本实用新型属于磁场检测领域，具体涉及一种基于干簧管的磁场检测告警电路。
背景技术：
目前大多数设备都会配备上一个磁场检测装置，用于检测设备是否收到外部磁场干扰，确保设备能够正常工作。
现有的磁场检测电路灵敏度不高，且设计复杂，在磁场变动大较大时，若磁场忽然消失，电路告警会停止，从而使得告警电路无法及时通知用户设备设置的地方有微弱的磁场，导致设备出现误差。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种基于干簧管的磁场检测告警电路，能够在磁场消失时，依旧保持告警状态直至设备下电，本方案成本低廉、电路简单，且灵敏度与可靠性高。
本实用新型的技术方案如下所示：
一种基于干簧管的磁场检测告警电路，包括干簧管j1、三极管q1、三极管q2、mos管q3，所述干簧管j1经电阻r4连接至三极管q2的基极，所述三极管q2的基极经电阻r3连接至电源vdd端，所述三极管q2的集电极接地，所述三级管q2的发射极连接至三极管q1的集电极，所述三级管q2的发射极还连接至mos管q3的栅极，所述mos管q3的源极连接至电源vdd端，所述mos管q3的源极还经电阻r5连接至三极管q1的集电极和三极管q2的发射极，所述三极管q1的基极经电阻r2连接至mos管的q3的漏极，所述三极管q1的基极还经电阻r1接地，所述mos管的q3的漏极经电阻r6连接至三极管q4的基极，所述三极管q4的集电极连接至发光二极管led1的负极，所述发光二极管led1的正极经电阻r7连接至电源vdd端，所述三极管q4的发射极接地，所述三极管q1的发射极接地。
优选的，所述三极管q1和三极管q4为npn型三极管，所述三极管q2为pnp型三极管，所述mos管q3为体二极管的p型mosfet。
优选的，所述电阻r2、r4、r6、r7的阻值为1kω。
优选的，所述电阻r1、r3的阻值为100kω。
优选的，所述电阻r5的阻值为10kω。
本实用新型的有益效果为：本实用新型提供的方案能够在磁场变动后消失时，依旧保持告警状态直至设备下电，本方案成本低廉、电路简单，且灵敏度与可靠性高。
附图说明
图1为本实用新型实施例的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合说明书附图对本实用新型的实施例进行详细说明。
如图1所示，一种基于干簧管的磁场检测告警电路，包括干簧管j1、pnp型三极管q1、pnp型三极管q2、体二极管的p型mos管q3、npn型三极管q4、电阻r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、用于告警的发光二极管led1。
干簧管j1经电阻r4连接至三极管q2的基极，三极管q2的基极经电阻r3连接至电源vdd端，三极管q2的集电极接地，三级管q2的发射极连接至三极管q1的集电极，三级管q2的发射极还连接至mos管q3的栅极，mos管q3的源极连接至电源vdd端，mos管q3的源极还经电阻r5连接至三极管q1的集电极和三极管q2的发射极，三极管q1的基极经电阻r2连接至mos管的q3的漏极，三极管q1的基极还经电阻r1接地，mos管的q3的漏极经电阻r6连接至三极管q4的基极，三极管q4的集电极连接至发光二极管led1的负极，发光二极管led1的正极经电阻r7连接至电源vdd端，三极管q4的发射极接地。
作为本实用新型的一个实施例，电阻r2、r4、r6、r7的阻值为1kω，电阻r1、r3的阻值为100kω，电阻r5的阻值为10kω。
本实施例的工作原理为：利用干簧管对磁场敏感的特征，将其作为触发源，当有磁场触发干簧管时，干簧管j1由开路状态变为闭合状态，三极管q2导通，p沟道mos管q3导通，keep点由低电平变为高电平，使得三极管q1导通，此时mos管q3的栅极电压变为低电平，使得mos管q3一直处于导通状态，这时即使干簧管因失去磁场变为开路状态，mos管q3也能一直保持导通状态，由于keep点为高电平，三极管q4此时也处于导通状态，告警灯led1为常亮。只有当电路完全失电时led1才会灭，恢复常态。
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本实用新型的具体实施方式，用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制，本实用新型的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型实施例技术方案的精神和范围。都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
1.一种基于干簧管的磁场检测告警电路，其特征在于，包括干簧管j1、三极管q1、三极管q2、mos管q3，所述干簧管j1经电阻r4连接至三极管q2的基极，所述三极管q2的基极经电阻r3连接至电源vdd端，所述三极管q2的集电极接地，所述三极管q2的发射极连接至三极管q1的集电极，所述三极管q2的发射极还连接至mos管q3的栅极，所述mos管q3的源极连接至电源vdd端，所述mos管q3的源极还经电阻r5连接至三极管q1的集电极和三极管q2的发射极，所述三极管q1的基极经电阻r2连接至mos管的q3的漏极，所述三极管q1的基极还经电阻r1接地，所述mos管的q3的漏极经电阻r6连接至三极管q4的基极，所述三极管q4的集电极连接至发光二极管led1的负极，所述发光二极管led1的正极经电阻r7连接至电源vdd端，所述三极管q4的发射极接地，所述三极管q1的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的基于干簧管的磁场检测告警电路，其特征在于，所述三极管q1和三极管q4为npn型三极管，所述三极管q2为pnp型三极管，所述mos管q3为体二极管的p型mosfet。
3.根据权利要求1所述的基于干簧管的磁场检测告警电路，其特征在于，所述电阻r2、r4、r6、r7的阻值为1kω。
4.根据权利要求3所述的基于干簧管的磁场检测告警电路，其特征在于，所述电阻r1、r3的阻值为100kω。
5.根据权利要求4所述的基于干簧管的磁场检测告警电路，其特征在于，所述电阻r5的阻值为10kω。
技术总结