本发明涉及一种新型复合介质基片制备方法，属于复合介质片制备领域，用于均质类（不含玻璃布）微波复合介质基板制造。
背景技术：
随着集成电路的发展与应用，电子产品的小型化、高性能化推动了高频电路用覆铜板的发展。目前国外高频电路用覆铜板的种类非常繁多，其使用的基体树脂有聚四氟乙烯、ppe等，增强材料有玻璃纤维布、石英纤维布、短玻纤、陶瓷粉等。以短玻纤、陶瓷等为填料的微波复合基板凭借其优良的高频介电性能、热力学性能受到广泛的关注，但如何制备高均一性，高平整度的同时使基板具有优越的性能成为主要难题。
传统印制电路板行业主要以玻纤布为增强材料，通过浸渍工艺制备浸渍片，这种方式制备片材为非均质，布局介电常数分布不均，在高频或超高频下，极易出现“纤维编织效应”，影响高频信号传输。中国专利cn104211320b中采用ptfe乳液作为树脂材料，通过湿法混合絮凝、并在常温下挤出制备生基片方式存在以下问题：（1）该专利ptfe中含有分散剂、乳化剂，并且在混合絮凝过程中引入絮凝剂，这些小分子材料在高温下不能完全分解，影响板材损耗因子指标；（2）采用常温挤出方式制备片材或棒材致密度低。
技术实现要素：
鉴于现有技术存在的补正，本发明提供了一种新型复合介质基片制备方法。本发明通过引入ptfe干粉，干法混合方式，解决了由于小分子添加剂引起的板材损耗因子指标恶化问题；通过改性熔融挤出 高温压延方式，制备出高致密度复合介质基片材料，更适合后期微波复合介质基板材料制备。
本发明采用的技术方案是：一种新型复合介质基片制备方法，复合介质基片由以下质量百分比的原料组成：陶瓷粉30~70wt%；短纤维2~10wt%；ptfe干粉25~60wt%；
其制备方法，步骤如下：
第一步、粉碎工艺：将30~70wt%陶瓷粉、2~10wt%纤维和25~60wt%的ptfe干粉放入高速粉碎机中粉碎1~10min；
第二步、混合工艺：将粉碎后的复合物放入双锥形干法混合设备中，充分混合1~10h；
第三步、熔融挤出：将混合后的物料放入双螺杆挤出机中，在5~50mpa压力，370~450℃通过模口形成厚度0.5~2.0mm片材；
第四步、将压延成型：挤出后的片材经过260~320℃压延辊，形成具有一定厚度和致密度片材；
第五步、裁切：将片材裁切成目标尺寸。
本发明有益效果是：
本发明采用了一种新型基片制备技术，即热熔挤出成型方法，采用此方法制备出的复合介质基片具有较高力学性能与介电性能，较高平整度，高均匀性等特点。
附图说明
图1为本发明制备方法流程图。
具体实施方式
如图1所示，一种新型复合介质基片制备方法，复合介质基片由以下质量百分比的原料组成：
陶瓷粉30~70wt%，短纤维2~10wt%，ptfe干粉25~60wt%。
其制备方法，步骤如下：
第一步、粉碎工艺：将30~70wt%陶瓷粉、2~10wt%纤维和25~60wt%的ptfe干粉放入高速粉碎机中粉碎1~10min；
第二步、混合工艺：将粉碎后的复合物放入双锥形干法混合设备中，充分混合1~10h；
第三步、熔融挤出：将混合后的物料放入双螺杆挤出机中，在5~50mpa压力，370~450℃通过模口形成厚度0.5~2.0mm片材，
第四步、将压延成型：挤出后的片材经过260~320℃压延辊，形成具有一定厚度和致密度片材；
第五步、裁切：将片材裁切成目标尺寸。
实施示例1；
第一步、粉碎工艺：将55wt%陶瓷粉、5wt%纤维和40wt%的ptfe干粉放入高速粉碎机中粉碎1min；
第二步、混合工艺：将粉碎后的复合物放入双锥形干法混合设备中，混合4h；
第三步、熔融挤出：将混合后的物料放入双螺杆挤出机中，在5mpa压力，450℃形成厚度0.5mm片材；
第四步、将压延成型：挤出后的片材经过320℃压延辊，形成具有一定厚度和致密度片材；
第五步、裁切：将片材裁切成目标尺寸。
通过以上步骤，可制备出457mm*609mm，厚度0.254±0.02mm，致密度95%以上复合介质基片。
实施示例2
第一步、粉碎工艺：将70wt%陶瓷粉、2wt%纤维和28wt%的ptfe干粉放入高速粉碎机中粉碎3min；
第二步、混合工艺：将粉碎后的复合物放入双锥形干法混合设备中，混合10h；
第三步、熔融挤出：将混合后的物料放入双螺杆挤出机中，在50mpa压力，370℃形成厚度1.0mm片材；
第四步、将压延成型：挤出后的片材经过260℃压延辊，形成具有一定厚度和致密度片材；
通过以上步骤，可制备出457mm*609mm，厚度0.762±0.03mm，致密度95%以上复合介质基片。
第五步、裁切：将片材裁切成目标尺寸。
实施示例3
第一步、粉碎工艺：将30wt%陶瓷粉、10wt%纤维和60wt%的ptfe干粉放入高速粉碎机中粉碎10min；
第二步、混合工艺：将粉碎后的复合物放入双锥形干法混合设备中，混合1h；
第三步、熔融挤出：将混合后的物料放入双螺杆挤出机中，在20mpa压力，420℃形成厚度2.0mm片材；
第四步、将压延成型：挤出后的片材经过300℃压延辊，形成具有一定厚度和致密度片材；
第五步、裁切：将片材裁切成目标尺寸。
通过以上步骤，可制备出457mm*609mm，厚度1.52±0.05mm，致密度95%以上复合介质基片。
实施示例4
第一步、粉碎工艺：将55wt%陶瓷粉、5wt%纤维和40wt%的ptfe干粉放入高速粉碎机中粉碎5min；
第二步、混合工艺：将粉碎后的复合物放入双锥形干法混合设备中，混合7h；
第三步、熔融挤出：将混合后的物料放入双螺杆挤出机中，在30mpa压力，400℃形成厚度1.5mm片材；
第四步、将压延成型：挤出后的片材经过280℃压延辊，形成具有一定厚度和致密度片材；
第五步、裁切：将片材裁切成目标尺寸。
通过以上步骤，可制备出457mm*609mm，厚度1.27±0.04mm，致密度95%以上复合介质基片。
1.一种新型复合介质基片制备方法，其特征在于：复合介质基片由以下质量百分比的原料组成：
陶瓷粉30~70wt%；
短纤维2~10wt%；
ptfe干粉25~60wt%；
其制备方法，步骤如下：
第一步、粉碎工艺：将30~70wt%陶瓷粉、2~10wt%纤维和25~60wt%的ptfe干粉放入高速粉碎机中粉碎1~10min；
第二步、混合工艺：将粉碎后的复合物放入双锥形干法混合设备中，充分混合1~10h；
第三步、熔融挤出：将混合后的物料放入双螺杆挤出机中，在5~50mpa压力，370~450℃通过模口形成厚度0.5~2.0mm片材；
第四步、将压延成型：挤出后的片材经过260~320℃压延辊，形成具有一定厚度和致密度片材；
第五步、裁切：将片材裁切成目标尺寸。
技术总结