本实用新型涉及化学气相沉淀镀膜设备技术领域，具体为极光化学气相沉淀镀膜设备。
背景技术：
在不远的将来，合成钻石很可能取代天然钻石，预计到2026年，合成钻石市场将增至2000万克拉，美国零售巨头沃尔玛和沃伦巴菲特拥有的珠宝零售商赫尔茨伯格钻石只是几个著名的销售点，开始存储实验室培育的钻石，预计更多公司的加入培育党钻石，未来钻石培育设备的需求将增加.在未来的珠宝行业以及精密设备材料应用发展奠定基石。
众所周知，化学气相沉积cvd是半导体晶圆制造加工中常用的沉积技术，在硅片表面沉积的薄膜，可用于部分集成电路和光伏设备，而现有的化学气相沉淀镀膜设备，结构复杂，操作繁琐，未有特定的环境将气体中碳原子以晶体形式沉降在基板上，并未能形成化学气相沉积cvd生长金刚石材料，导致装置的实用性大大降低，无法满足使用者的需求，对此我们提出极光化学气相沉淀镀膜设备。
技术实现要素：
本实用新型目的是提供极光化学气相沉淀镀膜设备，以解决现有技术中无法对气体中的碳原子以晶体的形式沉降在基板上，造成无法形成化学气相沉积cvd生长金刚石材料的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：极光化学气相沉淀镀膜设备，包括有系统控制机架，所述系统控制机架的两侧分别设置有左腔室及右腔室，所述左腔室及右腔室上部均设置有反应室，每个所述反应室的下端设置有反应堆组件，所述反应堆组件的侧壁连接有微波引导组件，所述反应堆组件的下端连接有真空室歧管，所述微波引导组件的一端连接有微波磁控管磁头，所述微波磁控管磁头设置在左腔室及右腔室的底部，所述微波磁控管磁头与真空室歧管之间通过管道连接，所述管道的上部及下部分别设置有真空控制阀和闭环压力组件。
优选的，所述系统控制机架的顶部设有系统直流电源，所述系统直流电源的下端设有显示器，所述显示器的下端设有系统控制单元，所述系统控制单元的下端设置有两个微波发生器，两个所述微波发生器呈并排设置。
优选的，所述系统直流电源均与显示器、系统控制单元及微波发生器电连接。
优选的，每个所述反应室的顶部均设置有气体检测组件，所述气体检测组件的下端设置有配气板组件，所述配气板组件的下端设置有石英聚焦环组件，所述石英聚焦环组件设置在反应室的底部。
优选的，每个所述石英聚焦环组件内设有波纹管，所述波纹管的上端设置有微波石英管，所述微波石英管的上端设置有踏板单元。
优选的，所述系统控制单元分别与左腔室、右腔室及反应室电性连接。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型为极光化学气相沉淀镀膜设备，通过设置有系统控制单元、左腔室、右腔室及反应室，使得装置便于对不同量的气体中碳源进行层层处理，从而能够实现对气体中的碳原子以晶体形式沉降在基板上，并形成化学气相沉积cvd生长金刚石材料，与现有技术相比本实用新型大大提高了装置的实用性，更加满足使用者的需求。
附图说明
图1为本实用新型的左腔室结构示意图；
图2为本实用新型中整体结构示意图。
附图标记中：1、系统控制机架；2、系统直流电源；3、显示器；4、系统控制单元；5、微波发生器；6、左腔室；7、右腔室；8、反应室；9、气体检测组件；10、配气板组件；11、石英聚焦环组件；111、踏板单元；112、微波石英管；113、波纹管；12、反应堆组件；13、微波引导组件；14、真空室歧管；15、真空控制阀；16、闭环压力组件；17、微波磁控管磁头。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例
请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：极光化学气相沉淀镀膜设备，包括有系统控制机架1，系统控制机架1的两侧分别设置有左腔室6及右腔室7，左腔室6及右腔室7上部均设置有反应室8，每个反应室8的下端设置有反应堆组件12，反应堆组件12的侧壁连接有微波引导组件13，反应堆组件12的下端连接有真空室歧管14，微波引导组件13的一端连接有微波磁控管磁头17，微波磁控管磁头17设置在左腔室6及右腔室7的底部，微波磁控管磁头17与真空室歧管14之间通过管道连接，管道的上部及下部分别设置有真空控制阀15和闭环压力组件16，通过设置右左腔室6及右腔室7，提高装置的处理效率，使得对不同量的气体处理效果更加稳定。
其中，系统控制机架1的顶部设有系统直流电源2，系统直流电源2的下端设有显示器3，显示器3的下端设有系统控制单元4，系统控制单元4的下端设置有两个微波发生器5，两个微波发生器5呈并排设置，通过设置的系统控制单元4、显示屏3、系统直流电源2及微波发生器5，使得便于对检测结果进行处理分析并记录。
其中，系统直流电源2均与显示器3、系统控制单元4及微波发生器5电连接，提高装置的稳定性。
其中，每个反应室8的顶部均设置有气体检测组件9，气体检测组件9的下端设置有配气板组件10，配气板组件10的下端设置有石英聚焦环组件11，石英聚焦环组件11设置在反应室8的底部，通过设置的反应室8，便于对气体进行检测处理，提高装置的检测效果。
其中，每个石英聚焦环组件11内设有波纹管113，波纹管113的上端设置有微波石英管112，微波石英管112的上端设置有踏板单元111，通过黄色至的石英聚焦环组件11，使得气体的流动更加均匀。
其中，系统控制单元4分别与左腔室6、右腔室7及反应室8电性连接，使得对装置的操作更加便捷。
具体的，本实用新型使用时，首先将待处理的气体通过反应室8的上端通入反应室8内，气体检测组件9进行检测并将结果通过电信号的形式传递至系统控制单元4内，并将气体依次通入至石英聚焦环组件11内，使其气体的流动更加均匀，并传递至反应堆组件12，通过微波引导组13件对气体进行引导，通过系统控制组件4启动真空歧管14、真空控制阀15、闭环压力组件16及微波磁控管磁头17，使其气体依次完成各操作。与现有技术相比本实用新型便于对不同量的气体中碳源进行层层处理，从而能够实现对气体中的碳原子以晶体形式沉降在基板上，并形成化学气相沉积cvd生长金刚石材料，更加满足使用者的需求，直至完成全部工作顺序。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点，对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
1.极光化学气相沉淀镀膜设备，其特征在于，包括有系统控制机架(1)，所述系统控制机架(1)的两侧分别设置有左腔室(6)及右腔室(7)，所述左腔室(6)及右腔室(7)上部均设置有反应室(8)，每个所述反应室(8)的下端设置有反应堆组件(12)，所述反应堆组件(12)的侧壁连接有微波引导组件(13)，所述反应堆组件(12)的下端连接有真空室歧管(14)，所述微波引导组件(13)的一端连接有微波磁控管磁头(17)，所述微波磁控管磁头(17)设置在左腔室(6)及右腔室(7)的底部，所述微波磁控管磁头(17)与真空室歧管(14)之间通过管道连接，所述管道的上部及下部分别设置有真空控制阀(15)和闭环压力组件(16)。
2.根据权利要求1所述的极光化学气相沉淀镀膜设备，其特征在于：所述系统控制机架(1)的顶部设有系统直流电源(2)，所述系统直流电源(2)的下端设有显示器(3)，所述显示器(3)的下端设有系统控制单元(4)，所述系统控制单元(4)的下端设置有两个微波发生器(5)，两个所述微波发生器(5)呈并排设置。
3.根据权利要求2所述的极光化学气相沉淀镀膜设备，其特征在于：所述系统直流电源(2)均与显示器(3)、系统控制单元(4)及微波发生器(5)电连接。
4.根据权利要求1所述的极光化学气相沉淀镀膜设备，其特征在于：每个所述反应室(8)的顶部均设置有气体检测组件(9)，所述气体检测组件(9)的下端设置有配气板组件(10)，所述配气板组件(10)的下端设置有石英聚焦环组件(11)，所述石英聚焦环组件(11)设置在反应室(8)的底部。
5.根据权利要求4所述的极光化学气相沉淀镀膜设备，其特征在于：每个所述石英聚焦环组件(11)内设有波纹管(113)，所述波纹管(113)的上端设置有微波石英管(112)，所述微波石英管(112)的上端设置有踏板单元(111)。
6.根据权利要求2所述的极光化学气相沉淀镀膜设备，其特征在于：所述系统控制单元(4)分别与左腔室(6)、右腔室(7)及反应室(8)电性连接。
技术总结