本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种高探测eos异常失效分析系统。
背景技术：
目前的检测仪器emeye探测出生产过程中发生的esd放电异常，要查找具体异常发生点时，现有表面电压测试仪和表面电阻测试仪只能进行静态检测，仅能探测物品静态异常，无法探测出生产设备各部件通电后的异常现象，不利于产线esd不良的根本原因的查找和问题解决。
技术实现要素：
本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种高探测eos异常失效分析系统。
本实用新型的的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种高探测eos异常失效分析系统，包括ac电源1、电源emi滤波器3、示波器5，所述电源emi滤波器3通过测试线2与ac电源1连接，所述电源emi滤波器3与示波器5连接，所述电源emi滤波器3与示波器5之间设有欧姆电阻线4。
优选的，所述测试线2包括两根测试线，一根红色测试线连接ac电源1，一根黑色测试线连接接地引脚。
优选的，所述欧姆电阻线4为50欧姆电阻。
本实用新型的有益效果：
解决了目前只能实现物品或设备的表面电压和表面电阻的静态检测，仅能分析至物品静态esd是否异常，无法探测出设备各部件通电后esd异常现象的难题，使用高探测eos异常的失效分析系统可以对通电后的生产整个流程中的esd异常现象进行分析，查找出生产状态时的异常点，更能找到根本原因并实现预防解决问题。
附图说明
图1为一种高探测eos异常失效分析系统的结构示意图。
具体实施方式
结合附图所示，本实用新型的技术方案作进一步的描述：
一种高探测eos异常失效分析系统，包括ac电源1、电源emi滤波器3、示波器5，所述电源emi滤波器3通过测试线2与ac电源1连接，所述电源emi滤波器3与示波器5连接，所述电源emi滤波器3与示波器5之间设有欧姆电阻线4。
本实施例中，优选的，所述测试线2包括两根测试线，一根红色测试线连接ac电源1，一根黑色测试线连接接地引脚。
本实施例中，优选的，所述欧姆电阻线4为50欧姆电阻。
高探测eos异常失效分析系统的结构和相互位置的说明：
该发明包括：
选用电源emi滤波器用两根测试线，黑色测试线连接接地引脚，红色测试线连接生产线ac电源或者设备内部金属部位，采集生产线或者设备内部的电信号。
将电源emi滤波器的输出端连接至示波器(示波器配置：500mhz,5gs/s)，信号有强弱，可以通过调节示波器进行波形振幅调节。
通过示波器对高频信号的波形进行分析，对波形进行测量分析后截图后，采集峰值电压值，测试出生产线ac电源或者设备内部的eos峰值电压值，与标准值进行比对，找出异常点。
检测方法流程说明：
使用电源emi滤波器将电路中的杂波进行过滤，只保留高频率eos杂音信号，串联50欧姆电阻，使其15v最大峰值输出，可以进行带电检测，使用示波器对电信号峰值电压进行测量，探测出交流电源线或者设备内部电路异常点，如有异常，更换交流电源线或者设备内部的异常电子器件，重新使用电源emi滤波器和示波器进行确认，如果无异常,结束；如果有异常,重新对产线异常点高频杂音进行过滤。
最后应说明的是：
本领域技术人员可以参考本文内容，实施该方法，实现其应用，特别需要指出的是，所有类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的，它们都被视为包括在本实用新型内。本实用新型的方法及应用己经通过较佳的实施例进行了描述，相关人员明显能在不脱离本实用新型内容、精神和范围内对本文制各方法和应用进行改动或适当变更与组合，来实现和应用本实用新型技术。
以上实施例仅用以说明而非限制本实用新型的技术方案，尽管参照上述实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本实用新型进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型的精神和范围，而所附权利要求意在涵盖落入本实用新型精神和范围中的这些修改或者等同替换。
1.一种高探测eos异常失效分析系统，其特征在于：包括ac电源(1)、电源emi滤波器(3)、示波器(5)，所述电源emi滤波器(3)通过测试线(2)与ac电源(1)连接，所述电源emi滤波器(3)与示波器(5)连接，所述电源emi滤波器(3)与示波器(5)之间设有欧姆电阻线(4)。
2.如权利要求1所述的高探测eos异常失效分析系统，其特征在于：所述测试线(2)包括两根测试线，一根红色测试线连接ac电源(1)，一根黑色测试线连接接地引脚。
3.如权利要求1所述的高探测eos异常失效分析系统，其特征在于：所述欧姆电阻线(4)为50欧姆电阻。
技术总结