本发明是关于一种换能装置、换能结构及其制造方法。
背景技术：
超声波成像技术为利用超声波反射的原理来建立图像，举例而言，是通过将电子脉冲激发的振动传送到体内，待振动抵达待测物边界被弹回后，再转换成电流，进而转换为图像呈现。使得超声波换能器可应用于医生图像、指纹辨识及手势识别等。常见的超声波换能器包括三种技术类型，例如块材压电陶瓷换能器(bulkpiezoelectricceramicstransducer)、电容式微机械超声波感测器(capacitivemicromachinedultrasonictransducer；cmut)以及压电式微机械超声波感测器(piezoelectricmicromachinedultrasonictransducer；pmut)。如果换能器的元件可靠度低，则可能会影响超声波的传递。
技术实现要素：
本发明提供一种换能结构及换能装置，其上振荡部的表面平整度高。
本发明提供一种换能结构的制造方法，其毋须对第二绝缘层进行蚀刻，而避免了此蚀刻制程不精准时所造成的对上振荡部过度蚀刻所导致的上振荡部被损害的风险。
本发明的换能结构包括基板、第一电极、无机层、第一绝缘层、多个第二绝缘部以及第二电极。第一电极配置于基板上。无机层位于第一电极上，无机层具有下振荡部及多个孔洞，孔洞位于下振荡部的两侧。第一绝缘层包括上振荡部及多个第一绝缘部，上振荡部位于下振荡部之上，多个第一绝缘部位于第一电极上，且第一电极、第一绝缘部及下振荡部共同形成一空腔。第二绝缘部分别位于第一绝缘部上，第二绝缘部分别通过孔洞接触第一绝缘部，且第二绝缘部的材料和第一绝缘部的材料不同。第二电极位于上振荡部之上，空腔位于第一电极及第二电极之间。
本发明的换能装置包括多个如上所述的换能结构及线路。各换能结构的第一电极之间至少沿一方向互相分开，且各第一电极呈阵列排列。线路位于换能结构的一侧，其中换能结构的各第一电极之间通过线路互相电性连接，且线路及第一电极为同一膜层。
本发明的换能结构的制造方法包括以下步骤。形成第一电极在基板上。形成牺牲层在第一电极上。形成无机层在牺牲层及第一电极上。图案化无机层，以形成多个上孔洞及一下振荡部，上孔洞位于下振荡部的两侧，且牺牲层通过上孔洞露出。移除牺牲层，以形成分别位于上孔洞下方的下孔洞及位于下振荡部下方的一容置空间。形成第一绝缘层在无机层上，其中第一绝缘层具有多个第一绝缘部及一上振荡部，上振荡部位于下振荡部之上，第一绝缘部分别填入下孔洞中，第一电极、第一绝缘部及下振荡部共同形成一空腔。以第二绝缘部分别填入上孔洞中，以第二绝缘部分别填入上孔洞中，第二绝缘部分别位于第一绝缘部上，其中第二绝缘部的材料包括光阻。
基于上述，本发明的换能结构及换能装置的上振荡部的表面平整度高。借此，上振荡部及下振荡部所共同构成的振荡膜所提供的超声波的频率具有高稳定性。本发明的换能结构的制造方法可利用光罩对第二绝缘层进行微影制程，以移除部分的第二绝缘层，借此形成第二绝缘部。由于第二绝缘层的材料和第一绝缘层的材料不同，因此，去除部分的第二绝缘层时不会伤害上振荡部。且其毋须对第二绝缘层进行蚀刻，而避免了此蚀刻制程不精准时所造成的对上振荡部过度蚀刻所导致的上振荡部被损害的风险。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1至图10为依照本发明一实施例的换能结构的制造流程的剖面示意图。
图11为图10的换能结构的立体图。
图12a为依照本发明一实施例的超声波探头的立体示意图。
图12b为图12a的换能装置的俯视示意图。
第12c图为依照另一实施例的换能装置的俯视示意图。
图13为图12b于电子显微镜下的局部图像。
图14为图12b沿剖线14-14'的剖面图像。
图15为图14的区域r的放大示意图。
图16至图21为依照本发明另一实施例的换能结构的制造流程的剖面示意图。
其中，附图标记：
10,10':换能结构
14-14':剖线
20,20a:换能装置
30:超声波探头
100:基板
102,102a:第一电极
104:牺牲膜材料
104a:牺牲层
106:图案化光阻
108:光罩
110:无机层
112:第一绝缘层
112a:上振荡部
112b:第一绝缘部
112c:侧壁部
112r:凹槽
114,114':振荡膜
116:第二绝缘层
116a:第二绝缘部
118:光罩
120,120':第二电极
122:线路
124:线路
200:壳体
202:声波匹配层
204:背衬材料
206:声波透镜
cvt:空腔
d1:第一方向
d2:第二方向
r:区域
sp:容置空间
ss:侧壁
t0,t1,t2:厚度
t00:高度
t1',t2':厚度
th1:上孔洞
th2:下孔洞
具体实施方式
阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本发明的多个实施方式。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准做法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于所附图式中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图1至图10为依照本发明一实施例的换能结构10的制造流程的剖面示意图。请参照图1，首先，形成第一电极102在基板100上。基板100可包括硬性基板或柔性基板，且其材料例如为玻璃、塑胶、或其它合适的材料、或前述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，第一电极102的材料可包括金属，例如铝、铜。在一些实施例中，第一电极102的形成方法可以是化学气相沉积(chemicalvapordeposition；cvd)、物理气相沉积(physicalvapordeposition；pvd)、原子层沉积(atomiclayerdeposition；ald)、真空热蒸镀(vacuumthermalevaporation；vte)、溅镀(sputtering)或其组合。
请参照图2，全面地形成牺牲膜材料104在第一电极102上。接着，形成图案化光阻106于牺牲膜材料104上。在本实施例中，牺牲膜材料104可包括金属、金属的氧化物或铟锡氧化物(indiumtinoxide，ito)，其中金属例如是铜(cu)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)、铁(fe)、镍(ni)、钼(mo)、钨(w)。形成图案化光阻106的方法例如是于牺牲膜材料104上形成光阻材料层(图未示)，利用光罩108对光阻材料层进行微影制程，以形成图案化光阻106。
之后，以图案化光阻106为罩幕，对牺牲膜材料104进行蚀刻制程，然后移除图案化光阻106，以形成位于第一电极102上的牺牲层104a，如图3所示。移除图案化光阻106的方法例如是进行光阻去除(strip)制程。于本实施例中，牺牲层104a的厚度t0为500埃
接着，请参照图4，形成无机层110在牺牲层104a及第一电极102上。举例而言，无机层110的材质例如是氮化硅(sinx)。于本实施例中，无机层110的厚度t1例如是3000埃至9000埃之间。借此，所沉积(as-deposited)的无机层110的厚度t1足够小而可避免基板100翘曲(bending)。于本实施例中，无机层110的材料例如是氮化硅(sinx)。
请参照图5，图案化无机层110，以形成多个上孔洞th1及下振荡部110a。举例而言，可形成两个上孔洞th1。上孔洞th1位于下振荡部110a的两侧。换言之，下振荡部110a位于上孔洞th1之间。且牺牲层104a的两端通过上孔洞th1露出。上孔洞th1相当于用于移除牺牲层104a的蚀刻洞。于本实施例中，下振荡部110a的厚度t1例如是3000埃至9000埃之间。
请参照图6，借由上孔洞th1来移除牺牲层104a，以形成分别位于上孔洞th1下方的下孔洞th2及位于下振荡部110a下方的容置空间sp。于本实施例中，移除牺牲层104a的方法例如是蚀刻制程。
请参照图7，形成第一绝缘层112在无机层110及第一电极102上。举例而言，第一绝缘层112包括上振荡部112a及多个第一绝缘部112b。举例而言，第一绝缘层112可包括两个第一绝缘部112b。第一绝缘部112b分别通过上孔洞th1填入下孔洞th2中，使第一绝缘部112b位于第一电极102上，也就是说，第一绝缘部112b接触第一电极102，借此，第一电极102、第一绝缘部112b及下振荡部110a共同形成一空腔cvt。空腔cvt中可为空气或真空。
上振荡部112a位于下振荡部110a之上。各第一绝缘部112b的厚度t2大于及/或等于空腔cvt的高度t00(或是牺牲层104a的厚度t0)，以确保后续制程的可靠度。举例而言，可确保接下来要形成于第一绝缘层112上的第二绝缘层116(见图8)不会流动到空腔cvt中而使空腔cvt的尺寸受到影响，举例而言，不会使空腔cvt的尺寸缩减。已知换能结构10可产生的超声波的频率和空腔cvt的尺寸呈负相关。也就是说，空腔cvt尺寸越大则频率越低，空腔cvt尺寸越小则频率越高。由于空腔cvt的尺寸不受到影响，借此可确保换能结构10可产生的超声波的频率的可靠度。于本实施例中，第一绝缘层112的厚度为1000埃至5500埃。举例而言，第一绝缘部112b的厚度t2至少比空腔cvt的高度t00(或是牺牲层104a的厚度t0)大500埃，例如各第一绝缘部112b的厚度t2为1000埃至5500埃，上振荡部112a的厚度t2为1000埃至5500埃。于本实施例中，第一绝缘层112的材料和无机层110的材料相同。举例而言，第一绝缘层112的材料例如是氮化硅(sinx)。借此，第一绝缘层112的上振荡部112a及无机层110的下振荡部110a可共同构成换能结构10的振荡膜114，且所沉积(as-deposited)的第一绝缘层112(例如上振荡部112a及第一绝缘部112b)的厚度t2足够小而可避免基板100翘曲(bending)，并且，由于第一绝缘层112的厚度t2足够小且毋须对第一绝缘层112进行蚀刻制程，因此也避免了厚膜蚀刻均匀性的问题。
于本实施例中，第一绝缘层112还包括侧壁部112c，侧壁部112c位于无机层110的上孔洞th1的侧壁ss上。换言之，侧壁部112c自第一绝缘部112b的顶面延伸至无机层110的上孔洞th1的侧壁ss然后和上振荡部112a连接，使得侧壁部112c及各第一绝缘部112b共同形成凹槽112r。借此，可进一步确保接下来要形成于第一绝缘层112上的第二绝缘层116(见第8图)不会流动到空腔cvt中而使空腔cvt的尺寸受到影响。
请参照图8，全面地形成第二绝缘层116于第一绝缘层112上。举例而言，第二绝缘层116覆盖第一绝缘层112的上振荡部112a，且第二绝缘层116填满无机层110的上孔洞th1的剩余空间，并填入第一绝缘层112的侧壁部112c及各第一绝缘部112b所共同形成的凹槽112r中。第二绝缘层116的形成方法例如是旋转涂布(spincoating)法。举例而言，第二绝缘层116的材料包括有机材料。于本实施例中，第二绝缘层116的材料包括光阻。光阻为液态材料，因此，毋须真空设备或低温设备来形成第二绝缘层116，借此可达到制程方便性。于本实施例中，第二绝缘层116的厚度为0.5微米至3微米。
请参照图9，去除部分的第二绝缘层116，以形成多个第二绝缘部116a分别填入上孔洞th1的剩余空间及凹槽112r中。举例而言，形成两个第二绝缘部116a分别填入两个上孔洞th1的剩余空间及凹槽112r中。第二绝缘部116a分别位于第一绝缘部112b上，第二绝缘部116a分别通过上孔洞th1接触第一绝缘部112b。于本实施例中，各侧壁部112c沿水平方向位于下振荡部110a及各第二绝缘部116a之间。
于本实施例中，第二绝缘层116的材料和第一绝缘层112的材料不同，举例而言，第二绝缘层116的材料包括有机材料(例如光阻)，可利用光罩118对第二绝缘层116进行微影制程，以移除部分的第二绝缘层116，借此形成第二绝缘部116a。由于第二绝缘层116的材料和第一绝缘层112的材料不同，因此，去除部分的第二绝缘层116时不去除第一绝缘层112。也就是说，不会损伤第一绝缘层112。举例而言，不会伤害上振荡部112a。已知换能结构10可产生的超声波的频率及稳定性和振荡膜114的特性相关。举例而言，超声波的频率和振荡膜114的厚度呈正相关，且超声波的稳定性和振荡膜114的表面平整度呈正相关。由于上振荡部112a不会受到损伤，使得上振荡部112a的表面平整度高，换言之，上振荡部112a的表面粗糙度低，并且，上振荡部112a的厚度t2均匀。借此，上振荡部112a及下振荡部110a所共同构成的振荡膜114所提供的超声波的频率具有高稳定性，而提高了振荡膜114的可靠度。
由于无机层110的上孔洞th1是分别由第二绝缘部116a所填满，且第二绝缘部116a的材料包括光阻，因此可省去对第二绝缘层116进行蚀刻制程的步骤，换言之。毋须对第二绝缘层116进行精准的蚀刻制程控制，而避免了此蚀刻制程不精准时所造成的对上振荡部112a过度蚀刻所导致的上振荡部112a被损害的风险，使换能结构10的制程困难度降低。
请参照图10，形成第二电极120于上振荡部112a之上，其中空腔cvt位于第一电极102及第二电极120之间。于一些实施例中，第二电极120的材料可包括金属，例如铝、铜。在一些实施例中，第二电极120的形成方法可以是化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)、原子层沉积(ald)、蒸镀(vte)、溅镀(spt)或其组合沉积一整面的金属材料层(图未示)，再借由微影以及蚀刻的制程以形成第二电极120。于此，便完成本发明的换能结构10。于本实施例中，换能结构10是以电容式机械超声波感测(capacitivemicromachinedultrasonictransducer；cmut)为例。第一电极102及第二电极120作为感测信号的电容，空腔cvt可提供第二电极120振动的空间。当超声波作用在第二电极120时，第二电极120会开始振动，使得第一电极102和第二电极120之间的电容值发生变化，借由这个电容值的变化，可使用接收电路(图未示)取得信号值。
图11为图10的换能结构10的立体图。为了方便说明，图11中示出了第一方向d1及第二方向d2，其中第一方向d1和第二方向d2相交。于本实施例中，第一方向d1实质上垂直于第二方向d2，但本发明不限于此。请参照图11，第二电极120沿着第一方向d1延伸。
图12a为依照本发明一实施例的超声波探头30的立体示意图。于本实施例中，超声波探头30是以弧形探头(convex-probe)为例。超声波探头30包括壳体200、换能装置20、声波匹配层(acousticmatchinglayer)202、背衬材料(backingmaterial)204、声波透镜(acousticlens)206以及电缆(图未示)。背衬材料204可减少脉冲持续时间，增加轴向解析度。声波透镜206用于轴向聚焦，声波匹配层202用于减少皮肤与超声波探头30之间的声音阻抗(acousticimpedance)的差别所造成的多重反射。
图12b为图12a的换能装置20的俯视示意图。图12c为依照另一实施例的换能装置20a的俯视示意图。图13为图12b于电子显微镜下的局部图像。图14为图12b沿剖线14-14'的剖面图像。图15为图14的区域r的放大示意图，请先一并参照图12b、图13、图14及图15，换能装置20包括多个换能结构10以及至少一线路122。换能结构10的结构如前所述，于此不再赘述。于本实施例中，第一电极102为整面式的配置于基板100上。且各第二电极120的俯视形状为条状且沿第二方向d2间隔地以阵列排列。线路122位于换能结构10的一侧，其中换能结构10的各第一电极102之间通过线路122互相电性连接，且线路122及第一电极102为同一膜层。换能装置20还包括线路124，其中换能结构10的各第二电极120之间通过线路124互相电性连接。于本实施例中，线路124和第二电极120为同一膜层。
请看图14及图15，可以看到振荡膜114的表面平整度高，且第二绝缘层116(见图8)不流入空腔cvt中。
接着，请回到图12c，为了方便说明，图12c中省略上振荡部112a、第一绝缘部112b以及第二绝缘部116a。于本实施例中，各换能结构10的第一电极102a之间至少沿第二方向d2互相分开，且各第一电极102a沿第二方向d2呈阵列排列。于本实施例中，各第一电极102a的俯视形状呈条状。借此，可使换能装置20a具有高透光率。
图16至图21为依照本发明另一实施例的换能结构10'的制造流程的剖面示意图。请先参照图16，依序形成第一电极102、牺牲层104a以及无机层110于基板100上，接着形成第二电极120'于无机层110上。第一电极102、牺牲层104a以及无机层110的形成方法及材料相同于图1至图4的制造流程，故于此不再赘述。第二电极120的形成方法可以是化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)、原子层沉积(ald)、蒸镀(vte)、溅镀(spt)或其组合沉积一整面的金属材料层(图未示)，再借由微影以及蚀刻的制程以形成第二电极120。举例而言，无机层110的材质例如是氮化硅(sinx)。于本实施例中，无机层110的厚度t1'例如是3000埃至9000埃之间。借此，所沉积(as-deposited)的无机层110的厚度t1'足够小而可避免基板100翘曲(bending)。于本实施例中，无机层110的材料例如是氮化硅(sinx)。
接着，请参照图17，图案化无机层110，以形成多个上孔洞th1及下振荡部110a。举例而言，可形成两个上孔洞th1。上孔洞th1位于下振荡部110a的两侧，换言之，下振荡部110a位于上孔洞th1之间。且牺牲层104a通过上孔洞th1露出。上孔洞th1相当于用于移除牺牲层104a的蚀刻洞。
请参照图18，借由上孔洞th1来移除牺牲层104a，以形成分别位于上孔洞th1下方的多个下孔洞th2及位于下振荡部110a下方的容置空间sp。举例而言，可形成分别位于两个上孔洞th1下方的两个下孔洞th2。移除牺牲层104a的方法例如是蚀刻制程。
请参照图19，形成第一绝缘层112在无机层110及第二电极120上，其中第一绝缘层112包括上振荡部112a及多个第一绝缘部112b。举例而言，第一绝缘层112包括两个第一绝缘部112b。第一绝缘部112b分别通过上孔洞th1填入位于上孔洞th1下方的下孔洞th2，使第一绝缘部112b位于第一电极102上，也就是说，第一绝缘部112b接触第一电极102，借此，第一电极102、第一绝缘部112b及下振荡部110a共同形成一空腔cvt。于本实施例中，上振荡部112a位于下振荡部110a以及第二电极120'之上。换言之，第二电极120'位于上振荡部112a及下振荡部110a之间。于本实施例中，上振荡部112a的厚度t2'为1000埃至5500埃之间。借此，第一绝缘层112的上振荡部112a及无机层110的下振荡部110a可共同构成换能结构10'的振荡膜114'，且所沉积(as-deposited)的第一绝缘层112(例如上振荡部112a及第一绝缘部112b)的厚度t2'足够小而可避免基板100翘曲(bending)。并且，由于第一绝缘层112的厚度t2'足够小且毋须对第一绝缘层112进行蚀刻制程，因此也避免了厚膜蚀刻均匀性的问题。
于本实施例中，第一绝缘层112还包括侧壁部112c，侧壁部112c位于无机层110的上孔洞th1的侧壁ss，换言之，侧壁部112c自第一绝缘部112b的顶面延伸至无机层110的上孔洞th1的侧壁ss。
请参照图20，全面地形成第二绝缘层116于第一绝缘层112上。举例而言，第二绝缘层116覆盖第一绝缘层112的上振荡部112a，且第二绝缘层116填满无机层110的上孔洞th1的剩余空间，并填入第一绝缘层112的侧壁部112c及各第一绝缘部112b所共同形成的凹槽112r中。第二绝缘层116的形成方法例如是旋转涂布法。举例而言，第二绝缘层116的材料包括有机材料。于本实施例中，第二绝缘层116的材料包括光阻。光阻为液态材料，因此，毋须真空设备或低温设备来形成第二绝缘层116，借此可达到制程方便性。
请参照图21，去除部分的第二绝缘层116，以形成多个第二绝缘部116a分别填入上孔洞th1的剩余空间及凹槽112r中。举例而言，形成两个第二绝缘部116a分别填入两个上孔洞th1的剩余空间及凹槽112r中。第二绝缘部116a分别位于第一绝缘部112b上，第二绝缘部116a分别通过上孔洞th1接触第一绝缘部112b。于本实施例中，各侧壁部112c沿水平方向位于下振荡部110a及各第二绝缘部116a之间。
于本实施例中，第二绝缘层116的材料和第一绝缘部112b的材料不同，举例而言，第二绝缘层116的材料包括有机材料(例如光阻)，可利用光罩118对第二绝缘层116进行微影制程，以移除部分的第二绝缘层116，借此形成第二绝缘部116a。由于第二绝缘层116的材料和第一绝缘层112的材料不同，因此，去除部分的第二绝缘层116时不去除第一绝缘层112。也就是说，不会损伤第一绝缘层112。举例而言，不会伤害上振荡部112a。已知换能结构10可产生的超声波的频率及稳定性和振荡膜114'的特性相关。举例而言，超声波的频率和振荡膜114'的厚度呈正相关，且超声波的稳定性和振荡膜114'的表面平整度呈正相关。由于上振荡部112a不会受到损伤，使得上振荡部112a的表面平整度高，换言之，上振荡部112a的表面粗糙度低，并且，上振荡部112a的厚度t2'均匀。借此，上振荡部112a及下振荡部110a所共同构成的振荡膜114'所提供的超声波的频率具有高稳定性。
由于无机层110的上孔洞th1是分别由第二绝缘部116a所填满，且第二绝缘部116a的材料包括光阻，因此可省去对第二绝缘层116进行蚀刻制程的步骤，换言之。毋须对第二绝缘层116进行精准的蚀刻制程控制，而避免了此蚀刻制程不精准时所造成的对上振荡部112a过度蚀刻所导致的上振荡部112a被损害的风险，使换能结构10'的制程困难度降低。
综上所述，由于第二绝缘层的材料和第一绝缘部的材料不同，举例而言，第二绝缘层的材料包括有机材料(例如光阻)，可利用光罩对第二绝缘层进行微影制程，以移除部分的第二绝缘层，借此形成第二绝缘部。由于由于第二绝缘层的材料和第一绝缘部的材料不同，因此，去除部分的第二绝缘层时不去除第一绝缘层。也就是说，不会损伤第一绝缘层。举例而言，不会伤害上振荡部。已知换能结构可产生的超声波的频率及稳定性和振荡膜的特性相关。举例而言，超声波的频率和振荡膜的厚度呈正相关，且超声波的稳定性和振荡膜的表面平整度呈正相关。由于上振荡部不会受到损伤，使得上振荡部的表面平整度高，换言之，上振荡部的表面粗糙度低，并且，上振荡部的厚度均匀。借此，上振荡部及下振荡部所共同构成的振荡膜所提供的超声波的频率具有高稳定性，而提高了振荡膜的可靠度。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
1.一种换能结构，其特征在于，包括：
一基板；
一第一电极，配置于该基板上；
一无机层，位于该第一电极上，其中该无机层具有一下振荡部及多个孔洞，该多个孔洞位于该下振荡部的两侧；
一第一绝缘层，包括一上振荡部及多个第一绝缘部，其中该上振荡部位于该下振荡部之上，该多个第一绝缘部位于该第一电极上，且该第一电极、该多个第一绝缘部及该下振荡部共同形成一空腔；
多个第二绝缘部，分别位于该多个第一绝缘部上，其中该多个第二绝缘部分别通过该多个孔洞接触该多个第一绝缘部，且该多个第二绝缘部的材料和该多个第一绝缘部的材料不同；以及
一第二电极，位于该上振荡部之上，其中该空腔位于该第一电极及该第二电极之间。
2.如权利要求1所述的换能结构，其特征在于，该多个第二绝缘部包括有机材料。
3.如权利要求1所述的换能结构，其特征在于，该无机层的厚度为3000埃至9000埃。
4.如权利要求1所述的换能结构，其特征在于，该第一绝缘层还包括一侧壁部，该侧壁部位于该无机层的该多个孔洞的侧壁上，使得该侧壁部及各该第一绝缘部共同形成一凹槽。
5.一种换能装置，其特征在于，包括：
多个如权利要求1至4任一项所述的换能结构，其中各该换能结构的该第一电极之间至少沿一方向互相分开，且各该第一电极呈阵列排列；以及
一线路，位于该多个换能结构的一侧，其中该多个换能结构的各该第一电极之间通过该线路互相电性连接，且该线路及该多个第一电极为同一膜层。
6.一种换能结构的制造方法，其特征在于，包括：
形成一第一电极在一基板上；
形成一牺牲层在该第一电极上；
形成一无机层在该牺牲层及该第一电极上；
图案化该无机层，以形成多个上孔洞及一下振荡部，该多个上孔洞位于该下振荡部的两侧，且该牺牲层通过该多个上孔洞露出；
移除该牺牲层，以形成分别位于该多个上孔洞下方的多个下孔洞及位于该下振荡部下方的一容置空间；
形成一第一绝缘层在该无机层上，其中该第一绝缘层具有多个第一绝缘部及一上振荡部，该上振荡部位于该下振荡部之上，该多个第一绝缘部分别填入该多个下孔洞中，该第一电极、该多个第一绝缘部及该下振荡部共同形成一空腔；以及
以多个第二绝缘部分别填入该多个上孔洞中，该多个第二绝缘部分别位于该多个第一绝缘部上，其中该多个第二绝缘部的材料包括光阻。
7.如权利要求6所述的换能结构的制造方法，其特征在于，以该多个第二绝缘部分别填入该多个上孔洞中包括：
全面地形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上；以及
去除部分的该第二绝缘层，以形成该多个第二绝缘部，其中去除部分的该第二绝缘层时不去除该第一绝缘层。
8.如权利要求7所述的换能结构的制造方法，其特征在于，该第二绝缘层的材料和该第一绝缘层的材料不同。
9.如权利要求6所述的换能结构的制造方法，其特征在于，该第二绝缘层的形成方法为旋转涂布法。
10.如权利要求6所述的换能结构的制造方法，其特征在于，该第一绝缘层的厚度为1000埃至5500埃。
技术总结