本发明涉及半导体集成电路制造设备清洗技术，尤其涉及一种化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置。
背景技术：
化学机械研磨(chemicalmetalplanarization，简称cmp)是半导体集成电路制造过程中的常用工艺。化学机械研磨法(cmp)是一个复杂的工艺过程，它是通过晶片和研磨垫之间的相对运动平坦化晶片表面的，其所用设备常称为研磨机或抛光机。研磨时，将要研磨的晶片的待研磨面向下附着在研磨垫上，晶片的待研磨面接触相对旋转的研磨垫，研磨头提供的下压力将晶片紧压到研磨垫上，当表面贴有研磨垫在电机的带动下旋转时，研磨头也进行相对转动。同时，研磨液通过研磨液供应管(tube)输送到研磨垫上，并通过离心力均匀地分布在研磨垫上，该研磨液中的化学成分与被研磨晶片发生化学反应，将不溶物质转化为易溶物质(化学反应过程)，然后通过机械摩擦将这些易溶物从被抛光片表面去掉，实现结合机械作用和化学反应将晶片的表面材料去除，达到全局平坦化效果。
晶圆研磨过程会产生研磨颗粒等副产物残留在研磨垫的表面及沟槽内，如果不及时的清理，会造成晶圆的刮伤，严重时会造成产品的报废。在晶圆研磨之后，需要通过清洁刷对研磨垫进行清洗，现有技术中利用高压水流对研磨垫进行清洗，冲洗掉研磨过程中可能产生的杂质颗粒，防止在后续的研磨过程中对晶圆造成刮伤。
技术实现要素：
本发明在于提供一种化学机械研磨装置，包括：研磨垫，粘贴在研磨盘上；研磨头，保持将要研磨的晶片，并向将要研磨的晶片提供下压力将晶片的待研磨面向下附着在研磨垫上；以及清洗装置，置于研磨垫上，用于在研磨作业过程中刮平研磨垫的表面并去除研磨垫上的杂质，其中清洗装置包括第一清理盘和第二清理盘，第一清理盘和第二清理盘并列设置在清洗装置的清洗杆上，第一清理盘的表面包括多个砖石，第二清理盘的表面包括蓝毛刷。
更进一步的，第一清理盘和第二清理盘的旋转方向一致，并与研磨垫的旋转方向相反。
更进一步的，第一清理盘和第二清理盘的旋转方向相反。
更进一步的，第一清理盘和第二清理盘沿清洗杆的长度方向并列设置。
更进一步的，第一清理盘相对于第二清理盘更靠近清洗杆的端部。
更进一步的，蓝毛刷均匀的设置在第二清理盘的表面。
本发明还提供一种化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置，包括：第一清理盘和第二清理盘，第一清理盘和第二清理盘并列设置在一清洗杆上，第一清理盘的表面包括多个砖石，第二清理盘的表面包括蓝毛刷，第一清理盘和第二清理盘置于研磨垫上，用于在研磨作业过程中刮平研磨垫的表面并去除研磨垫上的杂质。
更进一步的，第一清理盘和第二清理盘沿清洗杆的长度方向并列设置。
更进一步的，第一清理盘相对于第二清理盘更靠近清洗杆的端部。
更进一步的，蓝毛刷均匀的设置在第二清理盘的表面。
附图说明
图1为本发明一实施例的化学机械研磨装置示意图。
图2为本发明一实施例的第二清理盘的表面示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大，自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
本发明一实施例中，提出一种化学机械研磨装置，请参阅图1所示的本发明一实施例的化学机械研磨装置示意图，如图1所示，化学机械研磨装置，包括：研磨垫11，粘贴在研磨盘10上；研磨头20，保持将要研磨的晶片30，并向将要研磨的晶片30提供下压力将晶片30的待研磨面向下附着在研磨垫11上；清洗装置40，置于研磨垫11上，用于在研磨作业过程中刮平研磨垫11的表面并去除研磨垫11上的杂质，其中清洗装置40包括第一清理盘41和第二清理盘42，第一清理盘41和第二清理盘43并列设置在清洗装置40的清洗杆43上，第一清理盘41的表面包括多个砖石，第二清理盘42的表面包括蓝毛刷。
在一实施例中，研磨垫11平整地粘贴在研磨盘10上。
在一实施例中，第一清理盘41和第二清理盘42的旋转方向一致，并进一步的与研磨垫11旋转方向相反。在一实施例中，第一清理盘41和第二清理盘42的旋转方向相反。
在一实施例中，第一清理盘41和第二清理盘42的运动范围大于晶片的直径且不超过研磨垫11的半径，保证晶片在第一清理盘41和第二清理盘42清理研磨垫11的范围之内。
在本发明一实施例中，如图1所示，第一清理盘41和第二清理盘42沿清洗杆43的长度方向并列设置。并更进一步的，第一清理盘41相对于第二清理盘42更靠近清洗杆43的端部。
在本发明一实施例中，蓝毛刷均匀的设置在第二清理盘42的表面。具体的可参阅图2所示的第二清理盘42的表面示意图。
通过第一清理盘41和第二清理盘42共同清洗研磨垫11，并设置位于第一清理盘41和第二清理盘42表面的清洗用部件不同，如第一清理盘41的表面的清洗用部件为砖石，第二清理盘42的表面的清洗用部件为蓝毛刷，如此可清洗研磨垫上的不同类型或不同颗粒大小的副产物。
在一实施中，还提供一种化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置，请继续参阅图1，包括：第一清理盘41和第二清理盘42，第一清理盘41和第二清理盘43并列设置在一清洗杆43上，第一清理盘41的表面包括多个砖石，第二清理盘42的表面包括蓝毛刷，第一清理盘41和第二清理盘42置于研磨垫11上，用于在研磨作业过程中刮平研磨垫11的表面并去除研磨垫11上的杂质。
在一实施例中，第一清理盘41和第二清理盘42的旋转方向一致。在一实施例中，第一清理盘41和第二清理盘42的旋转方向相反。
在本发明一实施例中，第一清理盘41和第二清理盘42沿清洗杆43的长度方向并列设置。并更进一步的，第一清理盘41相对于第二清理盘42更靠近清洗杆43的端部。
在本发明一实施例中，蓝毛刷均匀的设置在第二清理盘42的表面。具体的可参阅图2所示的第二清理盘42的表面示意图。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
1.一种化学机械研磨装置，其特征在于，包括：
研磨垫，粘贴在研磨盘上；
研磨头，保持将要研磨的晶片，并向将要研磨的晶片提供下压力将晶片的待研磨面向下附着在研磨垫上；以及
清洗装置，置于研磨垫上，用于在研磨作业过程中刮平研磨垫的表面并去除研磨垫上的杂质，其中清洗装置包括第一清理盘和第二清理盘，第一清理盘和第二清理盘并列设置在清洗装置的清洗杆上，第一清理盘的表面包括多个砖石，第二清理盘的表面包括蓝毛刷。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，第一清理盘和第二清理盘的旋转方向一致，并与研磨垫的旋转方向相反。
3.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，第一清理盘和第二清理盘的旋转方向相反。
4.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，第一清理盘和第二清理盘沿清洗杆的长度方向并列设置。
5.根据权利要求4所述的化学机械研磨装置，其特征在于，第一清理盘相对于第二清理盘更靠近清洗杆的端部。
6.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，蓝毛刷均匀的设置在第二清理盘的表面。
7.一种化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置，其特征在于，包括：
第一清理盘和第二清理盘，第一清理盘和第二清理盘并列设置在一清洗杆上，第一清理盘的表面包括多个砖石，第二清理盘的表面包括蓝毛刷，第一清理盘和第二清理盘置于研磨垫上，用于在研磨作业过程中刮平研磨垫的表面并去除研磨垫上的杂质。
8.根据权利要求7所述的化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置，其特征在于，第一清理盘和第二清理盘沿清洗杆的长度方向并列设置。
9.根据权利要求7所述的化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置，其特征在于，第一清理盘相对于第二清理盘更靠近清洗杆的端部。
10.根据权利要求7所述的化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置，其特征在于，蓝毛刷均匀的设置在第二清理盘的表面。
技术总结