本实用新型涉及单晶材料生产设备领域，特别是一种单晶炉管壁口冷却流道结构。
背景技术：
单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中，用石墨加热器等将多晶硅等多晶材料熔化，然后用直拉法向上直拉生长出晶棒的设备。晶棒可用于制作无错位单晶材料。晶棒在制作过程需要进行冷却，使得晶棒固定成型。
单晶炉的周向外侧设置有螺旋状的冷却通道，冷却流体在冷却通道内流动以对单晶炉及其内部的材料进行冷却。
单晶炉在管壁上开设有开口，以便于进料、加入添加剂等。冷却流体在经过进料口的冷却通道时由于受到重力的影响，只能对开口靠近底部的位置进行冷却，无法对开口靠近顶部的位置进行冷却。如此使得对开口处的冷却效果较低。
技术实现要素：
有鉴于此，本实用新型提供了一种提高对管壁上的开口的冷却效果的单晶炉管壁口冷却流道结构，以解决上述问题。
一种单晶炉管壁口冷却流道结构，设置于一单晶炉上，单晶炉的周向侧壁上开设有开口，开口处设置有开口管，所述单晶炉管壁口冷却流道结构包括突出设置于单晶炉的顶部外侧的上凸缘、突出设置于单晶炉的底部外侧的下凸缘、呈螺旋状突出设置于单晶炉周向侧壁外侧的隔离件、第一扰流件及第二扰流件；上层的隔离件与下层的隔离件之间形成冷却流道；第一扰流件及第二扰流件的形状均为c字形；第一扰流件位于开口管朝向冷却流体的来源方向一侧，第一扰流件的开口侧朝向冷却流体的来源方向；第二扰流件位于开口管的另一侧，第二扰流件的开口侧朝向开口管。
进一步地，所述冷却流道靠近下凸缘的一端具有流道入口，靠近上凸缘的一端具有流道出口。
进一步地，所述隔离件的中部且位于开口管下方的部分具有避让部，避让部包括呈角度连接的第一斜板及第二斜板。
进一步地，所述第一斜板与第二斜板之间的角度为100-150度。
进一步地，所述第一扰流件及第二扰流件位于冷却流道沿高度方向的中部位置。
进一步地，所述第一扰流件或第二扰流件与冷却流道的底部之间的距离小于与冷却流道的顶部之间的距离。
进一步地，还包括设置于隔离件外部的套筒。
进一步地，所述隔离件的宽度为2-4cm。
与现有技术相比，本实用新型的单晶炉管壁口冷却流道结构设置于一单晶炉上，单晶炉的周向侧壁上开设有开口，开口处设置有开口管，所述单晶炉管壁口冷却流道结构包括突出设置于单晶炉的顶部外侧的上凸缘、突出设置于单晶炉的底部外侧的下凸缘、呈螺旋状突出设置于单晶炉周向侧壁外侧的隔离件、第一扰流件及第二扰流件；上层的隔离件与下层的隔离件之间形成冷却流道；第一扰流件及第二扰流件的形状均为c字形；第一扰流件位于开口管朝向冷却流体的来源方向一侧，第一扰流件的开口侧朝向冷却流体的来源方向；第二扰流件位于开口管的另一侧，第二扰流件的开口侧朝向开口管。如此提高了对管壁上的开口的冷却效果。
附图说明
以下结合附图描述本实用新型的实施例，其中：
图1为本实用新型提供的单晶炉管壁口冷却流道结构的立体示意图。
图2为图1中的a部分的放大示意图。
具体实施方式
以下基于附图对本实用新型的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是，此处对本实用新型实施例的说明并不用于限定本实用新型的保护范围。
请参考图1及图2，本实用新型提供的单晶炉管壁口冷却流道结构设置于一单晶炉10上，单晶炉10的周向侧壁上开设有开口，开口处设置有开口管20。
本实用新型提供的单晶炉管壁口冷却流道结构包括突出设置于单晶炉10的顶部外侧的上凸缘11、突出设置于单晶炉10的底部外侧的下凸缘12、呈螺旋状突出设置于单晶炉10周向侧壁外侧的隔离件13、设置于隔离件13外部的套筒、第一扰流件31及第二扰流件32。
单晶炉10、套筒、上层的隔离件13与下层的隔离件13之间形成冷却流道，冷却流道靠近下凸缘12的一端具有流道入口，靠近上凸缘11的一端具有流道出口。如此使得冷却流体在冷却流道内流动，且由下至上呈螺旋状流动。隔离件13的宽度为2-4cm。
隔离件13的中部且位于开口管20下方的部分具有避让部14，避让部14包括呈角度连接的第一斜板141及第二斜板142，第一斜板141与第二斜板142之间的角度为100-150度。
第一扰流件31及第二扰流件32的形状均为c字形，分别设置于开口管20两侧的冷却流道中。其中位于开口管20朝向冷却流体的来源方向一侧的第一扰流件31的开口侧朝向冷却流体的来源方向，如此冷却流体绕过第一扰流件31后可到达开口管20的顶部的位置；位于开口管20的另一侧的第二扰流件32的开口侧朝向开口管20，如此冷却流体在第二扰流件32与开口管20之间能够形成漩涡，实现对开口管20的顶部的冷却。
第一扰流件31及第二扰流件32位于冷却流道沿高度方向的中部位置，或更靠近冷却流道的底部设置，如此可扰动较多的冷却流体，使得冷却流体流动至靠近开口管20的顶部的位置。
与现有技术相比，本实用新型的单晶炉管壁口冷却流道结构包括突出设置于单晶炉10的顶部外侧的上凸缘11、突出设置于单晶炉10的底部外侧的下凸缘12、呈螺旋状突出设置于单晶炉10周向侧壁外侧的隔离件13、第一扰流件31及第二扰流件32；上层的隔离件13与下层的隔离件13之间形成冷却流道；第一扰流件31及第二扰流件32的形状均为c字形；第一扰流件31位于开口管20朝向冷却流体的来源方向一侧，第一扰流件31的开口侧朝向冷却流体的来源方向；第二扰流件32位于开口管20的另一侧，第二扰流件32的开口侧朝向开口管20。如此提高了对管壁上的开口的冷却效果。
以上仅为本实用新型的较佳实施例，并不用于局限本实用新型的保护范围，任何在本实用新型精神内的修改、等同替换或改进等，都涵盖在本实用新型的权利要求范围内。
1.一种单晶炉管壁口冷却流道结构，设置于一单晶炉上，单晶炉的周向侧壁上开设有开口，开口处设置有开口管，其特征在于：所述单晶炉管壁口冷却流道结构包括突出设置于单晶炉的顶部外侧的上凸缘、突出设置于单晶炉的底部外侧的下凸缘、呈螺旋状突出设置于单晶炉周向侧壁外侧的隔离件、第一扰流件及第二扰流件；上层的隔离件与下层的隔离件之间形成冷却流道；第一扰流件及第二扰流件的形状均为c字形；第一扰流件位于开口管朝向冷却流体的来源方向一侧，第一扰流件的开口侧朝向冷却流体的来源方向；第二扰流件位于开口管的另一侧，第二扰流件的开口侧朝向开口管。
2.如权利要求1所述的单晶炉管壁口冷却流道结构，其特征在于：所述冷却流道靠近下凸缘的一端具有流道入口，靠近上凸缘的一端具有流道出口。
3.如权利要求1所述的单晶炉管壁口冷却流道结构，其特征在于：所述隔离件的中部且位于开口管下方的部分具有避让部，避让部包括呈角度连接的第一斜板及第二斜板。
4.如权利要求3所述的单晶炉管壁口冷却流道结构，其特征在于：所述第一斜板与第二斜板之间的角度为100-150度。
5.如权利要求1所述的单晶炉管壁口冷却流道结构，其特征在于：所述第一扰流件及第二扰流件位于冷却流道沿高度方向的中部位置。
6.如权利要求1所述的单晶炉管壁口冷却流道结构，其特征在于：所述第一扰流件或第二扰流件与冷却流道的底部之间的距离小于与冷却流道的顶部之间的距离。
7.如权利要求1所述的单晶炉管壁口冷却流道结构，其特征在于：还包括设置于隔离件外部的套筒。
8.如权利要求1所述的单晶炉管壁口冷却流道结构，其特征在于：所述隔离件的宽度为2-4cm。
技术总结