本实用新型涉及半导体芯片封装领域，尤其涉及大电流半包封光伏旁路二极管。
背景技术：
在太阳能电池组件的使用过程中部分位置可能被遮蔽，进而作为负载消耗能量并发热，这就是热斑效应，它对组件有严重的破坏作用。将一个旁路二极管并联在组件两端，正常时处于反向偏置状态，当出现热斑时，二极管正向导通，有效地保护电池组件。近年来随着大规格组件的发展再叠加半片、双面双玻技术，整体组件功率已大大提高，因此对接线盒报备电流有了更高的要求，当电流过大芯片会因结温过高导致失效，目前行业内解决方案是通过多芯片并联或者大芯片实现强的电流能力，但芯片成本高，多芯片产品失效风险大，而且随着芯片总面积的增大，漏电流也会增加，降低电池组件效率。
技术实现要素：
本实用新型针对以上问题，提供了结构紧凑合理、散热性能好、降低生产成本的大电流半包封光伏旁路二极管。
本实用新型的技术方案是：包括框架一、框架二、芯片和连接线；所述芯片固定连接在所述框架一上；所述芯片通过连接线与所述框架二电性连接；所述框架一包括依次固定连接的引脚部、连接部和铜质承载部；
所述铜质承载部的厚度大于所述连接部的厚度；
所述芯片通过锡焊固定连接在所述铜质承载部上。
所述铜质承载部的顶部靠近边缘处设有燕尾槽。
所述铜质承载部的厚度为1.0mm~2.2mm。
所述铜质承载部的厚度为2mm。
所述连接部的厚度为0.5mm~1.0mm。
所述连接部的厚度为0.7mm。
所述铜质承载部的底部设有若干散热槽一。
所述铜质承载部的侧面设有若干竖向设置的散热槽二。
所述铜质承载部与框架二的端部通过塑封体封装。
所述塑封体与所述铜质承载部的边缘处之间设有间隔。
本实用新型中芯片通过连接线与所述框架二电性连接；框架一包括依次固定连接的引脚部、连接部和铜质承载部；铜质承载部的厚度大于所述连接部的厚度；芯片通过锡焊固定连接在所述铜质承载部上。本案使芯片承载区域较厚，利于芯片散热，其余区域使用常规厚度框架，进行模块化设计，铆端易于折弯且不致产生过大应力增加芯片风险，同时节约了铜材。使用单颗芯片即可达到大芯片产品以及多晶产品的通电流能力，解决了多晶产品成本高，失效率高，漏电大等问题。本实用新型具有结构紧凑合理、散热性能好、降低生产成本等特点。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图，
图2是图1的侧面结构示意图，
图3是塑封体与铜质承载部进一步优化的结构示意图；
图中1是框架一，11是引脚部，12是连接部，13是铜质承载部，131是燕尾槽，2是框架二，3是芯片，4是连接线，5是塑封体。
具体实施方式
本实用新型如图1-3所示，包括框架一1、框架二2、芯片3和连接线4；所述芯片3固定连接在所述框架一1上；所述芯片3通过连接线4与所述框架二2电性连接；所述框架一1包括依次固定连接的引脚部11、连接部12和铜质承载部13；
所述铜质承载部13的厚度大于所述连接部12的厚度；
所述芯片3通过锡焊固定连接在所述铜质承载部13上。
本案通过增加铜质承载部13的厚度（图2中高度方向）避免了使用更大或更多芯片3实现大电流能力，大大降低了成本，解决了多芯片3失效率高的问题，降低了旁路二极管不工作时的漏电损耗。铜的热导率为401(w/mk)，通过本案结构改进，进一步提升了散热性，产品外围长宽尺寸并未增加，且除芯片3放置区域（铜质承载部13）外，均使用常规框架厚度。
所述铜质承载部13的顶部靠近边缘处设有燕尾槽131。采用燕尾槽131设计，增强了塑封体5与框架一1的结合性。
所述铜质承载部13的厚度为1.0mm~2.2mm。
所述铜质承载部13的厚度为2mm。
所述连接部12的厚度为0.5mm~1.0mm。
所述连接部12的厚度为0.7mm。
所述铜质承载部13的底部设有若干散热槽一，进一步提升铜质承载部13底部散热面积，提高散热性能。
所述铜质承载部13的侧面设有若干竖向设置的散热槽二，进一步提升铜质承载部13侧面的散热面积，提高散热性能。
所述铜质承载部13与框架二2的端部通过塑封体5封装。塑封体5采用局部塑封的形式，进一步将上表面铜板外露，增强了芯片3放置区域与外界环境的换热，同时兼具了分向的作用。
塑封体5起到保护和电器绝缘作用，还具有散热通路和缓和应力的作用，设计成t型结构便于分向(二极管的正负极，t字头部为正极，尾部为负极，即芯片放置区域一侧为负极)。
进一步优化，所述塑封体5与所述铜质承载部的边缘处之间设有间隔。如图3所示，塑封体5与铜质承载部13的上端部和左右端部分别留有间隔，间隔处的铜外露，提高散热性能。
所述引脚部11呈u型结构。用于与接线盒进行连接。
对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
1.大电流半包封光伏旁路二极管，包括框架一、框架二、芯片和连接线；所述芯片固定连接在所述框架一上；所述芯片通过连接线与所述框架二电性连接；其特征在于，所述框架一包括依次固定连接的引脚部、连接部和铜质承载部；
所述铜质承载部的厚度大于所述连接部的厚度；
所述芯片通过锡焊固定连接在所述铜质承载部上。
2.根据权利要求1所述的大电流半包封光伏旁路二极管，其特征在于，所述铜质承载部的顶部靠近边缘处设有燕尾槽。
3.根据权利要求1或2所述的大电流半包封光伏旁路二极管，其特征在于，所述铜质承载部的厚度为1.0mm~2.2mm。
4.根据权利要求3所述的大电流半包封光伏旁路二极管，其特征在于，所述铜质承载部的厚度为2mm。
5.根据权利要求1所述的大电流半包封光伏旁路二极管，其特征在于，所述连接部的厚度为0.5mm~1.0mm。
6.根据权利要求5所述的大电流半包封光伏旁路二极管，其特征在于，所述连接部的厚度为0.7mm。
7.根据权利要求1所述的大电流半包封光伏旁路二极管，其特征在于，所述铜质承载部的底部设有若干散热槽一。
8.根据权利要求1所述的大电流半包封光伏旁路二极管，其特征在于，所述铜质承载部的侧面设有若干竖向设置的散热槽二。
9.根据权利要求1所述的大电流半包封光伏旁路二极管，其特征在于，所述铜质承载部与框架二的端部通过塑封体封装。
10.根据权利要求9所述的大电流半包封光伏旁路二极管，其特征在于，所述塑封体与所述铜质承载部的边缘处之间设有间隔。
技术总结