本发明属于激光焊接技术领域，尤其涉及一种易于焊接的pcb。
背景技术：
随着社会的不断发展以及国家的大力倡导，led行业成为当今最为活跃的行业之一，led显示屏产品逐渐走进社会生活的各个领域。与此同时，随着led显示屏技术创新与发展，单位面积的分辨率高的小间距无缝连接led显示屏已经成为led显示屏的主流产品，它可以显示更高清晰度的图形图像和视频，也可以显示更多的视频和图像画面，尤其是在图像拼接方面的运用，可以做到无缝和任意大面积的拼接。
目前，led固定于基板上的方式有激光焊接，模块返修时是定点焊接，其他led不受激光影响。但是，由于基板上的电极材料熔点较高，焊接时所需激光功率较大，容易烧蚀基板和使焊料飞溅，影响焊接良率。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种易于焊接的pcb，以解决现有技术存在的由于基板上的电极材料熔点较高，焊接时所需激光功率较大，容易烧蚀基板和使焊料飞溅，影响焊接良率的问题。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种易于焊接的pcb，包括：
基板；
形成于所述基板上的电极结构，所述电极结构包括锡铟sn/in复合层。
可选地，所述锡铟sn/in复合层包括以ab方式由下至上周期设置的锡sn层和铟in层。
可选地，所述锡铟sn/in复合层包括以aba方式由左至右周期设置的锡sn层和铟in层。
可选地，所述电极结构还包括：
位于所述基板上的铜cu层，所述铜cu层设置在所述锡铟sn/in复合层与所述基板之间。
可选地，所述电极结构还包括：
位于所述基板上的金au层，所述金au层设置在所述锡铟sn/in复合层与所述基板之间。
可选地，所述电极结构还包括：
位于所述铜cu层上的金au层，所述金au层设置在所述锡铟sn/in复合层与所述铜cu层之间。
可选地，所述金au层通过化学镀制作，厚度为0.01-0.06μm。
可选地，所述锡sn层通过蒸镀制作，厚度为0.5-2.5μm；所述铟in层通过蒸镀制作，厚度为0.5-2.5μm。
可选地，所述锡sn层通过化学镀制作，厚度为0.01-0.06μm；所述铟in层通过蒸镀制作，厚度为0.5-2.5μm。
可选地，所述电极结构由多个电极阵列排布在所述基板上形成。
可选地，所述周期的周期数为2。
与现有技术相比，本发明实施例具有以下有益效果：
由于铟in的熔点更低，焊接时所需的激光能量较锡sn的低很多，又由于熔融的铟in流动性很强，锡sn层和熔融的铟in之间有很好的浸润性，使in不溢流到电极之外造成短路。因此，本发明实施例提供的一种易于焊接的pcb，激光焊接时所需激光能量更低，膜层致密，导电导热效果更好，焊接良率更高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。
图1为实施例一提供的一种易于焊接的pcb的结构图；
图2为实施例一提供的另一种易于焊接的pcb的结构图；
图3为实施例二提供的一种易于焊接的pcb的结构图；
图4为实施例二提供的另一种易于焊接的pcb的结构图。
图示说明：
101、基板；102、电极结构；1021、cu层；1022、sn层；1023、in层；1024、au层。
具体实施方式
为使得本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本实施例提供了一种易于焊接的pcb，包括：
基板101；
形成于基板101上的电极结构102，电极结构102包括锡铟sn/in复合层。
作为本实施例的一种可选实施方式，锡铟sn/in复合层包括以ab方式由下至上周期设置的锡sn层1022和铟in层1023，也即基板101上可以依次循环层叠锡sn层1022和铟in层1023。可选地，周期的周期数为1，锡铟sn/in复合层包括一层锡sn层1022和一层铟in层1023，如图1所示。
作为本实施例的另一种可选实施方式，锡铟sn/in复合层包括以aba方式由左至右周期设置的锡sn层1022和铟in层1023，也即基板101上可以依次循环层叠锡sn层1022、铟in层1023和锡sn层1022。可选地，周期的周期数为2，锡铟sn/in复合层包括由左至右设置的锡sn层1022、铟in层1023、锡sn层1022、铟in层1023和锡sn层1022，如图2所示。
在将产品(如led的电极)焊接在电极结构102上时，由于铟in的熔点为157℃，锡sn的熔点为232℃，因此，焊接铟in时所需的激光能量较锡sn的低很多。
又由于熔融的铟in流动性很强，锡sn层1022和熔融的铟in之间有很好的浸润性，使铟in不溢流到电极之外造成短路。
因此，本实施例提供的易于焊接的pcb，激光焊接时所需激光能量更低，膜层致密，导电导热效果更好，焊接良率更高。
实施例二
请参阅图3和图4所示，产品焊接在电极结构102上时，需要与基板101实现电连接。因此，作为本实施例的一种可选方式，电极结构102还包括：铜cu层1021，cu层1021处于锡铟sn/in复合层和基板101之间。焊接完成后，产品通过cu层1021与基板101电连接。
可选地，sn层1022通过蒸镀制作，厚度为0.5-2.5μm；in层1023通过蒸镀制作，厚度为0.5-2.5μm。
可选地，sn层1022通过化学镀制作，厚度为0.01～0.06μm；in层1023通过蒸镀制作，厚度为0.5-2.5μm。
作为本实施例的另一种可选方式，电极结构102还包括：金au层1024，au层1024处于锡铟sn/in复合层和基板101之间。焊接完成后，产品通过au层1024与基板101电连接。可选地，au层1024通过化学镀制作，厚度为0.01～0.06μm。
作为本实施例的一种可选方式，易于焊接的pcb，包括：
基板101；
形成于基板101上的电极结构102，电极结构102包括锡铟sn/in复合层；
铜cu层1021，cu层1021处于锡铟sn/in复合层和基板101之间；
金au层1024，au层1024处于锡铟sn/in复合层和cu层1021之间。
作为本实施例的一种可选方式，au层1024通过化学镀形成在cu层1021上，sn层1022通过蒸镀形成在au层1024上，in层1023通过蒸镀形成在sn层1022上。焊接完成后，产品通过au层1024和cu层1021电连接基板101。
因此，本实施例提供的易于焊接的pcb，激光焊接时所需激光能量更低，膜层致密，导电导热效果更好，焊接良率更高。
需要说明的是，上述任一实施例中，cu层1021也可以看作是基板101的一部分，也即基板101本身包含该cu层1021。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
1.一种易于焊接的pcb，其特征在于，包括：
基板；
形成于所述基板上的电极结构，所述电极结构包括锡铟sn/in复合层。
2.根据权利要求1所述的易于焊接的pcb，其特征在于，所述锡铟sn/in复合层包括以ab方式由下至上周期设置的锡sn层和铟in层。
3.根据权利要求1所述的易于焊接的pcb，其特征在于，所述锡铟sn/in复合层包括以aba方式由左至右周期设置的锡sn层和铟in层。
4.根据权利要求1所述的易于焊接的pcb，其特征在于，所述电极结构还包括：
位于所述基板上的铜cu层，所述铜cu层设置在所述锡铟sn/in复合层与所述基板之间。
5.根据权利要求1所述的易于焊接的pcb，其特征在于，所述电极结构还包括：
位于所述基板上的金au层，所述金au层设置在所述锡铟sn/in复合层与所述基板之间。
6.根据权利要求6所述的易于焊接的pcb，其特征在于，所述金au层通过化学镀制作，厚度为0.01-0.06μm。
7.根据权利要求4所述的易于焊接的pcb，其特征在于，所述电极结构还包括：
位于所述铜cu层上的金au层，所述金au层设置在所述锡铟sn/in复合层与所述铜cu层之间。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的易于焊接的pcb，其特征在于，所述锡sn层通过蒸镀制作，厚度为0.5-2.5μm；所述铟in层通过蒸镀制作，厚度为0.5-2.5μm。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的易于焊接的pcb，其特征在于，所述锡sn层通过化学镀制作，厚度为0.01～0.06μm；所述铟in层通过蒸镀制作，厚度为0.5-2.5μm。
10.根据权利要求1所述的易于焊接的pcb，其特征在于，所述电极结构由多个电极阵列排布在所述基板上形成。
技术总结