本发明涉及精密机械加工技术领域，具体为一种精密半导体零件加工工艺。
背景技术：
目前有一类外形不规则的精密零件，如附图5所示，此零件为圆弧形状的零件。圆弧形的零件无法适用通用夹持工具，传统的加工工艺一般是现用数控车床加工一个整圆环，保证内外径及高度，再由数控铣床将圆环分割成三个，将其加工至图纸要求的形状尺寸。但是当数控铣床将产品分割成三个配件后，产品径向部分的尺寸受到直径方向应力变化的影响，导致圆上孔位置超出公差，无法满足图面要求，另外整圆加工材料利用率低，成本高，数控铣床切开后会导致产品变形,产品良率低。因此需要开发一种既能够满足产品精度要求，又能够保证产品良率稳定的新工艺。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种精密半导体零件加工工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种精密半导体零件加工工艺，具体包括如下步骤：
s1、挑选合适的备料，使用锯床加工成合适大小，得到毛坯料；
s2、将毛坯料送入cnc数控加工中心，使用虎钳夹持毛坯料，在毛坯料顶端粗加工出工艺站脚；
s3、翻转毛坯料，使工艺站脚位于毛坯料底端，使用虎钳夹持工艺站脚；
s4、对毛坯料进行粗加工，得到半成品圆弧板；
s5、对工件进行热处理，消除应力；
s6、使用定位销与螺栓将工艺站脚固定在专用辅助治具上，此时半成品圆弧板处于自然状态，将工件送入cnc数控加工中心，一体成型工件外形及特征工位，得到产品零件；
s7、将产品零件装夹在专用辅助治具上，去除工艺站脚；
s8、对零件进行精加工，得到成品。
优选的，所述步骤s4中在粗加工半成品圆弧板时，需要预留1.5mm的余量。
优选的，所述零件的顶端及侧面边缘处均做圆角处理，所述零件的上端面开设有若干凹槽，所述凹槽内部钻有安装孔。
优选的，所述工艺站脚的表面开设有若干通槽，所述工艺站脚表面开设有与定位销相对应的定位孔，以及与螺栓相对应的螺纹孔。
优选的，所述步骤s8中零件在精加工后，需要喷涂保护涂层，具体包括如下步骤：
a、将零件送入超声波清洗机中，清洗，烘干；
b、加热零件；
c、在零件表面均匀喷涂保护涂层；
d、将零件送入烘箱烘干。
优选的，所述保护涂层按照重量份数计包括如下组分：20-40份的聚醚改性环氧树脂、1-5份的钛白粉、1-3份的纳米二氧化硅、1-3份的纳米二氧化钛、5-7份的锆英粉、1-5份的硅藻土、10-20份的聚醋酸聚乙烯、10-20份的聚乙烯醇、20-40份的乙醇、50-90份的水。
优选的，所述步骤b中的零件加热后表面温度为40-60℃，所述步骤d中的烘干温度为70-80℃，烘干时间为10-20min。
优选的，所述步骤s8中的精加工具体包括车圆角、磨削、抛光。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过在工艺站脚表面设置通槽,让产品在粗加工及热处理时充分释放应力，精加工时在产品零件不受夹持外力的约束下加工成型，保证工件表面良好。工艺站脚上巧妙设计定位销重复定位，可以确保工件不错位，批量生产时不用再架机对刀，节省时间,提升效率。本发明具备加工简单，投入成本低，避免重复定位，材料费用低,良率稳定，生产效率高，适用于批量加工等特点。
附图说明
图1为一种精密半导体零件加工工艺中毛坯料的结构示意图；
图2为一种精密半导体零件加工工艺中工艺站脚的结构示意图；
图3为一种精密半导体零件加工工艺中半成品圆弧板的结构示意图；
图4为一种精密半导体零件加工工艺中带有工艺站脚的零件的结构示意图；
图5为一种精密半导体零件的结构示意图。
图中：1-零件，2-凹槽，3-安装孔，4-毛坯料，5-工艺站脚，6-通槽，7-定位孔，8-螺纹孔，9-半成品圆弧板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
请参阅图1～5，本发明提供一种技术方案：一种精密半导体零件加工工艺，具体包括如下步骤：
s1、挑选合适的备料，使用锯床加工成合适大小，得到毛坯料4；
s2、将毛坯料4送入cnc数控加工中心，使用虎钳夹持毛坯料4，在毛坯料4顶端粗加工出工艺站脚5；
s3、翻转毛坯料4，使工艺站脚5位于毛坯料4底端，使用虎钳夹持工艺站脚5；
s4、对毛坯料4进行粗加工，得到半成品圆弧板9；
s5、对工件进行热处理，消除应力；
s6、使用定位销与螺栓将工艺站脚5固定在专用辅助治具上，此时半成品圆弧板9处于自然状态，将工件送入cnc数控加工中心，一体成型工件外形及特征工位，得到产品零件1；
s7、将产品零件1装夹在专用辅助治具上，去除工艺站脚5；
s8、对零件1进行精加工，得到成品。
所述步骤s4中在粗加工半成品圆弧板9时，需要预留1.5mm的余量。
所述零件1的顶端及侧面边缘处均做圆角处理，所述零件1的上端面开设有若干凹槽2，所述凹槽2内部钻有安装孔3。
所述工艺站脚5的表面开设有若干通槽6，所述工艺站脚5表面开设有与定位销相对应的定位孔7，以及与螺栓相对应的螺纹孔8。
所述步骤s8中零件1在精加工后，需要喷涂保护涂层，具体包括如下步骤：
a、将零件1送入超声波清洗机中，清洗，烘干；
b、加热零件1；
c、在零件1表面均匀喷涂保护涂层；
d、将零件1送入烘箱烘干。
所述保护涂层按照重量份数计包括如下组分：20份的聚醚改性环氧树脂、1份的钛白粉、1份的纳米二氧化硅、1份的纳米二氧化钛、5份的锆英粉、1份的硅藻土、10份的聚醋酸聚乙烯、10份的聚乙烯醇、20份的乙醇、50份的水。
所述步骤b中的零件1加热后表面温度为40℃，所述步骤d中的烘干温度为70℃，烘干时间为20min。
所述步骤s8中的精加工具体包括车圆角、磨削、抛光。
实施例二
与实施例一的区别在于：所述保护涂层按照重量份数计包括如下组分：30份的聚醚改性环氧树脂、3份的钛白粉、2份的纳米二氧化硅、2份的纳米二氧化钛、6份的锆英粉、3份的硅藻土、15份的聚醋酸聚乙烯、15份的聚乙烯醇、30份的乙醇、70份的水；所述步骤b中的零件1加热后表面温度为50℃，所述步骤d中的烘干温度为75℃，烘干时间为15min。
实施例三
与实施例一的区别在于：所述保护涂层按照重量份数计包括如下组分：40份的聚醚改性环氧树脂、5份的钛白粉、3份的纳米二氧化硅、3份的纳米二氧化钛、7份的锆英粉、5份的硅藻土、20份的聚醋酸聚乙烯、20份的聚乙烯醇、40份的乙醇、90份的水；所述步骤b中的零件1加热后表面温度为60℃，所述步骤d中的烘干温度为80℃，烘干时间为10min。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
1.一种精密半导体零件加工工艺，其特征在于：具体包括如下步骤：
s1、挑选合适的备料，使用锯床加工成合适大小，得到毛坯料(4)；
s2、将毛坯料(4)送入cnc数控加工中心，使用虎钳夹持毛坯料(4)，在毛坯料(4)顶端粗加工出工艺站脚(5)；
s3、翻转毛坯料(4)，使工艺站脚(5)位于毛坯料(4)底端，使用虎钳夹持工艺站脚(5)；
s4、对毛坯料(4)进行粗加工，得到半成品圆弧板(9)；
s5、对工件进行热处理，消除应力；
s6、使用定位销与螺栓将工艺站脚(5)固定在专用辅助治具上，此时半成品圆弧板(9)处于自然状态，将工件送入cnc数控加工中心，一体成型工件外形及特征工位，得到产品零件(1)；
s7、将产品零件(1)装夹在专用辅助治具上，去除工艺站脚(5)；
s8、对零件(1)进行精加工，得到成品。
2.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺，其特征在于：所述步骤s4中在粗加工半成品圆弧板(9)时，需要预留1.5mm的余量。
3.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺，其特征在于：所述零件(1)的顶端及侧面边缘处均做圆角处理，所述零件(1)的上端面开设有若干凹槽(2)，所述凹槽(2)内部钻有安装孔(3)。
4.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺，其特征在于：所述工艺站脚(5)的表面开设有若干通槽(6)，所述工艺站脚(5)表面开设有与定位销相对应的定位孔(7)，以及与螺栓相对应的螺纹孔(8)。
5.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺，其特征在于：所述步骤s8中零件(1)在精加工后，需要喷涂保护涂层，具体包括如下步骤：
a、将零件(1)送入超声波清洗机中，清洗，烘干；
b、加热零件(1)；
c、在零件(1)表面均匀喷涂保护涂层；
d、将零件(1)送入烘箱烘干。
6.根据权利要求5所述的一种精密半导体零件加工工艺，其特征在于：所述保护涂层按照重量份数计包括如下组分：20-40份的聚醚改性环氧树脂、1-5份的钛白粉、1-3份的纳米二氧化硅、1-3份的纳米二氧化钛、5-7份的锆英粉、1-5份的硅藻土、10-20份的聚醋酸聚乙烯、10-20份的聚乙烯醇、20-40份的乙醇、50-90份的水。
7.根据权利要求5所述的一种精密半导体零件加工工艺，其特征在于：所述步骤b中的零件(1)加热后表面温度为40-60℃，所述步骤d中的烘干温度为70-80℃，烘干时间为10-20min。
8.根据权利要求1所述的一种精密半导体零件加工工艺，其特征在于：所述步骤s8中的精加工具体包括车圆角、磨削、抛光。
技术总结