极电连芯61、漏极电连芯62以及栅极电连芯63分别通过导线与源极引脚组51、漏极引脚组 52和栅极引脚组53电性连接。由于源极引脚组51、漏极引脚组52和栅极引脚组53分别设置在外接套4的两侧壁面,源极引脚组51之间相当于并联在源极电连芯61上,漏极引脚组 52和栅极引脚组53亦如此。
28.最后,当封装体1嵌合在外接套4内后,根据电路板的分布设置,选择合适的外接引脚5 进行焊接,保证选择的源极、漏极、栅极能够分布在外接套4的两侧壁面即可。
29.本实用新型提供的一种mos管的双排引脚结构,通过在直列式mos管的引脚部套设外接套 4,在外接套4的两侧壁面分别设置有外接引脚5,利用外接引脚5之间相互并联的关系与直列式mos管的引脚部串联,从而形成电连关系。在使用时,根据电路需要选择性地将外接引脚5的源极、漏极和栅极布置在外接套4两侧壁面并且焊接在电路板上,从而形成双排引脚的效果,无需折弯引脚即可将直列式mos管转换为焊接式mos管,减少了焊接式mos管的生产繁琐度。
30.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所有的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
技术特征:
1.一种mos管的双排引脚结构,包括:封装体(1)、芯片(2)、引脚组(3)、外接套(4)、外接引脚(5)和外接引脚并联结构(6),其特征在于,所述芯片(2)安装在所述封装体(1)内,所述引脚组(3)与所述芯片(2)电性连接并贯穿所述封装体(1)暴露在外,所述外接套(4)的内径面与所述封装体(1)的外径面相配合,所述外接套(4)可滑动套设在所述封装体(1)外径面上,所述外接引脚(5)固定安装在所述外接套(4)的两侧壁面并通过外接引脚并联结构(6)与所述引脚组(3)电性连接。2.根据权利要求1所述的一种mos管的双排引脚结构,其特征在于,所述封装体(1)包括:芯片安装槽(11)、引脚组安装槽(12)和滑动嵌合檐(13),所述芯片安装槽(11)与所述芯片(2)相配合,所述芯片(2)可嵌合安装在所述芯片安装槽(11)内,所述引脚组安装槽(12)开设在所述芯片安装槽(11)底部,所述引脚组安装槽(12)与所述引脚组(3)相配合,所述引脚组(3)可嵌合安装在所述引脚组安装槽(12)内,所述滑动嵌合檐(13)固定安装在所述封装体(1)的两侧壁面。3.根据权利要求2所述的一种mos管的双排引脚结构,其特征在于,所述引脚组(3)包括:源极引脚(31)、漏极引脚(32)和栅极引脚(33),所述源极引脚(31)、漏极引脚(32)和栅极引脚(33)分别嵌合在所述引脚组安装槽(12)内并与所述芯片(2)电性连接。4.根据权利要求3所述的一种mos管的双排引脚结构,其特征在于,所述外接套(4)包括:源极引脚嵌合导套(41)、漏极引脚嵌合导套(42)、栅极引脚嵌合导套(43)和滑动嵌合槽(44),所述源极引脚嵌合导套(41)与所述源极引脚(31)相配合,所述漏极引脚嵌合导套(42)与所述漏极引脚(32)相配合,所述栅极引脚嵌合导套(43)与所述栅极引脚(33)相配合,所述源极引脚嵌合导套(41)、漏极引脚嵌合导套(42)、栅极引脚嵌合导套(43)并排安装在所述外接套(4)内径面底部,所述滑动嵌合槽(44)固定安装在所述外接套(4)内径面两侧壁上并与所述滑动嵌合檐(13)相配合。5.根据权利要求4所述的一种mos管的双排引脚结构,其特征在于,所述外接引脚(5)包括:源极引脚组(51)、漏极引脚组(52)和栅极引脚组(53),所述源极引脚组(51)、漏极引脚组(52)和栅极引脚组(53)分别并排安装在所述外接套(4)的两侧壁面并且通过外接引脚并联结构(6)与所述源极引脚(31)、漏极引脚(32)和栅极引脚(33)电性连接。6.根据权利要求5所述的一种mos管的双排引脚结构,其特征在于,所述外接引脚并联结构(6)包括:源极电连芯(61)、漏极电连芯(62)和栅极电连芯(63),所述源极电连芯(61)固定安装在所述源极引脚嵌合导套(41)底部面,所述漏极电连芯(62)固定安装在所述漏极引脚嵌合导套(42)底部面,所述栅极电连芯(63)固定安装在所述栅极引脚嵌合导套(43)底部面,所述源极电连芯(61)、漏极电连芯(62)和栅极电连芯(63)分别与所述源极引脚组(51)、漏极引脚组(52)和栅极引脚组(53)电性连接。
技术总结
本实用新型涉及MOS晶体管技术领域,具体涉及一种MOS管的双排引脚结构,包括:封装体、芯片、引脚组、外接套、外接引脚和外接引脚并联结构,芯片安装在封装体内,引脚组与芯片电性连接并贯穿封装体暴露在外,外接套的内径面与封装体的外径面相配合,外接套可滑动套设在封装体外径面上,外接引脚固定安装在外接套的两侧壁面并通过外接引脚并联结构与引脚组电性连接。通过在直列式MOS管的引脚部套设外接套,在外接套的两侧壁面分别设置有外接引脚,根据电路需要选择性地将外接引脚的源极、漏极和栅极布置在外接套两侧壁面并且焊接在电路板上,从而形成双排引脚的效果,无需折弯引脚即可将直列式MOS管转换为焊接式MOS管。直列式MOS管转换为焊接式MOS管。直列式MOS管转换为焊接式MOS管。
技术研发人员:吴球
受保护的技术使用者:互创(东莞)电子科技有限公司
技术研发日:2022.08.19
技术公布日:2023/2/9
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