本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术：
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，被广泛应用于电视、移动电话、电脑显示器等消费性电子或电脑产品。随着可穿戴应用设备如智能眼镜、智能手表等的逐渐兴起，显示行业对可挠曲显示器件的需求也不断增加。柔性液晶显示逐渐成为业界新的研究热点。
显示面板主要由阵列(thinfilmtransistor，tft)基板、第二基板和设置在两基板之间的液晶(liquidcrystal，lc)层组成。在显示面板的制备过程中，需要对第二基板进行切割，以露出第一基板上的绑定焊盘，其中，激光切割是常用的方式。如果在第一基板和第二基板对盒前对第二基板进行切割，由于激光的能量密度高，使得切割位置产生较大的热应力，导致切割线边缘垄起，进而使得第一基板和第二基板产生对盒不良、盒厚不均等问题。如果在第一基板和第二基板对盒后对第二基板进行切割，激光切割位置处产生的热应力，容易对第一基板上的绑定焊盘和信号引线造成损伤或失效，从而使得显示面板出现显示不良或无法显示的问题。
技术实现要素：
本公开实施例提供了一种显示面板及显示装置，能够提高显示面板的显示性能。
本公开实施例提供了一种显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板以及设置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，其中：所述第一基板包括第一显示区和设置在所述第一显示区一侧的绑定区；所述第二基板包括第二显示区和设置在所述第二显示区一侧的切割区，所述切割区在所述第一基板上的正投影和所述绑定区在所述第一基板上的正投影相交叠；所述切割区设置有切割线；所述第二基板朝向所述第一基板的一侧还设置有切割阻挡层，所述切割阻挡层在所述第二基板上的正投影，包含所述切割线在所述第二基板上的正投影。
在示例性实施例中，所述切割阻挡层在第一方向上的长度与所述第二基板在第一方向上的长度相等。
在示例性实施例中，所述切割阻挡层包括沿第二方向相对设置的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边在所述第二基板上的正投影和所述切割线在所述第二基板上的正投影之间的距离大于或等于预设的第一距离，所述第二侧边在所述第二基板上的正投影和所述切割线在第二基板上的正投影之间的距离大于或等于预设的第一距离，所述第一方向和所述第二方向相交。
在示例性实施例中，所述第一距离为30微米至2毫米。
在示例性实施例中，所述切割阻挡层在第二方向上的宽度大于100微米。
在示例性实施例中，所述第一侧边与所述第二显示区之间的距离小于所述第二侧边与所述第二显示区之间的距离；
所述第一基板还包括第一封框胶区，所述第一封框胶区设置在所述第一显示区的周围且位于所述绑定区朝向所述第一显示区的一侧；所述第二基板还包括第二封框胶区，所述第二封框胶区设置在所述第二显示区的周围且位于所述切割区朝向所述第二显示区的一侧，所述第一封框胶区和所述第二封框胶区之间设置有封框胶，所述第一侧边与所述第二封框胶区之间的最短距离大于30微米。
在示例性实施例中，所述切割阻挡层的材料为铂pt、钌ru、金au、银ag、钼mo、铬cr、铝al、钽ta、钛ti、钨w等金属中的一种或多种。
在示例性实施例中，所述切割阻挡层的厚度为500埃米至5000埃米。
在示例性实施例中，沿所述显示面板的厚度方向，所述第二显示区包括第二柔性基底层、设置在所述第二柔性基底层上的第二绝缘层、设置在第二绝缘层上的黑矩阵以及设置在所述第二绝缘层上且位于相邻的黑矩阵之间的彩色滤光层；
沿所述显示面板的厚度方向，所述切割区包括第二柔性基底层、设置在所述第二柔性基底层上的第二绝缘层以及设置在所述第二绝缘层上的所述切割阻挡层。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如前所述的显示面板。
本公开实施例提供的显示面板及显示装置，通过在第二基板朝向第一基板的一侧设置切割阻挡层，且切割阻挡层在第二基板上的正投影包含切割线在第二基板上的正投影，使得激光能量不会对第一基板上的绑定焊盘或信号引线造成损伤或失效，从而提高了显示面板的显示性能。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为本公开实施例的一种第一基板的结构示意图；
图2为本公开实施例的一种第二基板的结构示意图；
图3为图1所示第一基板和图2所示第二基板对盒之后的显示面板aa向的截面示意图；
图4为本公开实施例形成第一柔性基底层后的第一基板的结构示意图；
图5为本公开实施例形成第一绝缘层后的第一基板的结构示意图；
图6为本公开实施例形成公共电极后的第一基板的结构示意图；
图7为本公开实施例形成栅线、公共电极线和栅电极后的第一基板的结构示意图；
图8为本公开实施例形成有源层后的第一基板的结构示意图；
图9为本公开实施例形成数据线、源电极和漏电极后的第一基板的结构示意图；
图10为本公开实施例形成钝化层后的第一基板的结构示意图；
图11为本公开实施例形成像素电极后的第一基板的结构示意图；
图12为本公开实施例形成第二柔性基底层后的第二基板的结构示意图；
图13为本公开实施例形成第二绝缘层后的第二基板的结构示意图；
图14为本公开实施例形成切割阻挡层后的第二基板的结构示意图；
图15为本公开实施例形成黑矩阵和彩色滤光层后的第二基板的结构示意图。
附图标记说明:
100—第一基板；101—第二基板；100a—第一显示区；
100b—绑定区；101a—第二显示区；101b—切割区；
101c—第二封框胶区；10—第一硬性基板；20—第一柔性基底层；
30—第一绝缘层；40—公共电极；41—栅电极；
42—栅绝缘层；43—有源层；44—源电极；
45—漏电极；46—绑定焊盘；48—钝化层；
48a—第一过孔；48b—第二过孔；50—像素电极；
60—第二硬性基板；70—第二柔性基底层；80—第二绝缘层；
90—切割阻挡层；91—黑矩阵；92—彩色滤光层；
47—信号引线；100c—第一封框胶区；9001—第一侧边；
9002—第二侧边；a、b—距离；x、y—方向；
93—封框胶；1011—切割线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本公开的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本公开，但不用来限制本公开的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，被广泛应用于电视、移动电话、电脑显示器等消费性电子或电脑产品。液晶显示面板主要由阵列(thinfilmtransistor，tft)基板、第二基板和设置在两基板之间的液晶(liquidcrystal，lc)层组成。在液晶显示面板的制备过程中，需要对第二基板进行切割，以露出第一基板上的绑定焊盘，其中，激光切割是常用的方式。
随着可穿戴应用设备如智能眼镜、智能手表等的逐渐兴起，显示行业对可挠曲显示器件的需求也不断增加。但是，在当柔性液晶显示器的基板由传统刚性玻璃转为柔性塑料基板时也产生了许多相应的问题，其中，如何有效的切割使绑定焊盘露出，并且不对其造成损伤是其中的一项关键技术。
如果在第一基板和第二基板对盒前对第二基板进行切割，由于激光的能量密度高，激光切割位置会产生较大的热应力，热应力使得切割线边缘垄起，进而使得第一基板和第二基板之间产生对盒不良、盒厚不均等问题。如果在第一基板和第二基板对盒后对第二基板进行切割，激光切割位置处产生的热应力，容易对第一基板上的绑定焊盘和信号引线造成损伤或失效，进而使得显示面板出现显示不良或无法显示的问题。
本公开实施例提供了一种显示面板，包括相对设置的第一基板、第二基板以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层，其中，第一基板包括第一显示区和设置在第一显示区一侧的绑定区；第二基板包括第二显示区和设置在第二显示区一侧的切割区；切割区在第一基板上的正投影和绑定区在第一基板上的正投影相交叠；切割区设置有切割线。
第二基板朝向第一基板的一侧还设置有切割阻挡层，切割阻挡层在第二基板上的正投影，包含切割线在第二基板上的正投影。
本公开实施例的显示面板，通过在第二基板朝向第一基板的一侧设置切割阻挡层，且切割阻挡层在第二基板上的正投影包含切割线在第二基板上的正投影，使得激光能量不会对第一基板上的绑定焊盘或信号引线造成损伤或失效，从而提高了显示面板的显示性能。
在一些示例性实施例中，切割阻挡层也可以设置在第一基板朝向第二基板的一侧，本公开对此不作限制。
图1为本公开实施例的一种第一基板100的结构示意图，图2为本公开实施例的一种第二基板101的结构示意图，图3为图1和图2所示第一基板100和第二基板101对盒之后的aa向的截面示意图，如图1至图3所示，第一基板100包括第一显示区100a和设置在第一显示区100a一侧的绑定区100b，绑定区100b包括多个绑定焊盘46和多根信号引线47；第二基板101包括第二显示区101a和设置在第二显示区101a一侧的切割区101b；第一显示区100a和第二显示区101a的位置相对应；切割区101b在第一基板100上的正投影和绑定区100b在第一基板100上的正投影相交叠。切割区101b设置有切割线1011。
第二基板101朝向第一基板100的一侧或者第一基板100朝向第二基板101的一侧包括切割阻挡层90，切割阻挡层90在第二基板101上的正投影，包含切割线1011在第二基板101上的正投影。
本实施例中，图3仅对切割区101b、绑定焊盘46以及切割阻挡层90的相对位置关系进行了示意，并不代表第一基板100和第二基板101的实际膜层结构。
本公开实施例中，切割阻挡层90在第二基板101上的正投影，包含切割线1011在第二基板101上的正投影，指的是，切割线1011在第二基板101上的正投影，落在切割阻挡层90在第二基板101上的正投影的边界线内。
在一些示例性实施例中，切割阻挡层90在第一方向上的长度与第二基板101在第一方向上的长度相等。
在一些示例性实施例中，切割阻挡层90包括沿第二方向y相对设置的第一侧边9001和第二侧边9002，第一侧边9011在第二基板101上的正投影和切割线1011在第二基板101上的正投影之间的距离a大于或等于预设的第一距离，第二侧边9002在第二基板101上的正投影和切割线1011在第二基板101上的正投影之间的距离a大于或等于预设的第一距离，第一方向x和第二方向y相交。
在一些示例性实施例中，第一距离可以为30微米至2毫米。示例性的，第一距离a可以为200微米。
在一些示例性实施例中，第一方向x和第二方向y相互垂直。
在一些示例性实施例中，第一侧边9001与第二显示区101a之间的距离小于第二侧边9002与第二显示区101a之间的距离；
第一基板100还包括第一封框胶区100c，第一封框胶区100c设置在第一显示区100a的周围且位于绑定区100b朝向第一显示区100a的一侧；第二基板101还包括第二封框胶区101c，第二封框胶区101c设置在第二显示区101a的周围且位于切割区101b朝向第二显示区101a的一侧，第一封框胶区100c和第二封框胶区101c之间设置有封框胶93，第一侧边9001与第二封框胶区101c之间的最短距离b大于预设的第二距离。
在一些示例性实施例中，第二距离可以为25微米至35微米。示例性的，第二距离可以为30微米。
在一些示例性实施例中，切割阻挡层90的材料可以为铂pt、钌ru、金au、银ag、钼mo、铬cr、铝al、钽ta、钛ti、钨w等金属中的一种或多种。
在一些示例性实施例中，切割阻挡层90的厚度可以为500埃米至5000埃米。示例性的，切割阻挡层90的厚度可以为1000埃米。
在一些示例性实施例中，切割阻挡层90在第二方向y上的宽度可以大于100微米。示例性的，切割阻挡层90在第二方向y上的宽度可以为300微米。
在一些示例性实施例中，沿显示面板的厚度方向，第二显示区101a包括第二柔性基底层、设置在第二柔性基底层上的第二绝缘层、设置在第二绝缘层上的黑矩阵以及设置在第二绝缘层上且位于相邻的黑矩阵之间的彩色滤光层。
沿显示面板的厚度方向，切割区101b包括第二柔性基底层、设置在第二柔性基底层上的第二绝缘层以及设置在第二绝缘层上的切割阻挡层。
下面通过本实施例显示面板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
本实施例显示面板的制备过程主要包括：
(一)在硬性基板上分别制备第一基板100和第二基板101；
(二)通过对盒工艺将第一基板100和第二基板101粘合在一起；
(三)对第二基板101进行单侧切割，以露出绑定区的多个绑定焊盘46；
(四)剥离第一基板100和第二基板101上的硬性基板；
(五)贴附偏光片；
(六)进行芯片和柔性电路板绑定。
其中，步骤(一)中制备第一基板100包括：
(1)如图4所示，在第一硬性基底10上形成第一柔性基底层20；
在一些实施例中，第一硬性基板10可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的材料制成的基板；第一柔性基底层20可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)层。
在一些实施例中，在第一硬性基板10上形成第一柔性基底层20，可以包括：在第一硬性基板10上涂覆一层pi溶液，并对pi溶液进行干燥处理以去除该pi溶液的溶剂，使该pi溶液的溶质保留形成第一柔性基底层20。其中，干燥处理工艺例如可以是低压干燥处理工艺、高压干燥处理工艺或风冷干燥处理工艺等，本公开实施例对此不做限定。
(2)如图5所示，在第一柔性基底层20上沉积第一绝缘薄膜，形成覆盖整个第一柔性基底层20的第一绝缘层30。在一示例性实施例中，第一绝缘层30又称为第一缓冲(buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力。
(3)如图6所示，在第一显示区100a形成公共电极40图案。形成公共电极40图案包括：在第一显示区100a的第一绝缘层30上沉积第一透明导电薄膜，在第一透明导电薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在公共电极图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第一透明导电薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成公共电极40图案。本实施例中，公共电极可以为面状电极。本次构图工艺中，绑定区100b的膜层结构没有变化，包括第一硬性基板10、设置在第一硬性基板10上的第一柔性基底层20以及设置在第一柔性基底层20上的第一绝缘层30。
(4)如图7所示，在第一显示区100a形成栅线(图中未示出)、公共电极线(图中未示出)和栅电极41图案。形成栅线、公共电极线和栅电极41图案包括：在第一显示区100a的第一绝缘层30上沉积第一金属薄膜，在第一金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在栅线、公共电极线和栅电极图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第一金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成栅线、公共电极线和栅电极41图案。本实施例中，栅线和栅电极41可以为一体结构，栅电极41负责提供薄膜晶体管的开启和关闭电压。公共电极线与栅线平行设置，并与公共电极40直接相连(公共电极线直接沉积在公共电极的上部边缘上)，负责引入公共电压。本次构图工艺中，绑定区100b的膜层结构没有变化。
(5)如图8所示，在第一显示区100a形成有源层43图案。在第一显示区100a形成有源层图案包括：先沉积一层栅绝缘层42，栅绝缘层42覆盖整个基底，随后沉积有源层薄膜，对有源层薄膜进行构图工艺处理，在第一显示区100a形成有源层43图案，有源层43位于栅电极41的上方。本次构图工艺中，绑定区100b的膜层结构只在第一绝缘层30上增加了一层栅绝缘层42。
(6)如图9所示，在第一显示区100a形成数据线(图中未示出)、源电极44和漏电极45图案，在绑定区100b形成绑定焊盘46和信号引线47(图9中未示出)图案。具体过程包括：沉积第二金属薄膜，对第二金属薄膜进行构图工艺处理，形成数据线、源电极44和漏电极45、绑定焊盘46和信号引线47图案，源电极44与数据线连接，漏电极45与源电极44相对设置，其间形成水平沟道。栅电极41、有源层43、源电极44和漏电极45组成薄膜晶体管，数据线与栅线垂直相交，负责提供信号电压。
(7)如图10所示，在第一显示区100a和绑定区100b形成带有过孔的钝化层48图案。形成带有过孔的钝化层48图案包括：沉积钝化层薄膜，在钝化层薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在第一过孔位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在其它位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，对完全曝光区域的钝化层薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成带有第一过孔48a和第二过孔48b的钝化层48图案，第一过孔48a位于漏电极45位置，第一过孔48a内的钝化层薄膜被刻蚀掉，暴露出漏电极45的表面；第二过孔48b位于绑定焊盘46位置，第二过孔48b内的钝化层薄膜被刻蚀掉，暴露出绑定焊盘46的表面。
(6)如图11所示，在第一显示区100a形成像素电极50图案。形成像素电极50图案包括：沉积第二透明导电薄膜，对第二透明导电薄膜进行构图工艺处理，形成像素电极50图案，像素电极50位于栅线和数据线所限定的像素区域，通过第一过孔48a与漏电极45连接。本实施例中，像素电极50为具有一定倾斜角度的狭缝电极。本次构图工艺中，绑定区100b的膜层结构没有变化。
本实施例中，第一金属薄膜和第二金属薄膜可以采用铂pt、钌ru、金au、银ag、钼mo、铬cr、铝al、钽ta、钛ti、钨w等金属中的一种或多种。第一绝缘薄膜、栅绝缘层和钝化层可以采用氮化硅sinx、氧化硅siox或sinx/siox的复合薄膜。第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ito或氧化铟锌izo。有源层的材料可以采用硅半导体或金属氧化物半导体。
虽然本实施例以六次构图工艺为例描述了制备第一基板100的过程，但实际实施时，制备本实施例第一基板100也可以采用五次构图工艺或更少的构图工艺次数。例如，前述形成公共电极图案的构图工艺与形成栅线、公共电极线和栅电极图案的构图工艺，可以通过采用半色调掩膜或灰色调掩技术的一次构图工艺形成，形成有源层图案的构图工艺与形成数据线、源电极、漏电极图案的构图工艺，也可以通过采用半色调掩膜或灰色调掩技术的一次构图工艺形成。虽然本实施例以底栅结构为例描述了薄膜晶体管的结构，但实际实施时，薄膜晶体管也可以采用顶栅结构，本公开在此不做具体限定。
虽然本实施例以ads型第一基板为例进行了说明，但本公开技术构思也可以应用于扭曲向列型(twistednematic，tn)型、平面转换(inplaneswitching，ips)型和边缘场开关(fringefieldswitching，ffs)型第一基板。
通过上述过程，即完成本实施例第一基板100的制备。
其中，步骤(一)中制备第二基板101可以包括：
(1)如图12所示，在第二硬性基板60上形成第二柔性基底层70；
在一些实施例中，第二硬性基板60可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的材料制成的基板；第二柔性基底层70可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)层。
在一些实施例中，在第二硬性基板60上形成第二柔性基底层70，可以包括：在第二硬性基板60上涂覆一层pi溶液，并对pi溶液进行干燥处理以去除该pi溶液的溶剂，使该pi溶液的溶质保留形成第二柔性基底层70。其中，干燥处理工艺例如可以是低压干燥处理工艺、高压干燥处理工艺或风冷干燥处理工艺等，本公开实施例对此不做限定。
(2)如图13所示，在第二柔性基底层70上沉积第二绝缘薄膜，形成覆盖整个第二柔性基底层70的第二绝缘层80。在一示例性实施例中，第二绝缘层80又称为第二缓冲(buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力。第一绝缘薄膜可以采用氮化硅sinx、氧化硅siox或sinx/siox的复合薄膜。
(3)如图14所示，在第二绝缘层80上形成切割阻挡层90。形成切割阻挡层90包括：沉积第三金属薄膜，对第三金属薄膜进行构图工艺处理，形成切割阻挡层90图案。本实施例中，切割阻挡层90在第二基板101上的正投影覆盖切割线1011在第二基板101上的正投影。本公开实施例中的切割线1011可以为一条虚拟的直线，可通过对位标记进行标识，用于激光切割时进行对位。
在示例性实施例中，切割阻挡层90在第二方向y上的宽度大于100微米，优选的，切割阻挡层90在第二方向y上的宽度可以为300微米。
在示例性实施例中，切割阻挡层90的厚度可以为500埃米至5000埃米，优选的，切割阻挡层90的厚度可以为1000埃米。
在示例性实施例中，切割阻挡层90的材料可以为铂pt、钌ru、金au、银ag、钼mo、铬cr、铝al、钽ta、钛ti、钨w等金属中的一种或多种。
(3)如图14所示，在第二显示区101a形成黑矩阵91，并在黑矩阵91之间形成彩色滤光层92。
本实施例中，黑矩阵和彩色滤光层图案与切割阻挡层90图案的形成顺序可以颠倒，即，也可以先形成切割阻挡层90图案，再形成黑矩阵和彩色滤光层图案。
通过上述过程，即完成本实施例第二基板101的制备。
其中，步骤(二)可以包括：在第一基板100的周边涂覆封框胶93，并在第二基板101上滴下液晶，将填充有液晶的第二基板101与涂覆有封框胶93的第一基板100对盒组立；用紫外线对封框胶93进行固化，完成对盒过程。
其中，步骤(三)可以包括：使用激光，由第二硬性基板60侧沿切割区入射，对第二基板101进行单侧切割。切割第二基板101后穿透的残余激光能量将被切割阻挡层吸收或反射，不会对第一基板造成损伤。在切割完成后，切割区101b被切割掉，切割区会存在残留的切割阻挡层金属，但是，由于绑定区上有绝缘层保护，残留的切割阻挡层金属不会造成短路的风险。
在示例性实施例中，激光切割所使用的激光波长对刚性载体(本实施例中，刚性载体指的是第二硬性基板60)的透过率大于80％，优选的，对刚性载体的透过率大于90％。
在示例性实施例中，激光切割所使用的激光波长对柔性衬底(本实施例中，柔性衬底指的是第二柔性基底层70)的透过率小于5％；优选的，对柔性衬底的透过率小于1％。
在示例性实施例中，激光切割所使用的激光波长对切割阻挡层90的透过率小于1％；优选的，对切割阻挡层90的透过率小于0.01％。
其中，步骤(四)可以包括：采用剥离(liftoff)工艺或者激光镭射的方式将第二硬性基板60和第二柔性基底层70剥离，且将第一硬性基板10和第二柔性基底层20剥离。
其中，步骤(五)可以包括：在第一基板100远离第二基板101一侧贴附第一偏光片，在第二基板101远离第一基板100一侧贴附第二偏光片；
其中，步骤(六)可以包括：对第一基板100进行芯片和柔性电路板绑定。
通过上述过程，即完成本实施例显示面板的制备。通过上述制备过程可以看出，本实施例显示面板通过在第二基板101朝向第一基板100的一侧设置切割阻挡层90，且切割阻挡层90在第二基板101上的正投影包含切割线1011在第二基板101上的正投影，使得激光能量不会对第一基板100上的绑定焊盘46或信号引线47造成损伤或失效，从而提高了显示面板的显示性能。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示面板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本公开实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
在本公开实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
1.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，其中：
所述第一基板包括第一显示区和设置在所述第一显示区一侧的绑定区；
所述第二基板包括第二显示区和设置在所述第二显示区一侧的切割区，所述切割区在所述第一基板上的正投影和所述绑定区在所述第一基板上的正投影相交叠；所述切割区设置有切割线；
所述第二基板朝向所述第一基板的一侧还设置有切割阻挡层，所述切割阻挡层在所述第二基板上的正投影，包含所述切割线在所述第二基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述切割阻挡层在第一方向上的长度与所述第二基板在第一方向上的长度相等。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述切割阻挡层包括沿第二方向相对设置的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边在所述第二基板上的正投影和所述切割线在所述第二基板上的正投影之间的距离大于或等于预设的第一距离，所述第二侧边在所述第二基板上的正投影和所述切割线在第二基板上的正投影之间的距离大于或等于预设的第一距离，所述第一方向和所述第二方向相交。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一距离为30微米至2毫米。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述切割阻挡层在第二方向上的宽度大于100微米。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一侧边与所述第二显示区之间的距离小于所述第二侧边与所述第二显示区之间的距离；
所述第一基板还包括第一封框胶区，所述第一封框胶区设置在所述第一显示区的周围且位于所述绑定区朝向所述第一显示区的一侧；所述第二基板还包括第二封框胶区，所述第二封框胶区设置在所述第二显示区的周围且位于所述切割区朝向所述第二显示区的一侧，所述第一封框胶区和所述第二封框胶区之间设置有封框胶，所述第一侧边与所述第二封框胶区之间的最短距离大于30微米。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述切割阻挡层的材料为铂pt、钌ru、金au、银ag、钼mo、铬cr、铝al、钽ta、钛ti、钨w等金属中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述切割阻挡层的厚度为500埃米至5000埃米。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿所述显示面板的厚度方向，所述第二显示区包括第二柔性基底层、设置在所述第二柔性基底层上的第二绝缘层、设置在第二绝缘层上的黑矩阵以及设置在所述第二绝缘层上且位于相邻的黑矩阵之间的彩色滤光层；
沿所述显示面板的厚度方向，所述切割区包括第二柔性基底层、设置在所述第二柔性基底层上的第二绝缘层以及设置在所述第二绝缘层上的所述切割阻挡层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一所述的显示面板。
技术总结