本实用新型属于二极管技术领域，尤其涉及一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构。
背景技术：
二极管是一种具有单向传导电流的电子器件，在半导体二极管内部有一个pn结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。
传统的贴片二极管一般是上下对称式结构，忽视了二极管芯片结面的分布差异，故热阻表现较差，不适用于抛负载相关应用。
技术实现要素：
本实用新型提供一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，旨在解决传统的贴片二极管一般是上下对称式结构，忽视了二极管芯片结面的分布差异，故热阻表现较差，不适用于抛负载相关应用的问题。
本实用新型是这样实现的，一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，包括黑胶、下框架、上框架、芯片、结面、焊料、上框架外延和铜框架，所述下框架固定连接于所述黑胶内部，所述上框架的其中一端贯穿所述黑胶，并与所述黑胶内壁固定连接，所述芯片位于所述下框架和所述上框架之间，所述结面焊接于所述芯片的顶部，所述焊料位于所述芯片底部，并与所述芯片固定连接，所述上框架外延与所述上框架贯穿所述黑胶的一端焊接，所述铜框架位于所述上框架外延右侧，并与所述芯片的顶部焊接。
优选的，所述黑胶的数量为两个，两个所述黑胶均呈矩形盒状结构，两个所述黑胶之间相互卡接在一起。
优选的，所述黑胶的左右两侧均开设有一个矩形贯穿孔，所述黑胶左侧开设的矩形贯穿孔的孔径等于所述下框架的横截面大小，所述黑胶右侧开设的矩形贯穿孔的孔径等于所述上框架横截面大小。
优选的，所述芯片位于所述下框架和所述上框架之间，所述芯片通过所述结面和所述焊料分别与所述下框架和所述上框架电性连接。
优选的，所述下框架和所述上框架贯穿所述黑胶外的一端均向下弯曲，使所述下框架和所述上框架分别呈p状和n状。
优选的，所述上框架外延呈矩形板状结构，所述上框架外延的截面大小与所述上框架的截面大小相同，并与所述上框架焊接在一起。
优选的，所述铜框架的中间开设有矩形孔洞，所述铜框架通过矩形孔洞套设于所述上框架的外表面，并与所述上框架固定连接。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，通过设置上框架、芯片、下框架、上框架外延和铜框架，上框架和下框架的其中一端分别从黑胶的左右两侧贯穿黑胶，上框架位于黑胶内部的一端上焊接有上框架外延，将上框架向外适当延伸，并在上框架顶部固定连接铜框架增加与结面相邻的框架的厚度，提升焊接邻近处的铜量，从而提升了器件瞬间散热的能力，并增大了芯片的散热通道，避免了传统的二极管一般为上下对称式结构，热阻表现较差，不适用于抛负载相关应用的问题。
附图说明
图1为本实用新型的平面结构示意图；
图2为本实用新型中的传统二极管结构示意图；
图3为本实用新型中的整体结构示意图；
图中：11、黑胶；12、下框架；13、上框架；14、芯片；15、结面；16、焊料；17、上框架外延；18、铜框架。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，包括黑胶11、下框架12、上框架13、芯片14、结面15、焊料16、上框架外延17和铜框架18，下框架12固定连接于黑胶11内部，上框架13的其中一端贯穿黑胶11，并与黑胶11内壁固定连接，芯片14位于下框架12和上框架13之间，结面15焊接于芯片14的顶部，焊料16位于芯片14底部，并与芯片14固定连接，上框架外延17与上框架13贯穿黑胶11的一端焊接，铜框架18位于上框架外延17右侧，并与芯片14的顶部焊接。
在本实施方式中，在上框架13位于黑胶11内部的一端上焊接有上框架外延17，上框架13的外表面上套设有铜框架18，铜框架18，在传统二片式二极管的基础上，通过设置铜框架18增加与结面15相邻的框架的厚度，并作设置上框架外延17作适当的外延，从而提升焊接邻近处的铜量，提升了器件瞬间散热的能力，并增大了芯片14的散热通道，提升抛负载冲击下的散热能力，避免了传统的二极管一般为上下对称式结构，忽视了二极管芯片14和结面15的分布差异，故热阻表现较差，不适用于抛负载相关应用的问题。
在本实施方式中，使用时，将芯片14安装在黑胶11内部，然后在芯片14的顶部焊接结面15，并通过结面15将芯片14与上框架13的贯穿黑胶11的一端电性连接，芯片14的底部下面焊接有焊料16，并通过焊料16与下框架12焊接，下框架12和上框架13贯穿黑胶11外的一端均向下弯曲，使下框架12和上框架13分别呈p状和n状，使上框架13和下框架12能够形成的p-n结界面，在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，使二极管具备单向电流的传导性，在上框架13位于黑胶11内部的一端上焊接有上框架外延17，上框架13的外表面上套设有铜框架18，铜框架18，在传统二片式二极管的基础上，通过设置铜框架18增加与结面15相邻的框架的厚度，并作设置上框架外延17作适当的外延，从而提升焊接邻近处的铜量，提升了器件瞬间散热的能力，并增大了芯片14的散热通道，提升抛负载冲击下的散热能力，该tvs二极管结构可以满足汽车抛负载测试国际标准iso7637-2和iso16750-2以及国家标准gb21437.2波形5a和5b的测试要求。
进一步的，黑胶11的数量为两个，两个黑胶11均呈矩形盒状结构，两个黑胶11之间相互卡接在一起。
在本实施方式中，设置两个黑胶11，用于保护内部元件，并将内部元件整合在一起，将两个黑胶11之间相互卡接在一起，便于对黑胶11内部元件的安装和拆卸。
进一步的，黑胶11的左右两侧均开设有一个矩形贯穿孔，黑胶11左侧开设的矩形贯穿孔的孔径等于下框架12的横截面大小，黑胶11右侧开设的矩形贯穿孔的孔径等于上框架13横截面大小。
在本实施方式中，在黑胶11的左右两侧均开设有一个矩形贯穿孔，使上框架13和下框架12的其中一端能够通过黑胶11左右两侧开设的贯穿孔贯穿黑胶11，并与黑胶11内部的芯片14电性连接。
进一步的，芯片14位于下框架12和上框架13之间，芯片14通过结面15和焊料16分别与下框架12和上框架13电性连接。
在本实施方式中，将芯片14位于下框架12和上框架13之间，芯片14通过结面15和焊料16分别与下框架12和上框架13电性连接，使上框架13和下框架12通电后能够使芯片14与外部电源连接。
进一步的，下框架12和上框架13贯穿黑胶11外的一端均向下弯曲，使下框架12和上框架13分别呈p状和n状。
在本实施方式中，使上框架13和下框架12能够形成的p-n结界面，在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
进一步的，上框架外延17呈矩形板状结构，上框架外延17的截面大小与上框架13的截面大小相同，并与上框架13焊接在一起。
在本实施方式中，在上框架13上设置截面大小与上框架13相同的上框架外延17，用于提升焊接邻近处的铜量，提升器件瞬间散热的能力，并增大芯片14的散热通道，提升抛负载冲击下的散热能力。
进一步的，铜框架18的中间开设有矩形孔洞，铜框架18通过矩形孔洞套设于上框架13的外表面，并与上框架13固定连接。
在本实施方式中，在上框架13的外表面设置铜框架18，用于提升焊接邻近处的铜量，提升器件瞬间散热的能力，并增大芯片14的散热通道，提升抛负载冲击下的散热能力。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
1.一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，包括黑胶(11)、下框架(12)、上框架(13)、芯片(14)、结面(15)、焊料(16)、上框架外延(17)和铜框架(18)，其特征在于：所述下框架(12)固定连接于所述黑胶(11)内部，所述上框架(13)的其中一端贯穿所述黑胶(11)，并与所述黑胶(11)内壁固定连接，所述芯片(14)位于所述下框架(12)和所述上框架(13)之间，所述结面(15)焊接于所述芯片(14)的顶部，所述焊料(16)位于所述芯片(14)底部，并与所述芯片(14)固定连接，所述上框架外延(17)与所述上框架(13)贯穿所述黑胶(11)的一端焊接，所述铜框架(18)位于所述上框架外延(17)右侧，并与所述芯片(14)的顶部焊接。
2.如权利要求1所述的一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，其特征在于：所述黑胶(11)的数量为两个，两个所述黑胶(11)均呈矩形盒状结构，两个所述黑胶(11)之间相互卡接在一起。
3.如权利要求1所述的一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，其特征在于：所述黑胶(11)的左右两侧均开设有一个矩形贯穿孔，所述黑胶(11)左侧开设的矩形贯穿孔的孔径等于所述下框架(12)的横截面大小，所述黑胶(11)右侧开设的矩形贯穿孔的孔径等于所述上框架(13)横截面大小。
4.如权利要求1所述的一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，其特征在于：所述芯片(14)位于所述下框架(12)和所述上框架(13)之间，所述芯片(14)通过所述结面(15)和所述焊料(16)分别与所述下框架(12)和所述上框架(13)电性连接。
5.如权利要求1所述的一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，其特征在于：所述下框架(12)和所述上框架(13)贯穿所述黑胶(11)外的一端均向下弯曲，使所述下框架(12)和所述上框架(13)分别呈p状和n状。
6.如权利要求1所述的一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，其特征在于：所述上框架外延(17)呈矩形板状结构，所述上框架外延(17)的截面大小与所述上框架(13)的截面大小相同，并与所述上框架(13)焊接在一起。
7.如权利要求1所述的一种适用于汽车抛负载的贴片tvs二极管结构，其特征在于：所述铜框架(18)的中间开设有矩形孔洞，所述铜框架(18)通过矩形孔洞套设于所述上框架(13)的外表面，并与所述上框架(13)固定连接。
技术总结