本公开涉及一种基板处理装置和空气供给方法。
背景技术：
在专利文献1中公开有一种基板处理装置，该基板处理装置具有第1处理单元部和第2处理单元部在装置正面侧沿一方向并列设置而成的处理站。在第1处理单元部中，3层抗蚀剂涂敷处理单元和两层形成防反射膜的底涂敷单元从下方依次叠置成5层，在第2处理单元部中，显影处理单元叠置成5层。另外，在专利文献1的基板处理装置设置有两根用于向各处理单元部供给来自设置到装置外的空调机的清洁的空气的管道。经由管道所供给的空气被设置到处理站的上部的ulpa过滤器清洁化，以下降流向各处理单元供给。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-88485号公报
技术实现要素：
发明要解决的问题
本公开的技术在具有多个处理单元的基板处理装置中减少向各处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异。
用于解决问题的方案
本公开的一形态是一种基板处理装置，其具有多个处理基板的处理单元，其中，该基板处理装置具有向所述处理单元供给空气的多个管道，在各所述管道具有连结该管道和空气的供给源的连接管，所述多个管道连接有数量互不相同的所述处理单元，所述管道内的空气的流速和经由所述连接管向所述管道供给的空气的流速中的至少任一者在所述管道之间相等。
发明的效果
根据本公开，能够在具有多个处理单元的基板处理装置中减少向各处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异。
附图说明
图1是示意性地表示作为本实施方式的基板处理装置的涂敷显影装置的结构的概略的俯视图。
图2是示意性地表示图1的涂敷显影装置的内部结构的概略的纵剖主视图。
图3是示意性地表示图1的涂敷显影装置的内部结构的概略的从正面侧观察的情形的图。
图4是示意性地表示图1的涂敷显影装置的内部结构的概略的从背面侧观察的情形的图。
图5是局部地且概略地表示图1的涂敷显影装置的处理模块的内部的立体图。
图6是局部地且概略地表示图1的涂敷显影装置的处理模块的内部的俯视图。
图7是局部地且概略地表示图1的涂敷显影装置的处理模块的上部的主视图。
图8是局部地且概略地表示图1的涂敷显影装置的处理模块的上部的立体图。
图9是局部地且概略地表示图1的涂敷显影装置的处理模块和承载模块的下表面的立体图。
图10是局部地且概略地表示图1的涂敷显影装置的处理模块和承载模块的下表面的仰视图。
图11是概略地表示图1的涂敷显影装置的处理模块的下部的立体图。
图12是表示设置于处理模块的侧方的、收纳电气安装品的柜体的一个例子的立体图。
图13是图12的局部放大图。
具体实施方式
对于半导体器件的制造工艺等中的光刻工序，为了在例如半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)上形成所期望的抗蚀剂图案而进行一系列的处理。在上述一系列的处理中，例如，进行向晶圆上供给抗蚀剂液并形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成处理、使抗蚀剂膜曝光的曝光处理、向曝光后的抗蚀剂膜供给显影液而显影的显影处理等。这些处理中的抗蚀剂膜形成处理和显影处理等除了曝光处理以外的处理由作为基板处理装置的涂敷显影装置进行。
在涂敷显影处理装置中，设置有对晶圆进行液处理的液处理单元等各种处理单元。另外，向例如液处理单元分别供给清洁的空气，以使该单元内的气氛保持清洁。为了该清洁的空气的供给，设置有管道，该管道与各液处理单元分别连接(参照专利文献1)。
不过，在例如液处理单元的搭载数较多的情况下等，有时设置有多个(例如两根)管道。并且，在设置有多个管道的情况下，与各管道连接的处理单元的数量有时在管道之间不同。若像这样各管道所连接的处理单元的连接数量不同，则空气的流速有时在各管道之间不同。例如，在设置有相同的尺寸的第1管道和第2管道、第2管道的处理单元的连接数量比第1管道的处理单元的连接数量少、空气向各处理单元的流量相等的情况下，第2管道与第1管道相比，空气的流速较慢。若经由管道供给的空气在管道内的流速较慢，则会在管道内存在较长时间，因此，会由于来自管道外的热的影响，成为较高的温度，并且，湿度相对地降低。因而，在流速较慢的第2管道中，与第1管道相比，在连接到管道上游侧的处理单元和连接到管道下游侧的处理单元之间，供给来的空气的温度差、湿度差变大。
另外，若与各管道连接的处理单元的数量在管道之间不同，则向各管道供给的空气的温度、湿度有时不同。例如，在设置有第1管道和第2管道、第2管道的处理单元的连接数量较少、空气向各处理单元的流量相等的情况下，若将第1管道和第2管道分别与空气的供给源连结的第1连接管和第2连接管的尺寸相等，则第2连接管与第1连接管相比，空气的流速变慢。若经由连接管向各管道供给的空气在连接管内的流速较慢，则会在连接管内存在较长时间，因此，会由于来自连接管外的热的影响，成为较高的温度，并且，湿度相对地降低。因此，若如上述那样第2连接管的空气的流速比第1连接管的空气的流速慢，则与经由第1连接管向第1管道供给的空气相比，经由第2连接管向第2管道供给的空气的温度较高。因而，在与第1管道连接起来的处理单元和与第2管道连接起来的处理单元之间产生被供给来的空气的温度差、湿度差。
若供给来的空气的温度、湿度在各处理单元中不同，则例如在处理单元形成抗蚀剂膜的情况下，会在单元之间产生膜厚差等。
因此，本公开的技术在具有多个处理单元的基板处理装置中减少向各处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异。
尤其是，在具有多个管道且处理单元的连接数量在管道之间不同的基板处理装置中减少向各处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异。
以下，一边参照附图一边对本实施方式的基板处理装置和空气供给方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上具有相同的功能结构的要素，通过标注相同的附图标记，省略重复说明。
图1是示意性地表示作为基板处理装置的涂敷显影装置1的结构的概略的俯视图。图2是示意性地表示涂敷显影装置1的内部结构的概略的纵剖主视图。图3和图4是示意性地表示涂敷显影装置1的内部结构的概略的从正面侧和背面侧观察的情形的图。
如图1所示，涂敷显影装置1以承载模块b1、处理模块b2、作为中继模块的转接模块b3的顺序沿着宽度方向(附图的x方向)排列的方式设置有承载模块b1、处理模块b2、转接模块b3。在以下的说明中，存在将上述的宽度方向称为左右方向进行说明的情况。在转接模块b3的右侧(附图的x方向正侧)连接有曝光装置e。
承载模块b1是供用于一并输送多张作为基板的晶圆w的承载件c送入送出的模块。
在承载模块b1设置有承载件载置台11。在承载件载置台11设置有例如在相对于涂敷显影装置1的外部送入送出承载件c之际供承载件c载置的载置板12。载置板12沿着在水平面内与宽度方向(附图的x方向)正交的进深方向(附图的y方向)设置有多个(在附图的例子中是4个)。另外，在承载模块b1中，在承载件载置台11与处理模块b2之间设置有晶圆输送机构13。晶圆输送机构13具有进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、且在进深方向上移动自如地构成的输送臂13a，能够在各载置板12上的承载件c与随后论述的交接塔架21之间输送晶圆w。
处理模块b2是设置有处理曝光前或曝光后的晶圆w的处理单元的模块，在本实施方式中，由在左右方向(附图的x方向)上连接起来的多个(在附图的例子中是两个)子模块b21、b22构成。以下，将靠承载模块b1侧的子模块b21称为左侧子模块b21，将靠转接模块b3侧的子模块b22称为右侧子模块b22。
如图2～图4所示，左侧子模块b21和右侧子模块b22在上下方向上被多层化，分别具有第1层模块l1～第6层模块l6、第1层模块p1～第6层模块～p6。在各层模块设置有各种处理单元。
左侧子模块b21在靠承载模块b1侧以跨第1层模块p1～第6层模块p6的方式设置有交接塔架21。
交接塔架21是多个交接模块在上下方向上层叠而成的。该交接塔架21在与第1层模块l1～第6层模块l6这各层模块相对应的高度位置设置有交接模块。具体而言，交接塔架21在与第1层模块l1相对应的位置设置有交接模块trs11、cpl11。同样地，在与第2层模块l2～第6层模块l6相对应的位置设置有交接模块trs12～trs16、cpl12～cpl16。此外，标注有“trs”的交接模块和标注有“cpl”的交接模块大致相同地构成，不同之处在于只有后者在供晶圆w载置的载物台形成有介质的流路，用于调节该晶圆w的温度。
另外，交接塔架21在承载模块b1内的晶圆输送机构13可访问的高度位置、具体而言在交接模块cpl12与交接模块trs13之间的位置设置有交接模块trs10。该交接模块trs10在例如左侧子模块b21与承载模块b1之间的晶圆送入送出时使用。
如图1所示，交接塔架21设置于左侧子模块b21的进深方向中央的位置，在该交接塔架21的里侧(附图的y方向正侧)设置有晶圆输送机构22。晶圆输送机构22具有进退自如且升降自如地构成的输送臂22a，能够在交接塔架21的各交接模块之间输送晶圆w。
接下来，对左侧子模块b21的第1层模块l1～第6层模块l6进行说明。此外，在图1中，对于左侧子模块b21，示出有第1层模块l1的结构，以下，首先，具体地说明第1层模块l1。
如图1所示，在第1层模块l1的进深方向中央，形成有从交接塔架21沿着宽度方向延伸的输送区域m1。
在第1层模块l1的比输送区域m1靠跟前侧(附图的y方向负侧)的区域和靠里侧(附图的y方向正侧)的区域分别设置有各种单元。
具体而言，在第1层模块l1的跟前侧的区域设置有作为利用处理液对晶圆w进行液处理的液处理单元的防反射膜形成单元bct1，在里侧的区域设置有具有各种单元的立式单元t11～t14。
防反射膜形成单元bct1用于在晶圆w上形成防反射膜。防反射膜形成单元bct1具有：旋转卡盘31，其保持晶圆w并使该晶圆w旋转；和杯32，其包围旋转卡盘31上的晶圆w，用于回收从晶圆w飞散开的处理液。所述旋转卡盘31和杯32的组合沿着宽度方向设置有两个。另外，防反射膜形成单元bct1设置有向保持于旋转卡盘31的晶圆w喷出防反射膜形成用的处理液的喷嘴33。该喷嘴33在杯32间移动自如地构成，为杯32之间所共有。
立式单元t11～t14沿着宽度方向从左侧(附图的x方向负侧)起以立式单元t11～t14的顺序设置。立式单元t11、t12分别具有对晶圆w进行疏水化处理的疏水化处理单元，在各单元内，疏水化处理单元例如层叠成上下方向两层。立式单元t13、t14分别具有对晶圆w进行加热处理的加热单元，在各单元内，加热单元例如层叠成上下方向两层。
另外，在第1层模块l1中，在上述的输送区域m1设置有晶圆输送机构m11。晶圆输送机构m11具有进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、且在宽度方向(附图的x方向)上移动自如地构成的输送臂m11a。能够利用该输送臂m11a在交接塔架21与防反射膜形成单元bct1之间、在防反射膜形成单元bct1与立式单元t13、t14之间等交接晶圆w。输送臂m11a也能够访问右侧子模块b22的随后论述的交接塔架41。
第2层模块l2与第1层模块l1同样地构成。此外，在附图等中，将设置于第2层模块l2的输送区域标注为m2，将防反射膜形成单元标注为bct2，将立式单元标注为t21～t26。另外，将设置于输送区域m2的晶圆输送机构标注为m21，将晶圆输送机构m21所具有的输送臂标注为m21a。
对于第3层模块l3和第1层模块l1，设置于跟前侧的液处理单元的种类不同，设置于里侧的立式单元的结构不同。在第3层模块l3中，作为液处理单元，设置有对曝光后的晶圆w进行显影处理的显影单元dev1来替代防反射膜形成单元bct1。此外，从显影单元dev1的喷嘴33供给显影液作为处理液。另外，在第3层模块l3中，立式单元t31～t34分别具有上述的加热单元。此外，在附图等中，将设置于第3层模块l3的输送区域标注为m3，将设置于输送区域m3的晶圆输送机构标注为m31，将晶圆输送机构m31所具有的输送臂标注为m31a。
第4层模块l4～第6层模块l6与第3层模块l3同样地构成。此外，在附图等中，将设置于第4层模块l4～第6层模块l6的输送区域标注为m4～m6，将显影单元标注为dev2～dev4，将立式单元标注为t41～t46、t51～t56、t61～t66。另外，将设置于输送区域m4～m6的晶圆输送机构标注为m41、m51、m61，将晶圆输送机构m41、m51、m61所具有的输送臂分别标注为m41a、m51a、m61a。
如图1所示，右侧子模块b22在沿着宽度方向(附图的x方向)与左侧子模块b21的输送区域m1～m6相邻的位置具有交接塔架41。如图2所示，交接塔架41以跨右侧子模块b22的第1层模块p1～第6层模块p6的方式设置。
该交接塔架41的多个交接模块在上下方向上层叠。交接塔架41在与第1层模块l1～第6层模块l6和第1层模块p1～第6层模块p6这各层模块相对应的高度位置设置有交接模块。具体而言，交接塔架41在与第1层模块l1和第1层模块p1相对应的位置设置有交接模块trs21。同样地，在与第2层模块l2和第2层模块p2相对应的位置设置有交接模块trs22。另外，在与第3层模块l3～第6层模块l6和第3层模块p3～第6层模块p6相对应的位置设置有交接模块trs23～trs26、cpl23～cpl26。
另外，交接塔架41在随后论述的晶圆输送机构q11、q21、q31可访问的高度位置设置有交接模块trs20。该交接模块trs20在例如晶圆w从右侧子模块b22向左侧子模块b21的送入时使用。
另外，如图1所示，右侧子模块b22在交接塔架41的里侧(附图的y方向正侧)设置有晶圆输送机构42。晶圆输送机构42具有进退自如且升降自如地构成的输送臂42a，能够在交接塔架41的各交接模块之间输送晶圆w。
接下来，对右侧子模块b22的第1层模块p1～第6层模块p6进行说明。
在本实施方式中，在第4层模块p4～～第6层模块p6设置有液处理单元等处理单元，但在第1层模块p1～第3层模块p3未设置处理单元。以下，具体地说明。此外，在图1中，针对右侧子模块b22，示出有第1层模块p1～第6层模块p6中的第4层模块p4的结构。
对于右侧子模块b22的第4层模块p4和左侧子模块b21的第3层模块l3，设置于跟前侧的液处理单元的种类的结构不同。在右侧子模块b22的第4层模块p4中，作为液处理单元，设置有在形成有防反射膜的晶圆w上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成单元cot1来替代显影单元dev1。此外，从抗蚀剂膜形成单元cot1的喷嘴33供给抗蚀剂液作为处理液。在附图等中，将设置于第4层模块p4的输送区域标注为q4，将立式单元标注为u41～u44。将设置于输送区域q4的晶圆输送机构标注为q41，将晶圆输送机构q41所具有的输送臂标注为q41a。能够利用输送臂q41a在交接塔架41与抗蚀剂膜形成单元cot1之间、在抗蚀剂膜形成单元cot1与立式单元u11～u14之间等交接晶圆w。输送臂q41a也能够访问转接模块b3的随后论述的交接塔架51。
第5层模块p5、第6层模块p6与第4层模块p4同样地构成。此外，在附图等中，将设置于第5层模块p5、第6层模块p6的输送区域标注为q5、q6，将抗蚀剂膜形成单元标注为cot2、cot3，将立式单元标注为u51～u54、u61～u64。另外，将设置到输送区域q5、q6的晶圆输送机构标注为q51、q61，将晶圆输送机构q51、q61所具有的输送臂标注为q51a、q61a。
与第4层模块p4～～第6层模块p6同样地，在第1层模块p1～第3层模块p3设置有输送区域q1～q3，在输送区域q1～q3设置有具有输送臂q11a、q21a、q31a的晶圆输送机构q11、q21、q31。不过，在第1层模块p1～第3层模块p3中，与第4层模块p4～～第6层模块p6不同，输送臂q11a、q21a、q31a于在交接塔架41与转接模块b3的随后论述的交接塔架51之间交接晶圆w之际使用。另外，在第1层模块p1～第3层模块p3中，与第4层模块p4～～第6层模块p6不同，在比输送区域q1～q3靠跟前侧和靠里侧的区域未设置处理单元。在第1层模块p1～第3层模块p3中，例如，在比输送区域q1～q3靠跟前侧的区域用作收纳用于积存抗蚀剂液等各种处理液的处理液瓶、用于加压输送各种处理液的泵等的化学品室che。
而且，在处理模块b2中，如图1和图3所示，在左侧子模块b21和右侧子模块b22分别设置有管道23、43。具体而言，在左侧子模块b21中，在防反射膜形成单元bct1、bct2和显影单元dev1～dev4的液处理单元与承载模块b1之间设置有管道23。在右侧子模块b22中，在俯视时的抗蚀剂膜形成单元cot1～cot3与转接模块b3之间设置有管道43。
管道23、43向各液处理单元供给来自作为空气的供给源的空调机s的清洁的空气。在防反射膜形成单元bct1、bct2、显影单元dev1～dev4以及抗蚀剂膜形成单元cot1～cot3，分别在上部设置有过滤器单元f。过滤器单元f具有例如ulpa(超低穿透率空气：ultralowpenetrationair)过滤器、导板。过滤器单元f利用ulpa过滤器使被风扇从空调机s送风来的空气清洁化，利用导板以例如下降流(downflow)朝向杯32供给。各液处理单元的过滤器单元f的上游端与管道23、43连接，管道23、43的上游端分别与作为连接管的挠性管24、44的一端连接。挠性管24、44的另一端与上述的空调机s连接。
如图1所示，转接模块b3在与右侧子模块b22的进深方向中央的区域相邻的位置设置有交接塔架51。
该交接塔架51的多个交接模块在上下方向层叠。交接塔架51在与右侧子模块b22的第1层模块p1～第3层模块p3的各层模块相对应的高度位置分别设置有交接模块trs31～trs33。
另外，转接模块b3在曝光装置e侧(附图的x方向正侧)设置有晶圆输送机构52。晶圆输送机构52具有进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、且在进深方向(附图的y方向)上移动自如地构成的输送臂52a。能够利用输送臂52a在交接塔架51与曝光装置e之间输送晶圆w。
如以上这样构成的涂敷显影装置1具有控制部100。控制部100是具备例如cpu、存储器等的计算机，具有程序储存部(未图示)。在该程序储存部储存有用于控制上述的各种处理单元、晶圆输送机构等的驱动系统的动作而对晶圆w进行各种处理的程序。此外，上述程序也可以是存储于计算机可读取的存储介质的程序，从该存储介质安装到控制部100。程序的一部分或全部也可以由专用硬件(电路基板)实现。
接着，说明使用如以上这样构成的涂敷显影装置1而进行的涂敷显影处理。
首先，收纳有多个晶圆w的承载件c送入涂敷显影装置1的承载模块b1。然后，承载件c内的各晶圆w被晶圆输送机构13向交接塔架21的交接模块trs10依次输送，被送入处理模块b2的左侧子模块b21。
接下来，晶圆w被晶圆输送机构22向例如交接塔架21的交接模块trs11输送。
接着，晶圆w被晶圆输送机构m11向例如立式单元t11(疏水化处理单元)输送，进行疏水化处理。之后，晶圆w被晶圆输送机构m11按照例如交接模块cpl11→防反射膜形成单元bct1→立式单元t13(热处理单元)的顺序输送，形成防反射膜。
接下来，晶圆w被晶圆输送机构m11向交接塔架41的交接模块trs21输送，被送入处理模块b2的右侧子模块b22。之后，晶圆w被晶圆输送机构42向例如交接模块cpl24输送，被送入第4层模块p4。然后，晶圆w被晶圆输送机构q41按照抗蚀剂膜形成单元cot1→立式单元u41(热处理单元)→交接模块trs24的顺序输送，在防反射膜上形成抗蚀剂膜。
接下来，晶圆w被晶圆输送机构42向例如与第1层模块p1相对应的交接模块trs20输送。然后，晶圆w被晶圆输送机构q11向转接模块b3的交接塔架51的交接模块trs31输送。
接着，晶圆w被晶圆输送机构52向曝光装置e输送，并被曝光。曝光后，晶圆w被晶圆输送机构52向例如交接塔架51的交接模块trs33输送。接下来，晶圆w被晶圆输送机构q31再次送入处理模块b2，被向与交接塔架41的第3层模块p3相对应的交接模块trs20输送。
之后，晶圆w被晶圆输送机构42向例如交接塔架41的交接模块trs24输送。接下来，晶圆w被晶圆输送机构m41送入左侧子模块b21，被向例如立式单元t41(热处理单元)输送并进行peb处理。之后，晶圆w被晶圆输送机构m41按照交接模块cpl24→显影单元dev1的顺序输送。由此，对晶圆w进行显影处理，在该晶圆w上形成抗蚀剂图案。
在显影处理后，晶圆w被晶圆输送机构m41向立式单元t43(热处理单元)→交接模块cpl14输送。之后，晶圆w被晶圆输送机构22向交接模块trs10输送。然后，晶圆w被晶圆输送机构13从处理模块b2送出，并返回承载件c。
接下来，更详细地说明管道23、43和挠性管24、44。此外，以下，经由管道23、43向防反射膜形成单元bct1、bct2、显影单元dev1～dev4以及抗蚀剂膜形成单元cot1～cot3这些各液处理单元内供给的空气的流量在单元之间彼此相等。
管道23、43如图3所示那样以在上下方向上延伸的方式设置。管道23从下端部到上端部连接有防反射膜形成单元bct1、bct2和显影单元dev1～dev4这6个液处理单元。另一方面，管道43从上下方向中央部到上端部连接有抗蚀剂膜形成单元cot1～cot3这3个液处理单元。也就是说，管道23、43所连接的液处理单元的数量相互不同。
另外，管道23、43的长度彼此相等。相对于此，管道23、43的内部的截面积成为与空气向连接于该管道的液处理单元的总流量相应的值。在本实施方式中，向液处理单元供给的空气的流量在各单元之间彼此相等，因此，管道23、43的内部的截面积成为与连接于该管道的液处理单元的数量相应的值。管道23的液处理单元的连接数量是6个，管道43的液处理单元的连接数量是3个，因此，管道43的内部的截面积较小，为管道23的内部的截面积的1/2。
通过如此将管道23、43的内部的截面积设为与空气向连接于该管道的液处理单元的总流量相应的值，使管道43的流速与流速较快的管道23的流速一致。由此，在管道23、43中，该管道内的空气的流速相等。
另外，挠性管24、44的长度彼此相等。与此相对，挠性管24、44的内部的截面积成为与空气向同该挠性管所连结的管道连接的液处理单元的总流量相应的值。在本实施方式中，向液处理单元供给的空气的流量在各单元之间彼此相等，因此，挠性管24、44的内部的截面积成为与同该挠性管所连结的管道连接的液处理单元的数量相应的值。管道23的液处理单元的连接数量是6个，管道43的液处理单元的连接数量是3个，因此，挠性管44的内部的截面积成为挠性管24的内部的截面积的1/2。
通过如此将挠性管24、44的内部的截面积设为与空气向同该挠性管所连结的管道连接的液处理单元的总流量相应的值，使挠性管44的流速与流速较快的挠性管24的流速一致。由此，在挠性管24、44中，该挠性管内的空气的流速相等。也就是说，在管道23、43中，经由挠性管向该管道供给的空气的流速相等。
在以上的说明中，管道23、43内的空气的流速与经由挠性管24、44向管道23、43供给的空气的流速这两者在管道之间相等，也可以任一者在管道之间相等。
如以上这样，在本实施方式中，涂敷显影装置1具有向液处理单元供给空气的两个管道23、43，在各管道具有连结该管道和空调机s的挠性管24、44，两个管道23、43连接有数量互不相同的液处理单元。并且，在本实施方式中，管道23、43内的空气的流速和经由挠性管24、44向管道23、43供给的空气的流速中的至少任一者在管道之间相等。
在管道23、43内的空气的流速在管道之间相等的情况下，空气在液处理单元的连接数量较少的管道43内滞留的时间不会比在上述连接数量较多的管道23内滞留的时间长。因此，在液处理单元的连接数量较少的管道43，能够防止在与管道上游侧连接起来的液处理单元和与管道下游侧连接起来的液处理单元(例如抗蚀剂膜形成单元cot1和抗蚀剂膜形成单元cot3)之间、供给来的空气的温度差、湿度差变大。而且，在管道23、43内的空气的流速在管道之间相等的情况下，能够减少在与管道23连接的第n(n是4～6的整数)层模块的液处理单元同与管道43连接的第n层模块的液处理单元之间、供给来的空气的温度差、湿度差。
另外，在经由挠性管24、44向管道23、43供给的空气的流速在管道之间相等的情况下，换言之，在挠性管24、44管内的空气的流速在挠性管之间相等的情况下，如以下这样。即、在该情况下，空气在与液处理单元的连接数量较少的管道43连结的挠性管44内滞留的时间不会比在与上述连接数量较多的管道23连结的挠性管24内滞留的时间长。因此，在从与上述连接数量较少的管道43连结的挠性管44向该管道43供给的空气的温度、湿度和从与上述连接数量较少的管道23连结的挠性管24向该管道23供给的空气的温度、湿度不会产生较大的差异。因而，能够减少与管道23连接的液处理单元和与管道43连接的液处理单元之间的、供给来的空气的温度差、湿度差。
因而，根据本实施方式，能够减少向各液处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异。
此外，在出于输送的观点等考虑而处理模块由多个子模块构成时，因设计效率等，存在使用大致相同尺寸的子模块的情况，在该情况下，存在仅液处理单元、热处理单元等没有填满子模块内的空间的时候。例如，在这样的时候，如本实施方式这样存在液处理单元的连接数量在管道之间不同的情况。
接下来，对涂敷显影装置1的用于减少温度、湿度在液处理单元间的差异的其他结构进行说明。
图5和图6分别是局部地且概略地表示处理模块b2的内部的立体图和俯视图。
如图5所示，管道23由使在该管道23内流动的空气相对于该管道23的外侧的热绝热的绝热构件23a覆盖。绝热构件23a由例如导热系数较低的树脂材料形成。在附图的例子中，绝热构件23a覆盖被形成为长方体形状的管道23的跟前侧(附图的y方向负侧)、左侧(附图的x方向负侧)以及里侧(附图的y方向正侧)的上下方向整体。
另外，如图6所示，绝热构件23a以在其与管道23的外周面之间形成有空气层23b的方式安装于该管道23。
通过如上述那样设置绝热构件23a，能够防止在管道23内流动的空气由于管道外部的影响而升温。若在管道23内流动的空气受到外部的影响而升温，则在与管道上游侧连接起来的液处理单元和与管道下游侧连接起来的液处理单元之间、供给来的空气的温度差、湿度差变大。对此，设置绝热构件23a，防止在管道23内流动的空气由于管道外部的影响而升温，从而能够防止上述温度差、湿度差变大。
另外，通过以形成有空气层23b的方式安装绝热构件23a，能够进一步降低管道外部对管道内的空气的影响。因此，能够进一步减少管道上游侧的液处理单元与管道下游侧的液处理单元之间的、供给来的空气的温度差、湿度差。
此外，虽然图示省略，但在管道43也同样地设置有绝热构件。
图7和图8是分别局部地且概略地表示处理模块b2的上部的主视图和立体图。
如图7所示，处理模块b2具有收纳各种处理单元、管道23、43的壳体10。并且，处理模块b2在壳体10的上方设置有使针对液处理单元等而设置的电气安装品单元化而成的多个电气安装单元200。
如图8所示，在壳体10的顶面10a设置有一对导轨210，该一对导轨210用于使电气安装单元200在进深方向(附图的y方向)上移动，使该电气安装单元200相对于顶面10a拆装。在导轨210以在进深方向上延伸的方式形成有引导槽211。
电气安装单元200具有单元主体201，在单元主体201的内部收纳有电气安装品。电气安装品包含例如控制设备、放大器、电源、驱动器、接触器、断路器等。
在单元主体201的下侧设置有突起构件202。突起构件202具有在进深方向上延伸的突起203。电气安装单元200利用导轨210的引导槽211和突起构件202的突起203沿着导轨210在进深方向上移动自如地构成。
并且，在本例中，电气安装单元200的突起构件202借助支承构件204安装于单元主体201的下表面。支承构件204具有以在上下方向上延伸的方式形成的支脚部205。电气安装单元200被具有该支脚部205的支承构件204抬高，设置于壳体10的上方的、与该壳体10的顶面10a分开的位置。由此，向处理模块b2的靠近壳体10的顶面10a的液处理单元供给的空气不会受到来自电气安装单元200的热的影响。因而，供给来的空气不会因来自电气安装单元200的热而在靠近上述顶面10a的液处理单元和其他液处理单元之间产生温度差、湿度差。
此外，在如此抬高电气安装单元200的情况下，优选的是，通过使单元主体201内的电气安装品的安装密度提高等来使单元主体201的高度收缩与抬高相应的量。
图9和图10分别是局部地且概略地表示处理模块b2和承载模块b1的下表面的立体图和仰视图。
如图9和图10所示，与管道23连接起来的挠性管24从处理模块b2的壳体10的下表面延伸而露出。在该挠性管24的仰视时的周围设置有分隔板24a。分隔板24a的设置位置的具体例如以下这样。
在承载模块b1的下表面设置有排气孔301。排气孔301供被用于调整承载模块b1的内部的压力等的风扇(未图示)排出的空气向承载模块b1外排出。在仰视时的、该排气孔301与挠性管24之间设置有分隔板24a。
此外，也可以是，在挠性管24的里侧(附图的y方向正侧)也设置有分隔板24a。而且，也可以是，在挠性管24的跟前侧(附图的y方向负侧)也设置有分隔板24a。
通过如上述那样设置分隔板24a，挠性管24内的空气不会受到周围的热的影响、尤其是来自承载模块b1的下表面的排气孔301的排气的热的影响。因而，不会因来自挠性管24的外侧的热而使供给来的空气在与由挠性管24连结的管道23连接的液处理单元和与由挠性管44连结的管道43连接的液处理单元之间产生温度差、湿度差。
图11是概略地表示处理模块b2的下部的立体图。
如图示那样，在处理模块b2具有罩400，该罩400从正面覆盖壳体10的下表面与供涂敷显影装置1设置的地面fl之间的间隙。并且，在罩400形成有许多在进深方向上贯通的贯通孔401。
通过设置这样的罩400，能够防止热闷在壳体10的下侧。因此，靠近壳体10的下表面的液处理单元不会受到闷到壳体10的下侧的热的影响。因而，不会因闷到壳体10的下侧的热而在靠近壳体10的下表面的处理单元和其他处理单元之间产生温度差、湿度差。
此外，涂敷显影装置1有时在处理模块b2的侧方设置有收纳电气安装品的柜体。
图12是表示上述柜体的一个例子的立体图。
附图的柜体500设置有收纳电气安装品的箱体501。箱体501设置于例如处理模块b2的右侧子模块b22的第4层模块p4的右侧(附图的x方向正侧)。
箱体501具有顶板510和供顶板安装的框体520。
在顶板510形成有在上下方向上贯通的贯通孔511。由此，箱体501内的电气安装品的热不会闷在该箱体501中。因此，箱体501的附近的液处理单元、管道43内的空气不会受到闷到箱体501的热的影响。因而，不会因闷到箱体501内的热而在靠近该箱体501的处理单元和其他处理单元之间产生温度差、湿度差。
另外，处理模块b2的壳体10在靠柜体500侧的侧面的比箱体501靠上方的位置形成有在宽度方向上贯通的贯通孔10b。通过形成贯通孔10b，能够使从箱体501传递到处理模块b2的热经由贯通孔10b释放。
而且，柜体500在与箱体501的顶板510相对的位置具有从上方覆盖顶板510的贯通孔511的盖板502。通过设置盖板502，在从未图示的喷洒器放水了时，能够防止箱体501内的电气安装品产生故障。此外，盖板502与顶板510之间的距离是例如150mm。
图13是图12的局部放大图。
如图示那样，在箱体501的顶板510设置有侧视l字状的支脚部512。借助支脚部512将顶板510安装于框体520的上表面，从而能够在顶板510与框体520之间形成间隙521。能够借助该间隙521使箱体501内的电气安装品的热散发掉。
在以上的例子中，处理模块b2由两个子模块构成，也可以由3个以上的子模块构成。
另外，处理模块b2也可以由1个模块构成。在该情况下，省略交接塔架41、晶圆输送机构42。另外，在该情况下，省略晶圆输送机构q11、q21、q31，晶圆输送机构m11、m21、m31也可访问交接塔架51地构成。而且，也省略晶圆输送机构q41、q51、q61，晶圆输送机构m41也可访问cot1和立式单元u41～u44地构成，晶圆输送机构m51、m61也同样地构成。
另外，在以上的例子中，在液处理单元的连接数量较少的管道，上述连接数量也是多个，但对于上述连接数量较少的管道，上述连接数量也可以是1个。在以上的例子中，上述连接数量较少的管道与较多的管道的上述连接数量之比是1：2，但既可以比1：2大，也可以比1：2小。也就是说，上述连接数量在管道之间不同即可。
另外，以上的例子是管道内的空气的流速在管道之间“相等”、且经由连接管向管道供给的空气的流速在管道之间“相等”的例子，这里的“相等”并不要求流速的实测值的严谨的一致。只要通过管道或连接管具有在以上的例子中所公开的构造，从而发挥出向各处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异减小这样的效果即可，比较的结果为具有稍微的差异的流速的实测值也包含于“相等”的范围。
应该认为此次所公开的实施方式在各方面都是例示，并非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的前提下，也可以以各种形态进行省略、置换、变更。
此外，以下这样的构成也属于本公开的保护范围。
(1)一种基板处理装置，其具有多个处理基板的处理单元，其中，
该基板处理装置具有向所述处理单元供给空气的多个管道，
在各所述管道具有连结该管道和空气的供给源的连接管，
所述多个管道连接有数量互不相同的所述处理单元，
所述管道内的空气的流速和经由所述连接管向所述管道供给的空气的流速中的至少任一者在所述管道之间相等。
根据所述(1)，能够在具有多个处理单元的基板处理装置中减少向各处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异。
(2)根据所述(1)所述的基板处理装置，其中，
满足下述(a)和(b)的条件中的至少任一者，
(a)所述管道分别具有与空气向连接于该管道的所述处理单元的总流量相应的截面积；
(b)所述连接管分别具有与空气向同该连接管所连结的所述管道连接的所述处理单元的总流量相应的截面积。
(3)根据所述(1)或(2)所述的基板处理装置，其中，
所述管道由使在该管道内流动的空气相对于该管道的外侧的热绝热的绝热构件覆盖。
(4)根据所述(3)所述的基板处理装置，其中，
在所述管道与所述绝热构件之间形成有空气层。
(5)根据所述(1)～(4)中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有收纳所述处理单元的壳体。
(6)根据所述(5)所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有电气安装品，
所述电气安装品设置于所述壳体的上方的、与该壳体分离开的位置。
(7)根据所述(5)或(6)所述的基板处理装置，其中，
所述壳体收纳所述管道，所述连接管从该壳体的下表面延伸出来，
在该连接管的仰视时的周围设置有分隔板。
(8)根据所述(7)所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有供收容有多个所述基板的承载件送入送出的承载模块，
所述承载模块与所述壳体相邻，
在仰视时的、形成于所述承载模块的下表面的排气孔与所述连接管之间设置有所述分隔板。
(9)根据所述(5)～(8)中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有覆盖所述壳体的下表面与设置该基板处理装置的地面之间的间隙的罩，
所述罩形成有贯通孔。
(10)根据所述(5)～(9)中任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述壳体的侧方具有设置有收纳电气安装品的箱体的柜体。
(11)根据所述(10)所述的基板处理装置，其中，
所述箱体的顶板形成有贯通孔。
(12)根据所述(11)所述的基板处理装置，其中，
所述柜体在与所述箱体的顶板相对的位置具有从上方覆盖该顶板的贯通孔的盖板。
(13)根据所述(10)～(12)中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述箱体具有顶板和供该顶板安装的框体，
在所述框体与所述顶板之间设置有间隙。
(14)根据所述(10)～(13)中任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述壳体的侧面的比所述箱体靠上方的位置形成有贯通孔。
(15)一种空气供给方法，其是在具有多个处理基板的处理单元的基板处理装置中向所述处理单元分别供给清洁的空气的空气供给方法，其中，
所述基板处理装置具有向所述处理单元供给空气的多个管道，
在各所述管道具有连接该管道和空气的供给源的连接管，
所述多个管道连接有数量互不相同的所述处理单元，
所述管道内的空气的流速和经由所述连接管向所述管道供给的空气的流速中的至少任一者在所述管道之间相等，
在该空气供给方法中，
将来自所述空气的供给源的清洁的空气经由所述连接管和所述管道向所述处理单元分别供给。
1.一种基板处理装置，其具有多个处理基板的处理单元，其中，
该基板处理装置具有向所述处理单元供给空气的多个管道，
在各所述管道具有连结该管道和空气的供给源的连接管，
所述多个管道连接有数量互不相同的所述处理单元，
所述管道内的空气的流速和经由所述连接管向所述管道供给的空气的流速中的至少任一者在所述管道之间相等。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
满足下述(a)和(b)的条件中的至少任一者，
(a)所述管道分别具有与空气向连接于该管道的所述处理单元的总流量相应的截面积；
(b)所述连接管分别具有与空气向同该连接管所连结的所述管道连接的所述处理单元的总流量相应的截面积。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述管道由使在该管道内流动的空气相对于该管道的外侧的热绝热的绝热构件覆盖。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
在所述管道与所述绝热构件之间形成有空气层。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有收纳所述处理单元的壳体。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有电气安装品，
所述电气安装品设置于所述壳体的上方的、与该壳体分离开的位置。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述壳体收纳所述管道，所述连接管从该壳体的下表面延伸出来，
在该连接管的仰视时的周围设置有分隔板。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有供收容有多个所述基板的承载件送入送出的承载模块，
所述承载模块与所述壳体相邻，
在仰视时的、形成于所述承载模块的下表面的排气孔与所述连接管之间设置有所述分隔板。
9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有覆盖所述壳体的下表面与设置该基板处理装置的地面之间的间隙的罩，
所述罩形成有贯通孔。
10.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
在所述壳体的侧方具有设置有收纳电气安装品的箱体的柜体。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述箱体的顶板形成有贯通孔。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述柜体在与所述箱体的顶板相对的位置具有从上方覆盖该顶板的贯通孔的盖板。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述箱体具有顶板和供该顶板安装的框体，
在所述框体与所述顶板之间设置有间隙。
14.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
在所述壳体的侧面的比所述箱体靠上方的位置形成有贯通孔。
15.一种空气供给方法，其是在具有多个处理基板的处理单元的基板处理装置中向所述处理单元分别供给清洁的空气的空气供给方法，其中，
所述基板处理装置具有向所述处理单元供给空气的多个管道，
在各所述管道具有连接该管道和空气的供给源的连接管，
所述多个管道连接有数量互不相同的所述处理单元，
所述管道内的空气的流速和经由所述连接管向所述管道供给的空气的流速中的至少任一者在所述管道之间相等，
在该空气供给方法中，
将来自所述空气的供给源的清洁的空气经由所述连接管和所述管道向所述处理单元分别供给。
技术总结