一种测试电压监控装置的制作方法

    专利2022-07-11  90


    本实用新型涉及电压监控技术领域,尤其涉及一种测试电压监控装置。



    背景技术:

    对电压进行测量,现有的方法是采用dvm对再待测内存电压进行点式测量,测试可靠性得不到保障、无法长时间监控电压的稳定性且操作不易,无法满足现阶段对应用测试分析的需求。

    已公开中国实用新型专利,公开号:cn101738534b,专利名称:电压测试装置及电压测试方法,申请日:20081124,其公开了一种电压测试装置及电压测试方法。电压测试装置用以测试第一电路板,此电路板包括第一连接器。电压测试装置耦接电源供应单元,以由电源供应单元获得输入电压,电源供应单元提供电源给第一电路板。电压测试装置包括电压产生单元、连接部以及比较模块。电压产生单元接收输入电压且将输入电压转换成预设电压。连接部用以耦接第一电路板的第一连接器,且由第一连接器取得第一量测电压。比较模块分别耦接连接部与电压产生单元,接收第一量测电压与预设电压,且比较第一量测电压与预设电压,以提供测试结果。



    技术实现要素:

    本实用新型提供一种测试电压监控装置,用于针对ddr4so-dimm以及r-dimm产品的电压测试装置。

    本实用新型提供一种测试电压监控装置,包括pcb板1,cpu处理器2,数码管3,调节按钮4;

    所述cpu处理器2设置在所述pcb板1上;

    所述数码管3设置在所述pcb板1的中上部;

    所述调节按钮4设置在所述pcb板1上所述数码管3的右侧。

    优选的,所述数码管2自左向右并列设置有多个。

    优选的,所述调节按钮4自上到下并列设置有多个。

    本实用新型的有益效果为:采用了全新的高频低功耗单片机以及滤波电路,外加校准调节功能,使得该装置在不影响测试的情况下能获取更加准确,稳定的实际电压,提高工程师分析ddr4产品应用测试电压特性更加有效、准确。

    附图说明

    图1为本实用新型结构示意图;

    1、pcb板;2、cpu处理器;3、数码管;4、调节按钮。

    具体实施方式

    下面结合附图对本实用进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。

    本实用新型提供一种测试电压监控装置,包括pcb板1,cpu处理器2,数码管3,调节按钮4;

    所述cpu处理器2设置在所述pcb板1上;

    所述数码管3设置在所述pcb板1的中上部;

    所述调节按钮4设置在所述pcb板1上所述数码管3的右侧。

    本实施例中优选的,所述数码管2自左向右并列设置有多个。

    本实施例中优选的,所述调节按钮4自上到下并列设置有多个。

    需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。

    以上所述的本实用新型实施方式,并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。


    技术特征:

    1.一种测试电压监控装置,包括pcb板(1),cpu处理器(2),数码管(3),调节按钮(4);

    其特征在于,

    所述cpu处理器(2)设置在所述pcb板(1)上;

    所述数码管(3)设置在所述pcb板(1)的中上部;

    所述调节按钮(4)设置在所述pcb板(1)上所述数码管(3)的右侧。

    2.根据权利要求1所述的一种测试电压监控装置,其特征在于,所述数码管(3)自左向右并列设置有多个。

    3.根据权利要求2所述的一种测试电压监控装置,其特征在于,所述调节按钮(4)自上到下并列设置有多个。

    技术总结
    本实用新型提供一种测试电压监控装置,用于针对DDR4 So‑DIMM以及R‑DIMM产品的电压测试装置;包括PCB板1,CPU处理器2,数码管3,调节按钮4;所述CPU处理器2设置在所述PCB板1上;所述数码管3设置在所述PCB板1的中上部;所述调节按钮4设置在所述PCB板1上所述数码管3的右侧;本实用新型的有益效果为:采用了全新的高频低功耗单片机以及滤波电路,外加校准调节功能,使得该装置在不影响测试的情况下能获取更加准确,稳定的实际电压,提高工程师分析DDR4产品应用测试电压特性更加有效、准确。

    技术研发人员:唐奇胜
    受保护的技术使用者:海太半导体(无锡)有限公司
    技术研发日:2020.05.22
    技术公布日:2021.03.12

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