本实用新型涉及蓝宝石晶片加工领域，具体涉及一种蓝宝石晶片崩边及倒角检验用装置。
背景技术：
蓝宝石单晶是一种简单配位型氧化物晶体，化学式为α-al2o3。蓝宝石晶体具有诸多优异的性能，如良好的绝缘、介电常数稳定等特性、优异的光学性能、物理性能和稳定的化学性能，广泛应用于衬底材料和发光二极管（led）照明、各种光学元器件、窗口材料等领域。
窗口材料的加工，通常的工艺流程是双面研磨、减薄、倒角、双面抛光使得加工的产品符合客户需求。在倒角环节时一般采用cnc精雕机进行加工，cnc加工的蓝宝石晶片尺寸一致性及加工效率较高，符合工业化生产要求。但cnc加工后的蓝宝石晶片会对蓝宝石晶片造成崩边，因此倒角后的蓝宝石晶片除了需要检验倒角量以外，还需检验崩边尺寸，确保崩边尺寸符合客户要求。传统的检验方式是用数显卡尺检验倒角量，用目测及菲林片的方式检验晶片崩边，此种方式检验倒角量尚可，但检验崩边的准确率及效率均不理想。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种用于蓝宝石晶片倒角工序检验环节，能够快速准确的检验蓝宝石晶片崩边及倒角尺寸，操作简便、提高工作效率的蓝宝石晶片崩边及倒角检验用装置，
本实用新型的目的是这样实现的，它包括上环靠角、上环、轴承和主体，主体放置在检验平台上，轴承设置在主体中间，上环靠角与上环为一体装置结构，
上环与轴承相连接并安装在轴承上方，上环靠角具有定位作用且固定晶片，待测量晶片放置在上环上并靠紧上环靠角。
本实用新型将主体放置在影像测量仪平台上，在主体上安装轴承，最后将上环安装在轴承上。检验时将待检晶片放置在上环上并靠紧上环靠角，调节影像测量仪高度及工装位置直至可以检测。缓慢旋转上环，此时观察影像测量仪上显示的蓝宝石晶片倒角量及崩边尺寸。在检测时第一片蓝宝石晶片需要调整影像测量仪及工装位置外，后续测量时不需要再次调节，保证检验一致性，提高检验效率。
本实用新型还有这样一些技术特征：
1、所述的上环靠角的长度、宽度及高度均为3~10mm，上环尺寸包括2inch、4inch、6inch及φ6-φ40mm；
2、所述的上环直径为6~150mm，上环与轴承相连接；
3、所述的轴承直径为30~50mm，将上环与主体衔接；
4、所述的主体长度为150~300mm，宽度为80~120mm。
本实用新型的有益效果有：
1.本实用新型结构简单，使用方便，故障率低，降低人工成本，提高工作效率。
2.本实用新型实施设备量化检验，避免人工检验存在较大误差的问题。
本实用新型能快速、准确的将蓝宝石晶片倒角量及崩边量一次检验完毕，避免二次检验。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为图1侧视图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进行详细说明：
结合图1-2，本实施例包括上环靠角1、上环2、轴承3、主体4。首先将主体4放置在影像测量仪上，然后在主体4上安装轴承3，此时根据晶片规格挑选上环2尺寸（上环尺寸包括2inch、4inch、6inch及φ6-φ40mm），挑选完毕后将上环2安装在轴承3上。测量时需将待测量晶片放置在上环2上并靠紧上环靠角1。晶片放置完毕后调节影像测量仪探头高度及工装位置，直至晶片图形在影像测量仪上显示清晰时停止影像测量仪及工装移动，缓慢旋转上环，此时观察影像测量仪上显示的蓝宝石晶片倒角量及崩边尺寸。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所做的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只限于这些说明。对于具有本实用新型所属领域基础知识的人员来讲，可以很容易对本实用新型进行变更和修改，这些变更和修改都应当视为属于本实用新型所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
1.一种蓝宝石晶片崩边及倒角检验用装置，其特征在于它包括上环靠角、上环、轴承和主体，主体放置在检验平台上，轴承设置在主体中间，上环靠角与上环为一体装置结构，上环与轴承相连接并安装在轴承上方，上环靠角具有定位作用且固定晶片，待测量晶片放置在上环上并靠紧上环靠角；上环靠角的长度、宽度及高度均为3~10mm，上环直径为6~150mm，主体长度为150~300mm，宽度为80~120mm。
2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石晶片崩边及倒角检验用装置，其特征在于所述的轴承直径为30~50mm，衔接上环与主体。
技术总结