本发明涉及通过结合材料而固定磨粒的切削刀具、该切削刀具的制造方法以及利用该切削刀具对设置于晶片的一个面侧的绝缘膜进行切削的晶片的切削方法。
背景技术：
已知有将晶片沿着各分割预定线进行分割的方法，该晶片在由设置于正面侧的多条分割预定线划分的各区域内形成有ic(integratedcircuit，集成电路)、lsi(largescaleintegration，大规模集成)等器件。
在晶片的正面侧形成有绝缘膜与金属层交替层叠的多层布线层。为了提高ic、lsi等电路的处理能力，有时绝缘膜由低介电常数绝缘体材料(即low-k材料)形成。作为low-k材料，使用sio2、siof、siob等无机物系材料、聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等有机物系材料。
在由low-k材料构成的绝缘膜(即low-k膜)层叠于多层布线层中的情况下，存在如下的问题：当利用切削刀具沿着分割预定线对多层布线层进行切削时，在low-k膜上产生裂纹或碎裂，low-k膜从晶片剥离。
因此，通常沿着分割预定线对晶片的正面侧照射激光束，从而形成多层布线层被部分地去除的激光加工槽(例如参照专利文献1、2)。并且，在形成了激光加工槽之后，使用切削刀具或激光束对激光加工槽的底部进行切削，从而将晶片切断而制造多个器件芯片。
专利文献1：日本特开2004-188475号公报
专利文献2：日本特开2005-64230号公报
但是，激光加工装置是昂贵的，因此如果能够不使用激光束而沿着分割预定线将多层布线层去除，则能够降低晶片的分割所需的成本。因此，期望一种切削刀具，其能够抑制切削时容易剥离的low-k膜等绝缘膜发生剥离，并且能够切削该绝缘膜。
技术实现要素：
本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供切削刀具，其能够抑制切削时容易剥离的绝缘膜发生剥离，并且能够切削该绝缘膜。
根据本发明的一个方式，提供切削刀具，其具有结合材料和磨粒，其中，该切削刀具通过该结合材料而固定该磨粒，该结合材料的至少一部分为玻璃状碳。
优选该切削刀具的该磨粒的平均粒径为12μm以下。
根据本发明的另一方式，提供切削刀具的制造方法，该切削刀具通过结合材料而固定磨粒，其特征在于，该切削刀具的制造方法具有如下的工序：成型工序，由混合物形成规定的形状的成型体，该混合物具有热硬化树脂和该磨粒；烧结工序，按照100℃以上且300℃以下的温度对该成型体进行烧结而形成烧结体；以及热处理工序，在惰性气体气氛下或真空气氛下按照500℃以上且1500℃以下的温度对该烧结体进行热处理，通过该热处理工序，该热硬化树脂的至少一部分成为玻璃状碳的该结合材料。
根据本发明的又一方式，提供晶片的切削方法，对设置于晶片的正面侧的绝缘膜进行切削，该晶片在由呈格子状设定的分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件，其中，该晶片的切削方法具有如下的工序：保持工序，利用卡盘工作台对该晶片的位于与该正面相反的一侧的背面侧进行吸引而保持，从而在使该正面侧露出的状态下对该晶片进行保持；以及切削工序，使用切削刀具沿着该分割预定线切削位于该正面侧的该绝缘膜，该切削刀具通过结合材料而固定磨粒，该结合材料的至少一部分为玻璃状碳。
优选在该切削工序中，使用磨粒的平均粒径为12μm以下的该切削刀具对该绝缘膜进行切削。
在本发明的一个方式的切削刀具中，通过至少一部分为玻璃状碳的结合材料而固定磨粒。在结合材料中包含玻璃状碳的切削刀具的硬度比通常的树脂结合剂刀具的硬度高，因此能够使刃厚比通常的树脂结合剂刀具薄。因此，能够实现比通常的树脂结合剂刀具窄的切口宽度。
另外，尽管在结合材料中包含玻璃状碳的切削刀具比较硬，但具有较脆的性质，因此与电铸结合剂刀具或金属结合剂刀具相比容易产生自发磨锐。因此，与利用电铸结合剂刀具或金属结合剂刀具进行切削的情况相比，不容易给容易剥离的绝缘膜带来冲击，因此不容易在该绝缘膜上产生碎裂或裂纹。因此，能够抑制切削时容易剥离的绝缘膜发生剥离。
附图说明
图1是切削刀具的立体图。
图2是示出切削刀具的制造方法的流程图。
图3是示出混配工序的示意图。
图4的(a)是在成型工序中使用的模具的分解立体图，图4的(b)是要被提供混合物的模具的立体图。
图5的(a)是示出已提供至模具的混合物的剖视图，图5的(b)是示出将已提供至模具的混合物平整的情况的剖视图，图5的(c)是示出将上冲模的贯通孔向中冲模插入的情况的剖视图，图5的(d)是示出将混合物成型而形成成型体的情况的剖视图。
图6的(a)是晶片单元的立体图，图6的(b)是晶片等的剖视图。
图7的(a)是切削工序中的晶片单元等的立体图，图7的(b)是切削工序中的晶片的剖视图。
图8是示出切削方法的流程图。
标号说明
3：混合物；5：成型体；11：晶片；11a：正面；11b：背面；13：分割预定线；13a：切削槽；15：器件；17：划片带；19：框架；21：晶片单元；23：基板；25：多层布线层；2：切削刀具；2a：磨粒；2b：结合材料；2c：热硬化树脂；4：贯通孔；6：搅拌机；8：壳体；8a：开口；8b：底面；10：轴部；10a：旋转轴；12：模具；14：底板；16：外筒；16a、18a、22a：贯通孔；18：下冲模；18b：上表面；20：中冲模；22：上冲模；22b：下表面；24：平整治具；30：切削装置；32：卡盘工作台；34：切削单元；36：主轴壳体；38：前凸缘；40：按压螺母；42：相机单元。
具体实施方式
参照附图，对本发明的一个方式的实施方式进行说明。图1是切削刀具2的立体图。切削刀具2是整体由磨粒2a和结合材料2b构成的垫圈型(也被称为无轮毂型)刀具。
磨粒2a由金刚石形成，但形成磨粒2a的材料不限于金刚石。磨粒2a可以由cbn(cubicboronnitride，立方氮化硼)、白刚玉(wa)、绿碳(gc)等形成。
磨粒2a的粒径非常小，平均粒径为12μm以下。关于平均粒径，例如在利用规定的粒径(即长度)表示一个颗粒的大小的情况下，根据使用该粒径表示的颗粒组的频数分布而确定该平均粒径。粒径的表示方法有几何直径、当量直径等已知的方法。
几何直径有费雷特(feret)径、定向最大径(即krummbein径)、martin径、筛孔径等，当量直径有投影面积圆当量直径(即heywood径)、等表面积球当量直径、等体积球当量直径、斯托克斯直径、光散射直径等。并且，关于颗粒组，在制作以横轴表示粒径(μm)、以纵轴表示频率的频数分布的情况下，例如重量基准分布或体积基准分布的平均直径成为平均粒径。
另外，磨粒2a的粒径也可以不使用平均粒径来确定，而是使用jis(japaneseindustrialstandards，日本工业标准)标准的jisr6001-2所规定的粒度(#)来确定。例如使用由沉降试验方法或电阻试验方法所测量的精密研磨用微粉的粒度分布确定的粒度(#)。
具体而言，作为磨粒2a，使用粒度为#1000以上(即#1000、#1200、#1500、#2000、#2500、#3000等)的微粉。另外，#的右侧所示的数字越大，则频率的累积成为50％时的粒径(即中值直径)d50越小。
在#1000的情况下，利用沉降试验方法测量的粒径d50为14.5μm至16.4μm的范围，利用电阻试验方法测量的粒径d50为10.5μm至12.5μm的范围。另外，#1200以上的粒径d50在沉降试验方法中为14.0μm以下，在电阻试验方法中为10.3μm以下。
多个磨粒2a通过结合材料2b而相互固定。作为结合材料2b的原料，使用酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、三聚氰胺树脂等热硬化树脂。在将热硬化树脂和磨粒2a混配之后，进行烧结，进一步进行热处理，从而形成结合材料2b。热处理后的结合材料2b的一部分或全部由玻璃状碳(glass-likecarbon)形成。
切削刀具2是圆环状的刀具，在一个面的大致中央具有贯通孔4。例如贯通孔4的直径为35mm至45mm，切削刀具2的外径为50mm至90mm。
另外，切削刀具2的内周部的厚度(即从圆环的一个面至位于一个面的相反侧的另一个面的长度)例如为0.1mm至0.3mm。不过，切削刀具2的外周部的厚度比内周部更薄。
例如切削刀具2的外周部为20μm至30μm的厚度。为了使切削刀具2的外周部比内周部薄，例如使用修整板。修整板包含直线状的槽，该槽具有20μm至30μm的横宽和与横宽相比充分长的纵宽。
在使用修整板对切削刀具2的外周部的形状进行修正的情况下，例如在使槽的横宽的中心与切削刀具2的厚度方向的中心一致的状态下，一边使切削刀具2在周向上旋转，一边使切削刀具2切入至修整板的槽。
由此，将切削刀具2的外周部的一个面侧和另一个面侧大致均等地薄化。在按照通过切削刀具2的圆环的中心的方式将切削刀具2切断的情况下的剖面形状中，切削刀具2的外周部成为凸形状。
凸形状的顶部的宽度(即外周部的厚度)为与槽的宽度对应的长度(在本例中为20μm至30μm)。20μm至30μm这样的外周部的刃厚具有与对作为结合材料的树脂等进行烧结而形成的通常的树脂结合剂刀具相比例如为1/10以上且1/5以下的厚度。
在本实施方式的切削刀具2中，结合材料2b的至少一部分使用玻璃状碳，因此切削刀具2的硬度比通常的树脂结合剂刀具高。因此，能够使刃厚比通常的树脂结合剂刀具薄，因此能够实现比通常的树脂结合剂刀具窄的切口宽度。
另外，当结合材料2b的至少一部分使用玻璃状碳时，与电铸结合剂或金属结合剂刀具相比，结合材料2b变脆。因此，在切削刀具2中，容易产生自发磨锐。
因此，与利用电铸结合剂或金属结合剂刀具进行切削的情况相比，切削刀具2不容易给切削时容易剥离的low-k膜等绝缘膜带来冲击。因此，不容易在该绝缘膜上产生碎裂或裂纹，因此能够抑制该绝缘膜的剥离。
另外，即使使结合材料2b的至少一部分为玻璃状碳，在磨粒2a比切削刀具2的刃厚大的情况下，与结合材料2b对被加工物的影响相比，磨粒2a对于被加工物的影响成为主导。
由此，优选使磨粒2a的平均粒径比切削刀具2的外周部的刃厚小。例如在使切削刀具2的外周部为20μm至30μm的刃厚的情况下，使磨粒2a的平均粒径为12μm以下。由此，能够降低磨粒2a对被加工物的影响，因此与磨粒2a的平均粒径为切削刀具2的刃厚以上的情况相比，能够抑制切削时容易剥离的绝缘膜发生剥离。
接着，对切削刀具2的制造方法进行说明。图2是示出切削刀具2的制造方法的流程图。首先将上述磨粒2a与作为结合材料2b的原料的热硬化树脂2c(例如酚醛树脂)混配而形成混合物3(混配工序(s10))。图3是示出混配工序(s10)的示意图。
在混配工序(s10)中，将多个磨粒2a与热硬化树脂2c混合而形成混合物3。另外，热硬化树脂2c是结合材料2b的原料。在混配工序(s10)中，例如使用图3所示的搅拌机6。
搅拌机6例如具有大致圆筒状的壳体8。在壳体8上设置有开口8a。另外，壳体8的底面8b在壳体8的高度方向上存在于与开口8a相反的一侧。
在底面8b上连接有轴部10的一端。另外，在轴部10的另一端连结有使轴部10自转的旋转驱动源(未图示)。当使旋转驱动源进行动作时，壳体8以轴部10作为旋转轴10a而旋转。
旋转轴10a如图3所示那样从铅垂方向(即重力的方向)倾斜规定的角度。通过使旋转轴10a倾斜，从而在使壳体8旋转时有效地进行搅拌，因此将多个磨粒2a与热硬化树脂2c大致均匀地混合。
另外，可以在开口8a设置盖体(未图示)。另外，可以在壳体8的内部设置搅拌棒(未图示)。另外，可以在搅拌棒的前端安装与材料接触的搅拌叶片。
在混配工序(s10)中，将分别按照规定的分量称量的多个磨粒2a和热硬化树脂2c从开口8a提供至壳体8内。
并且，当使旋转驱动源进行动作而使壳体8旋转时，将各材料大致均匀地混合而形成混合物3。在混配工序(s10)之后，使用模具12(参照图4的(a)和图4的(b))，由混合物3形成规定的形状的成型体(成型工序(s20))。
图4的(a)是在成型工序(s20)中使用的模具12的分解立体图，图4的(b)是要被提供混合物3的模具12的立体图。模具12具有圆盘状的底板14。底板14的上表面和下表面具有比所制造的切削刀具2的直径大的直径。
在底板14上设置有外筒16。外筒16是由规定的厚度的侧壁形成的筒体，具有贯通孔16a。外筒16的外径与底板14的外径对应，外筒16的内径与所制造的切削刀具2的外径对应。另外，外筒16的高度比切削刀具2的厚度大。
在底板14上且在外筒16的内侧设置有圆环状的下冲模18。下冲模18的外径与外筒16的内径大致相等，下冲模18的厚度比外筒16的厚度小。下冲模18具有贯通孔18a。
在下冲模18的贯通孔18a中设置有圆柱状的中冲模20。贯通孔18a的直径与中冲模20的直径大致相等。另外，中冲模20具有与外筒16的厚度相同程度的厚度。
在下冲模18的上方设置有圆环状的上冲模22。上冲模22具有贯通孔22a，该贯通孔22a插入至中冲模20。上冲模22的外径与外筒16的内径大致相等。
在进行成型工序(s20)之前，在底板14上载置外筒16，在外筒16的贯通孔16a中配置下冲模18。并且，将中冲模20插入至下冲模18的贯通孔18a。此时，下冲模18和中冲模20支承于底板14。
这样，形成由外筒16的内侧面、下冲模18的上表面18b以及中冲模20的外周侧面构成的环状的空间。然后，若使上冲模22的贯通孔22a插入至中冲模20，则能够利用上冲模22的下表面22b按压该环状的空间。
接着，参照图5的(a)至图5的(d)对使用了模具12的成型工序(s20)进行说明。在成型工序(s20)中，首先将混合物3提供至由外筒16、下冲模18和中冲模20形成的环状的空间。图5的(a)是示出已提供至模具12的混合物3的剖视图。
接着，使用平整治具24将提供至环状的空间的混合物3调整成大致平坦，并且将混合物3按入环状的空间的底部。图5的(b)是示出将已提供至模具12的混合物3平整的情况的剖视图。
接着，将上冲模22的贯通孔22a插入至中冲模20，利用上冲模22的下表面22b按压混合物3而进行成型。图5的(c)是示出将上冲模22的贯通孔22a向中冲模20插入的情况的剖视图，图5的(d)是示出将混合物3成型而形成成型体5的情况的剖视图。
例如将上冲模22向下冲模18按压，从而利用200kgf/cm2以上且1000kgf/cm2以下的压力按压混合物3，并且对模具12进行加热以使混合物3成为100℃以上且200℃以下。即，在成型工序(s20)中，利用热压成型将混合物3成型，形成圆环状的成型体5。
接着，利用烧结炉(未图示)对成型体5进行烧结(烧结工序(s30))。烧结炉例如是电炉。按照100℃以上且300℃以下的温度(例如180℃)将成型体5烧结30小时至40小时(例如36小时)，从而形成通过烧结后的热硬化树脂2c固定磨粒2a而得的烧结体。
在烧结工序(s30)之后，将烧结体从烧结炉取出，搬送至热处理炉(未图示)。并且，利用热处理炉对烧结体进行热处理(热处理工序(s40))。热处理炉例如是电炉。
在热处理炉上设置有气体导入口(未图示)和吸引口(未图示)等，进行热处理时的气氛可以是氮气、氩气等惰性气体气氛、或者真空气氛(例如100pa以下)。
在热处理工序(s40)中，首先在热处理炉内配置烧结体。接着，使热处理炉内成为密闭空间，向炉内提供氮气，使炉内成为氮气气氛(惰性气体气氛)。
接着，对热处理炉进行加热，在氮气气氛下，按照500℃以上且1500℃以下的温度(例如800℃)对烧结体进行30分钟至2小时(例如1小时)的热处理。另外，也可以代替氮气气氛而在真空气氛下按照500℃以上且1500℃以下的温度对烧结体进行30分钟至2小时的热处理。
在热处理工序(s40)中，热硬化树脂2c的一部分或全部发生变质而成为玻璃状碳。由此制造上述切削刀具2。另外，在热处理工序(s40)之后，对切削刀具2进行修整(truing)、出刃(dressing)等，从而将切削刀具2调整成期望的形状。
另外，在上述制造方法中，使烧结炉和热处理炉为不同的炉而进行了说明，但烧结炉和热处理炉可以为相同的炉。例如可以使用能够使炉内成为大气气氛和惰性气体气氛中的任意气氛的电炉，使炉内成为大气气氛而进行烧结工序(s30)，然后使炉内成为惰性气体气氛而进行热处理工序(s40)。
接着，对使用切削刀具2对晶片11进行切削的方法进行说明。首先，参照图6的(a)和图6的(b)对晶片11的结构进行说明。晶片11例如具有主要由硅形成的圆盘状的基板23。不过，对于基板23的材料没有限制。基板23可以由砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、碳化硅(sic)等形成。
在基板23的一个面侧(即晶片11的正面11a侧)设置有多层布线层25。多层布线层25是将由低介电常数绝缘体材料(所谓的low-k材料)形成的绝缘膜(未图示)和金属层(未图示)交替层叠而得的层叠体。即，在多层布线层25中，层叠有由low-k材料形成的绝缘膜(即low-k膜)等。
在晶片11的正面11a侧呈格子状设定有多条分割预定线13。在由多条分割预定线13划分的多个区域内分别形成有器件15。
各器件15由从基板23的一个面形成至基板23内部的规定深度的功能区域和位于多层布线层25中的功能区域上的布线区域形成。该布线区域成为比多层布线层25中的设定有分割预定线13的区域向上方突出的凸部。
在对晶片11进行切削之前，在晶片11的位于与正面11a相反的一侧的背面11b(即基板23的另一个面)侧粘贴具有比晶片11大的直径的圆形的划片带17。另外，在划片带17的外周部粘贴金属制的环状的框架19的一个面侧。
这样，形成晶片11借助划片带17而支承于框架19而得的晶片单元21。图6的(a)是晶片单元21的立体图，图6的(b)是晶片11等的剖视图。
晶片11例如使用切削装置30进行切削。因此，参照图7的(a)对切削装置30进行说明。切削装置30具有对晶片11的背面11b侧进行吸引而保持的卡盘工作台32。
卡盘工作台32具有大致圆盘状的多孔质板(未图示)。在多孔质板的背面(下表面)侧连接有流路(未图示)，该流路与喷射器等吸引源连接。当使吸引源进行动作时，在多孔质板的正面(上表面)侧产生负压。
在卡盘工作台32的下方连结有使卡盘工作台32旋转的θ台(未图示)。在θ台的下方设置有x轴方向移动单元(未图示)。x轴方向移动单元使θ台、卡盘工作台32等沿着x轴方向移动。
在卡盘工作台32的上方设置有切削单元34。切削单元34具有主轴壳体36，在主轴壳体36内按照能够旋转的方式收纳有圆柱状的主轴(未图示)。另外，在主轴的前端部形成有紧固螺栓等固定部件的螺纹孔(未图示)。
在主轴的前端部配置有大致圆盘状的后凸缘(未图示)。在后凸缘的中心形成有与主轴的螺纹孔大致相同的规定的孔(未图示)。若在使后凸缘的孔与主轴的螺纹孔重叠的状态下使螺栓紧固于螺纹孔，则后凸缘的孔的周围的环状部被螺栓的头部和主轴的前端部夹持而固定。
在后凸缘上，在与主轴接触的那一侧相反的一侧形成有圆筒状的凸部(未图示)。凸部的外径比上述切削刀具2的贯通孔4小，在凸部的前端部的外周部形成有外螺纹。利用上述的后凸缘和圆环状的前凸缘38夹持，从而切削刀具2的位置被固定。
具体而言，首先将切削刀具2的贯通孔4插入至凸部，接着将前凸缘38的贯通孔(未图示)插入至凸部。并且，使在内周侧形成有螺纹的圆环状的按压螺母40与凸部的外螺纹紧固。由此，切削刀具2被后凸缘和前凸缘38夹持。
在主轴壳体36的侧部设置有用于对配置于下方侧的晶片11等被摄体进行拍摄的相机单元42。相机单元42用于分割预定线13的检测(对准)、切口宽度的检查等。
接着，对使用了切削装置30的晶片11的切削方法进行说明。图8是示出切削方法的流程图。首先，将晶片单元21载置于卡盘工作台32，使吸引源进行动作。
晶片11在多层布线层25露出的状态下利用卡盘工作台32对晶片11的背面11b侧进行吸引而被保持(保持工序(s100))。在保持工序(s100)后，使用相机单元42对晶片11的分割预定线13进行检测。
并且，使卡盘工作台32旋转以使一条分割预定线13与x轴方向大致平行，将切削刀具2定位于一条分割预定线13上。与此同时，将以主轴作为旋转轴而旋转的切削刀具2的下端定位于基板23与多层布线层25的边界(即、基板23的一个面)的高度。
并且，使用x轴方向移动单元使切削刀具2和卡盘工作台32沿着x轴方向相对地移动。由此，沿着一条分割预定线13对多层布线层25进行切削，通过切削刀具2对多层布线层25的绝缘膜进行切削(切削工序(s110))。
图7的(a)是切削工序(s110)中的晶片单元21等的立体图，图7的(b)是切削工序(s110)中的晶片11的剖视图。如上述那样，切削刀具2的结合材料2b的至少一部分使用玻璃状碳。
在该情况下，与电铸结合剂或金属结合剂刀具相比，结合材料2b变脆，因此在切削刀具2中容易产生自发磨锐。因此，与利用电铸结合剂或金属结合剂刀具进行切削的情况相比，切削刀具2不容易给容易剥离的绝缘膜带来冲击。因此，不容易在该绝缘膜上产生碎裂或裂纹，因此能够抑制切削时容易剥离的绝缘膜发生剥离。
另外，磨粒2a的平均粒径比切削刀具2的外周部的刃厚小(例如在使切削刀具2的外周部为20μm至30μm的刃厚的情况下，磨粒2a的平均粒径为12μm以下)，因此能够降低磨粒2a对被加工物的影响，能够抑制切削时容易剥离的绝缘膜发生剥离。
通过对多层布线层25进行切削，从而形成基板23沿着分割预定线13露出的切削槽13a。在沿着所有的分割预定线13形成了切削槽13a之后，使用其他切削刀具对切削槽13a的底部进行切削(切削工序(s110))。这样，沿着所有的分割预定线13将晶片11切断，从而制造多个芯片(未图示)。
在制造了多个芯片之后，将晶片11搬送至清洗单元(未图示)，对晶片11进行清洗(清洗工序(s120))。在清洗工序(s120)后，将多个芯片分别从划片带17取出(取出工序(s130))。
另外，在上述例子中，在利用切削刀具2在多层布线层25上形成了切削槽13a之后利用其他切削刀具将基板23切断，但也可以仅使用切削刀具2而将多层布线层25和基板23这双方切断。
除此之外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当地变更并实施。例如，利用切削刀具2进行切削的对象不限于多层布线层25的low-k膜。也可以使用切削刀具2对切削时容易剥离的钝化膜(绝缘膜)进行切削。在该情况下，也能够抑制切削时容易剥离的绝缘膜发生剥离，并且能够切削绝缘膜。
1.一种切削刀具，其具有结合材料和磨粒，其特征在于，
该切削刀具通过该结合材料而固定该磨粒，该结合材料的至少一部分为玻璃状碳。
2.根据权利要求1所述的切削刀具，其特征在于，
该切削刀具的该磨粒的平均粒径为12μm以下。
3.一种切削刀具的制造方法，该切削刀具通过结合材料而固定磨粒，其特征在于，
该切削刀具的制造方法具有如下的工序：
成型工序，由混合物形成规定的形状的成型体，该混合物具有热硬化树脂和该磨粒；
烧结工序，按照100℃以上且300℃以下的温度对该成型体进行烧结而形成烧结体；以及
热处理工序，在惰性气体气氛下或真空气氛下按照500℃以上且1500℃以下的温度对该烧结体进行热处理，
通过该热处理工序，该热硬化树脂的至少一部分成为玻璃状碳的该结合材料。
4.一种晶片的切削方法，对设置于晶片的正面侧的绝缘膜进行切削，该晶片在由呈格子状设定的分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件，其特征在于，
该晶片的切削方法具有如下的工序：
保持工序，利用卡盘工作台对该晶片的位于与该正面相反的一侧的背面侧进行吸引而保持，从而在使该正面侧露出的状态下对该晶片进行保持；以及
切削工序，使用切削刀具沿着该分割预定线切削位于该正面侧的该绝缘膜，该切削刀具通过结合材料而固定磨粒，该结合材料的至少一部分为玻璃状碳。
5.根据权利要求4所述的晶片的切削方法，其特征在于，
在该切削工序中，使用磨粒的平均粒径为12μm以下的该切削刀具对该绝缘膜进行切削。
技术总结