一种具有电磁屏蔽性能的装饰膜的制作方法

1.本实用新型涉及一种具有电磁屏蔽性能的装饰膜，涉及装饰膜技术领域。


背景技术：

2.装饰膜，可广泛应用于建筑装饰、家电面板、电子通讯、汽车等领域。随着电器设备的增多，电磁波引起的电磁干扰(emi)与电磁兼容(emc)问题日益严重，现有技术的施工作业中，电磁屏蔽材料和装饰层材料通常独立分开进行制备，后续再整合到设备中使用，一方面工序复杂，另外一方面由于装饰层材料和电磁屏蔽材料都需要依托支撑材料或黏着层，造成材料的重复使用。


技术实现要素：

3.本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术存在的缺陷，提供一种具有电磁屏蔽性能的装饰膜，将电磁屏蔽与装饰性进行整合，减少后续作业工序，避免材料的重复使用及浪费。
4.为解决这一技术问题，本实用新型提供了一种具有电磁屏蔽性能的装饰膜，包括基材、电磁屏蔽层、微结构层、结构色层和保护层，所述基材的一面依次设置有电磁屏蔽层、微结构层和结构色层，在结构色层外侧设置保护层；所述电磁屏蔽层由导电层和导磁层复合组成，所述导电层和导磁层的位置可以互换，结构色层由吸光层和干涉层组成。
5.所述基材为pet膜、玻璃或pi膜，在基材的一个外表面上真空沉积透明导电氧化物、铜、银、铬、不锈钢及其合金层中的至少一种，形成导电层，真空沉积坡莫合金、铁、镍、镍铬合金、硅钢中的至少一种，形成导磁层。
6.所述镍铬合金、铬的层厚度为5～20nm之间。
7.电磁屏蔽层上涂布uv涂层，通过压印及光固化的方式形成微结构层。
8.所述的微结构层设有垂直于基材表面方向上的凹凸结构，各凹凸结构的深度相同或不同，凹凸结构为规则的或不规则的几何纹理。
9.所述微结构层上真空沉积有氮氧化铬或铬金属，形成吸光层，真空沉积有氧化钛或氧化锆或氧化硅，形成干涉层。
10.所述保护层为具有疏水易清洁功能的ptfe膜层、pvc膜或pet膜。
11.所述吸光层为在可见光波段具有光吸收的材料构成。
12.所述干涉层为透明介质层，所述透明介质层为高折射率介质单层膜结构、低折射率介质+高折射率介质的两层膜结构、高折射率介质+低折射率介质+高折射介质的三层膜结构中的一种。
13.所述基材远离电磁屏蔽层的一侧设有粘结层，以实现该装饰膜材料与其它物品的贴合。
14.有益效果：本实用新型可同时实现装饰、电磁屏蔽、易清洁等功能，通过将电磁屏蔽与装饰性进行一体整合，一方面可减少后续使用过程中的作业工序，另一方面避免了材
料的重复使用及浪费，节约了资源，并同时降低设备的重量，有利于设备的轻型化。
附图说明
15.图1为本实用新型的结构示意图。
16.图中：1、基材；2、电磁屏蔽层；3、微结构层；4、结构色层；5、保护层；6、导电层；7、导磁层；8、吸光层；9、干涉层；10、粘结层。
具体实施方式
17.下面结合附图及实施例对本实用新型做具体描述。
18.如图1所示，本实用新型提供了一种具有电磁屏蔽性能的装饰膜，包括基材1、电磁屏蔽层2、微结构层3、结构色层4和保护层5，所述基材1的一面依次设置有电磁屏蔽层2、微结构层3和结构色层4，在结构色层4外侧设置保护层5；所述电磁屏蔽层2由导电层6和导磁层7复合组成，所述导电层6和导磁层7的位置可以互换，结构色层4由吸光层8和干涉层9组成；调整电磁屏蔽层2和结构色层4的膜层厚度，可成透光型或不透光型的电磁屏蔽装饰膜材料。
19.所述基材1为pet膜、玻璃或pi膜，在基材1的一个外表面上真空沉积透明导电的氧化物、铜、银、铬、不锈钢及其合金层中的至少一种，形成导电层6，真空沉积坡莫合金、铁、镍、镍铬合金、硅钢中的至少一种，形成导磁层7。
20.调整所述镍铬合金、铬的层厚度为5～20nm之间，可使装饰膜材料具有透光性。
21.电磁屏蔽层2上涂布uv涂层，通过压印及光固化的方式形成微结构层3。
22.所述的微结构层3设有垂直于基材1表面方向上的凹凸结构，各凹凸结构的深度相同或不同，凹凸结构为规则的或不规则的几何纹理。
23.所述微结构层3上真空沉积有氮氧化铬或铬金属，形成吸光层8，真空沉积有氧化钛或氧化锆或氧化硅，形成干涉层9。
24.所述保护层5为具有疏水易清洁功能的ptfe膜层、pvc膜或pet膜。
25.所述吸光层8为在可见光波段具有光吸收的材料构成，材质为铬、钛、铜、铁、铝等金属、或其合金、氧化物、氮化物、氮氧化物中的至少一种。
26.所述干涉层9为透明介质层，所述透明介质层为高折射率介质单层膜结构、低折射率介质+高折射率介质的两层膜结构、高折射率介质+低折射率介质+高折射介质的三层膜结构中的一种，材质为硅、钛、铌、锆、锌、铝的金属氧化物或氮化物中的至少一种。
27.所述基材1远离电磁屏蔽层2的一侧设有粘结层10，以实现该装饰膜材料与其它物品的贴合。
28.实施例1：基材1选用pet膜，在pet膜的一个外表面上通过真空沉积的方式依次沉积金属铜层、硅钢层分别作为导电层和导磁层，在导磁层上涂布uv涂层，通过压印及光固化的方式形成微结构层，在微结构层上通过真空沉积的方式依次制备氮氧化铬吸光层、氧化钛干涉层、ptfe疏水易清洁保护层。依据需要选择是否在pet膜的另一个表面涂布粘结层。
29.实施例2：基材1选用玻璃，在玻璃的一个外表面上通过真空沉积的方式依次沉积ito层、镍铬合金层分别作为导电层和导磁层，在导磁层上涂布uv涂层，通过压印及光固化的方式形成微结构层，在微结构层上通过真空沉积的方式依次制备铬金属吸光层、氧化锆/
氧化硅/氧化锆干涉层、ptfe疏水易清洁保护层。其中镍铬合金层、铬层厚度控制在5～20nm之间，可使装饰膜材料具有透光性。
30.实施例3：基材1为覆有导电铜箔的pi膜，在导电铜箔上通过真空沉积的方式制备坡莫合金导磁层，在导磁层上涂布uv涂层，通过压印及光固化的方式形成微结构层，在微结构层上通过真空沉积的方式依次制备氮氧化铬吸光层、氧化硅/氧化钛干涉层，通过覆膜的方式压合涂有易清洁涂层的pvc保护层；本实施例采用覆导电铜箔的pi膜，其中的导电铜箔即为导电层。
31.本实用新型可同时实现装饰、电磁屏蔽、易清洁等功能。电磁屏蔽层采用导电层/导磁层的复合结构，既可屏蔽电场波又可屏蔽磁场波；通过控制结构色层中干涉层的厚度，可实现装饰膜颜色色调的调整；结构色层中加入吸光层，通过对特定波长的吸收，可提升装饰膜材料颜色的纯度；在结构色膜层厚度一定的条件下，从不同角度观察可呈现不同的颜色；微结构层结合结构色层，可实现从同一角度观察时不同区域颜色各异的装饰效果以及随角异色的效果；根据需要，可通过调整电磁屏蔽层、结构色层的膜层厚度，设计成透光型、不透光型的电磁屏蔽装饰膜材料。
32.本实用新型上述实施方案，只是举例说明，不是仅有的，所有在本实用新型范围内或等同本实用新型的范围内的改变均被本实用新型包围。


技术特征：
1.一种具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：包括基材(1)、电磁屏蔽层(2)、微结构层(3)、结构色层(4)和保护层(5)，所述基材(1)的一面依次设置有电磁屏蔽层(2)、微结构层(3)和结构色层(4)，在结构色层(4)外侧设置保护层(5)；所述电磁屏蔽层(2)由导电层(6)和导磁层(7)复合组成，所述导电层(6)和导磁层(7)的位置可以互换，结构色层(4)由吸光层(8)和干涉层(9)组成。2.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：所述基材(1)为pet膜、玻璃或pi膜，在基材(1)的一个外表面上真空沉积透明导电氧化物、铜、银、铬或不锈钢中的一种，形成导电层(6)，真空沉积坡莫合金、铁、镍、镍铬合金或硅钢中的一种，形成导磁层(7)。3.根据权利要求2所述的具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：所述镍铬合金、铬的层厚度为5～20nm之间。4.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：电磁屏蔽层(2)上涂布uv涂层，通过压印及光固化的方式形成微结构层(3)。5.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：所述的微结构层(3)设有垂直于基材(1)表面方向上的凹凸结构，各凹凸结构的深度相同或不同，凹凸结构为规则的或不规则的几何纹理。6.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：所述微结构层(3)上真空沉积有氮氧化铬或铬金属，形成吸光层(8)，真空沉积有氧化钛或氧化锆或氧化硅，形成干涉层(9)。7.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：所述保护层(5)为具有疏水易清洁功能的ptfe膜层、pvc膜或pet膜。8.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：所述吸光层(8)为在可见光波段具有光吸收的材料构成。9.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：所述干涉层(9)为透明介质层，所述透明介质层为高折射率介质单层膜结构、低折射率介质+高折射率介质的两层膜结构、高折射率介质+低折射率介质+高折射介质的三层膜结构中的一种。10.根据权利要求1-9任一项所述的具有电磁屏蔽性能的装饰膜，其特征在于：所述基材(1)远离电磁屏蔽层(2)的一侧设有粘结层(10)，以实现该装饰膜材料与其它物品的贴合。

技术总结
本实用新型公开了一种具有电磁屏蔽性能的装饰膜，包括基材、电磁屏蔽层、微结构层、结构色层和保护层，所述基材的一面依次设置有电磁屏蔽层、微结构层和结构色层，在结构色层外侧设置保护层；所述电磁屏蔽层由导电层和导磁层复合组成，所述导电层和导磁层的位置可以互换，结构色层由吸光层和干涉层组成。本实用新型可同时实现装饰、电磁屏蔽、易清洁等功能，通过将电磁屏蔽与装饰性进行一体整合，一方面可减少后续使用过程中的作业工序，另一方面避免了材料的重复使用及浪费，节约了资源，并同时降低设备的重量，有利于设备的轻型化。有利于设备的轻型化。有利于设备的轻型化。


技术研发人员：李爱丽 于春锋 张谦 彭岫麟 孙如忠 刘玉蛟 迟晓燕
受保护的技术使用者：山东三齐能源有限公司
技术研发日：2022.09.15
技术公布日：2023/2/9