本发明涉及半导体
技术领域：
，尤其涉及一种含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物及其应用。
背景技术：
：有机电致发光器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。oled发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层，以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成oled发光器件。作为电流器件，当对oled发光器件的两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生oled电致发光。当前，oled显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，oled器件的发光效率，使用寿命等性能还需要进一步提升。对于oled发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率，提高器件的使用寿命等。为了实现oled器件的性能的不断提升，不但需要从oled器件结构和制作工艺的创新，更需要oled光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能oled的功能材料。应用于oled器件的oled光电功能材料从用途上可划分为两大类，即电荷注入传输材料和发光材料，进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。为了制作高性能的oled发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料要求材料具有良好双极性，适当的homo/lumo能阶等。构成oled器件的oled光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的oled器件结构，则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于oled器件的光电功能材料至少包含空穴注入材料，空穴传输材料，发光材料，电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的oled器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现，也可能完全迥异。因此，针对当前oled器件的产业应用要求，以及oled器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合，具有高性能的oled功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前oled显示照明产业的实际需求而言，目前oled材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。技术实现要素：针对现有技术存在的上述问题，本发明申请人提供了一种含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物及其应用。本发明化合物具有较高的玻璃化转变温度和分子热稳定性，合适的homo能级，通过器件结构优化，可有效提升oled器件的光电性能以及oled器件的寿命。本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物，该有机化合物的结构如通式(1)所示：其中，-----表示为两个基团通过单键连接或不连接；r1、r2表示为氢原子或通式(2)所示结构，且至少有一个表示为通式(2)所示结构；通式(2)通过*标记的两个相邻位置与通式(1)中l1至l10标记的任意两个相邻的位置稠合连接；r3、r4分别独立的表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、甲氧基、c1-c10的烷基、取代或未取代的c6-c30的芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5-30元杂芳基或通式(3)所示结构中的一种，且至少有一个表示为通式(3)所示结构；通式(3)中，l、l0、l0’分别独立的表示为单键、取代或未取代的c6-c30亚芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5-30元亚杂芳基中的一种；ar1、ar2取代或未取代的6元至30元芳基、取代或未取代的5元至30元杂芳基中的一种；所述可取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、氰基、卤素、c1-c20的烷基、c6-c30芳基、含有一个或多个杂原子的5-30元杂芳基中的一种或几种；所述杂芳基中的杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一种或几种。在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。进一步，所述有机化合物表示为下列通式中的一种：进一步，所述r3、r4分别独立的表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的9,9’-二甲基芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苯基吡啶基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三联苯基或通式(3)所示结构中的一种且至少有一个表示为通式(3)所示结构；所述通式(3)中，ar1、ar2各自独立地代表取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的9,9’-二甲基芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苯基吡啶基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三联苯基、c6-30芳基或5-30元杂芳基取代的胺基。所述可取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、甲氧基、氟原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、苯并呋喃基、咔唑基、苯并噻吩基或呋喃基中的一种或多种。进一步，所述r2表示为氢原子，r1表示为通式(2)所示结构。进一步，所述通式(3)中，l、l0、l0’各自独立地表示为：所示结构中的一种。进一步，所述有机化合物具体结构为以下结构中的一种：本发明的目的之二，是提供上述含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物在制备有机电致发光器件中的应用。本发明的含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物可以用于制备有机电致发光器件，具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。本发明的目的之三，是提供一种有机电致发光器件。本发明的化合物在oled发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种有机电致发光器件，至少一层功能层含有上述的含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物。在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。进一步，包括电子阻挡层或空穴传输层，所述电子阻挡层或空穴传输层含有上述的含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物。本发明的目的之四，是提供一种照明或显示元件。本发明的有机电致发光器件可以应用在显示原件，使器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显，在oled发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种照明或显示元件，包括上述的有机电致发光器件。与现有技术相比，本发明有益的技术效果在于：(1)本发明的化合物以苯并蒽芴为核心，连接给电子基团，具有较高的空穴迁移率，作为oled发光器件的空穴传输层的材料，可提高激子在发光层中的复合效率，提高能量利用率，从而提高器件发光效率。(2)本发明的化合物使得电子和空穴在发光层的分布更加平衡，在恰当的homo能级下，提升了空穴注入和传输性能；在合适的lumo能级下，又起到了电子阻挡的作用，提升激子在发光层中的复合效率；可有效提高激子利用率，降低器件电压，提高器件的电流效率和寿命。本发明的化合物在oled发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。(3)本发明化合物支链呈放射状，使得分子间的距离变大，使得使得本发明申请化合物具有较高的tg温度，且具有较小的分子间作用力。分子间作用力较小使得本发明申请化合物具有较小的蒸镀温度，既保证了材料在量产时长时间蒸镀材料不分解，又降低了由于蒸镀温度的热辐射对mask的形变影响。且其中不对称的三芳胺结构能够降低分子的结晶性，降低分子的平面性，增强分子的刚性，从而提高分子的热稳定性；本发明的目的之一，是提供了一种含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物。本发明提供的有机化合物具有良好的热稳定性和较高的玻璃化温度，同时具有合适的homo，采用本发明提供的有机化合物的器件通过结构优化，可有效提升oled器件的光电性能以及oled器件的寿命，从而更好的适应和满足面板制造企业的应用要求。附图说明图1为本发明所列举的材料应用于oled器件的结构示意图。图中：1为透明基板层，2为ito阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为电子阻挡层，6为发光层，7为电子传输或空穴阻挡层，8为电子注入层，9为阴极反射电极层。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。中间体m-1的合成500毫升三口瓶中，加入3g原料a-1，30毫升干燥的四氢呋喃，氮气保护下降温至-78℃，缓慢滴加4ml丁基锂的正己烷溶液(2.5m)，加毕于-78℃保温反应30分钟，再缓慢滴入2.6g原料b-1，缓慢升至25℃反应两小时，停止，加入氯化铵水溶液水解，有机层硫酸钠干燥后，浓缩至干，再加入20毫升二氯甲烷溶解，氮气下于0℃向其中缓慢滴加2g甲烷磺酸，加毕升至25℃反应1小时，加水分液，有机层浓缩后经硅胶柱层析分离，石油醚洗脱，浓缩洗脱液得到3.34g目标产物m-1，产率75％。中间体m-2至m-11的合成过程与中间体m-1相同，所用原料和目标中间体结构式如下表1-1所示。表1-1实施例1：化合物1的合成：在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol中间体m-1，0.012mol中间体c-1，150ml甲苯搅拌混合，然后加入5×10-5molpd2(dba)3，5×10-5molp(t-bu)3，0.03mol叔丁醇钠，加热至105℃，回流反应24小时，取样点板，显示无溴代物剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到目标产物，hplc纯度99.86％，收率77.3％。元素分析结构(分子式c60h41n)：理论值:c,92.87；h,5.33；n,1.81；测试值c,92.88；h,5.35；n,1.83。esi-ms(m/z)(m )：理论值775.32，实测值775.35。实施例2：化合物2的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-2代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h41n)：理论值:c,92.87；h,5.33；n,1.81；测试值：c,92.88；h,5.35；n,1.83。esi-ms(m/z)(m )：理论值775.32，实测值775.34。实施例3：化合物4的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-3代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h41n)：理论值:c,92.87；h,5.33；n,1.81；测试值：c,92.86；h,5.35；n,1.83。esi-ms(m/z)(m )：理论值775.32，实测值775.35。实施例4：化合物8的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-4代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h41n)：理论值:c,92.87；h,5.33；n,1.81；测试值：c,92.86；h,5.35；n,1.82。esi-ms(m/z)(m )：理论值775.32，实测值775.33。实施例5：化合物18的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-5代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h41n)：理论值:c,92.87；h,5.33；n,1.81；测试值：c,92.87；h,5.34；n,1.83。esi-ms(m/z)(m )：理论值775.32，实测值775.31。实施例6：化合物35的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-6代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h43n)：理论值:c,92.63；h,5.57；n,1.80；测试值：c,92.64；h,5.58；n,1.81。esi-ms(m/z)(m )：理论值777.34，实测值777.33。实施例7：化合物37的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-7代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h43n)：理论值:c,92.63；h,5.57；n,1.80；测试值：c,92.65；h,5.59；n,1.81。esi-ms(m/z)(m )：理论值777.34，实测值777.36。实施例8：化合物38的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-8代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h43n)：理论值:c,92.63；h,5.57；n,1.80；测试值：c,92.62；h,5.58；n,1.80。esi-ms(m/z)(m )：理论值777.34，实测值777.35。实施例9：化合物41的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-9代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h43n)：理论值:c,92.63；h,5.57；n,1.80；测试值：c,92.63；h,5.59；n,1.82。esi-ms(m/z)(m )：理论值777.34，实测值777.33。实施例10：化合物44的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-12代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h43n)：理论值:c,92.63；h,5.57；n,1.80；测试值：c,92.63；h,5.59；n,1.82。esi-ms(m/z)(m )：理论值777.34，实测值777.35。实施例11：化合物50的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-11代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h43n)：理论值:c,92.63；h,5.57；n,1.80；测试值：c,92.65；h,5.56；n,1.81。esi-ms(m/z)(m )：理论值777.34，实测值777.31。实施例12：化合物58的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-10代替中间体m-1；元素分析结构(分子式c60h43n)：理论值:c,92.63；h,5.57；n,1.80；测试值：c,92.64；h,5.59；n,1.82。esi-ms(m/z)(m )：理论值777.34，实测值777.32。实施例13：化合物70的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体c-2代替中间体c-1；元素分析结构(分子式c59h40n2)：理论值:c,91.21；h,5.19；n,3.61；测试值：c,91.22；h,5.21；n,3.62。esi-ms(m/z)(m )：理论值776.32，实测值776.35。实施例14：化合物102的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-11代替中间体m-1，用中间体c-2代替中间体c-1；元素分析结构(分子式c59h42n2)：理论值:c,90.97；h,5.43；n,3.60；测试值：c,90.98；h,5.45；n,3.61。esi-ms(m/z)(m )：理论值778.33，实测值778.35。实施例15：化合物189的合成：按实施例1中化合物2的合成方法制备，不同点在于用中间体m-4代替中间体m-1，用中间体c-3代替中间体c-1；元素分析结构(分子式c57h37n)：理论值:c,93.03；h,5.07；n,1.90；测试值：c,93.05；h,5.09；n,1.91。esi-ms(m/z)(m )：理论值735.29，实测值735.31。本发明中各实施例化合物的核磁共振氢谱数据如表1-2所示：表1-2本发明化合物在发光器件中使用，可以作为电子阻挡层材料，也可以作为空穴传输层材料使用。对本发明上述实施例制备的化合物分别进行热性能、t1能级、homo能级的测试，检测结果如表2所示：表2化合物tg(℃)td(℃)t1(ev)homo(ev)化合物11474252.60-5.55化合物21484222.54-5.52化合物41454172.43-5.51化合物81494222.38-5.54化合物181484242.41-5.55化合物351494192.61-5.53化合物371464172.57-5.52化合物381474182.65-5.53化合物411504242.40-5.51化合物441474242.58-5.48化合物501494252.39-5.47化合物581524202.72-5.68化合物701504172.70-5.70化合物1021514192.68-5.69化合物1891484262.71-5.73注：三线态能级t1是由horiba的fluorolog-3系列荧光光谱仪测试，材料的测试条件为2*10-5mol/l的甲苯溶液；玻璃化转变温度tg由示差扫描量热法(dsc，德国耐驰公司dsc204f1示差扫描量热仪)测定，升温速率10℃/min；热失重温度td是在氮气气氛中失重1％的温度，在日本岛津公司的tga-50h热重分析仪上进行测定，氮气流量为20ml/min；最高占据分子轨道homo能级是由电离能量测试系统(ips-3)测试，测试为大气环境。由上表数据可知，本发明的有机化合物具有高的玻璃转化温度，可提高材料膜相态稳定性，进一步提高器件使用寿命；具有高的t1能级，可以阻挡发光层能量损失，从而提升器件发光效率；合适的homo能级可以解决载流子的注入问题，可降低器件电压。因此，本发明含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物用于oled器件的不同功能层后，可有效提高器件的发光效率及使用寿命。以下通过器件实施例1-20和比较例1、2详细说明本发明合成的oled材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例2-20和比较例1与器件实施例1相比器件的制作工艺完全相同，并且采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中的空穴注入层、空穴传输层材料或电子阻挡层材料做了更换。各实施例所得器件的性能测试结果如表4所示。器件实施例1具体制备过程如下：如图1所示，透明基板层1，对ito阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ito表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ito阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的化合物1和p-1作为空穴注入层3，化合物1和p-1的质量比为98:2。接着蒸镀55nm厚度的化合物1作为空穴传输层4。随后蒸镀10nm厚度的eb-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后，制作oled发光器件的发光层6，其结构包括oled发光层6所使用bh作为主体材料，bd作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为3％重量比，发光层膜厚为20nm。在上述发光层6之后，继续真空蒸镀et-1和liq，et-1和liq质量比为1:1，膜厚为35nm，此层为空穴阻挡/电子传输层7。在空穴阻挡/电子传输层7上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的yb层，此层为电子注入层8。在电子注入层8上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的mg：ag电极层，mg、ag质量比为1:9，此层为阴极层9。相关材料的分子结构式如下所示：如上所述地完成oled发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电流效率，发光光谱以及器件的寿命。用同样的方法制备的器件实施例和比较例如表2所示；所得器件的电流效率、颜色和1000nits亮度下的lt95寿命的测试结果如表3所示。表3所得电致发光器件的检测数据见表4所示。表4由表4的结果可以看出本发明有机化合物可应用于oled发光器件制作，并且与比较例相比，无论是电压、效率还是寿命均比已知oled材料获得较大改观，特别是器件的使用寿命获得较大的提升。以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页1 2 3
技术特征：1.一种含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物，其特征在于，该有机化合物的结构如通式(1)所示：
其中，-----表示为两个基团连接或不连接；
r1、r2表示为氢原子或通式(2)所示结构，且至少有一个表示为通式(2)所示结构；
通式(2)通过*标记的两个相邻位置与通式(1)中l1至l10标记的任意两个相邻的位置稠合连接；
r3、r4分别独立的表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、甲氧基、c1-c10的烷基、取代或未取代的c6-c30的芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5-30元杂芳基或通式(3)所示结构中的一种，且至少有一个表示为通式(3)所示结构；
通式(3)中，l、l0、l0’分别独立的表示为单键、取代或未取代的c6-c30亚芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5-30元亚杂芳基中的一种；
所述ar1、ar2各自独立的表示为取代或未取代的6元至30元芳基、取代或未取代的5元至30元杂芳基中的一种；
所述可取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、氰基、卤素、c1-c20的烷基、c6-c30芳基、含有一个或多个杂原子的5-30元杂芳基中的一种或几种；
所述杂芳基中的杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物表示为下列通式中的一种：
3.根据权利要求1所述的含苯并蒽芴和二芳胺的化合物，其特征在于，所述r3、r4分别独立的表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、甲氧基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的9,9’-二甲基芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苯基吡啶基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三联苯基或通式(3)所示结构中的一种，且至少有一个表示为通式(3)所示结构；
所述通式(3)中，ar1、ar2各自独立地代表取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的9,9’-二甲基芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苯基吡啶基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三联苯基、c6-30芳基或5-30元杂芳基取代的胺基。
所述可取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、甲氧基、氟原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、苯并呋喃基、咔唑基、苯并噻吩基或呋喃基中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的含苯并蒽芴和二芳胺的化合物，其特征在于，r2表示为氢原子，r1表示为通式(2)所示结构。
5.根据权利要求1所述的含苯并蒽芴和二芳胺的化合物，其特征在于，所述通式(3)中，l、l0、l0’各自独立地表示为：＊－＊(l-1)、所示结构中的一种。
6.根据权利要求1所述的含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具体结构为以下结构中的一种：
7.一种如权利要求1-6任一项所述的含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物在制备有机电致发光器件中的应用。
8.一种有机电致发光器件，其特征在于，至少一层功能层含有权利要求1-6任一项所述的含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物。
9.根据权利要求8所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，包括电子阻挡层或空穴传输层，所述电子阻挡层或空穴传输层含有权利要求1-6任一项所述的含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物。
10.一种照明或显示元件，其特征在于，包括权利要求8或9所述的有机电致发光器件。
技术总结本发明涉及一种含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(1)所示：本发明还公开了上述含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物的应用。本发明提供的化合物具有较强的空穴传输能力，在恰当的HOMO能级下，提升了空穴注入和传输性能；在合适的LUMO能级下，又起到了电子阻挡的作用，提升激子在发光层中的复合效率；作为OLED发光器件的发光功能层材料使用时，搭配本发明范围内的支链可有效提高激子利用率和辐射效率。
技术研发人员：殷梦轩;赵四杰;王芳;张兆超;李崇
受保护的技术使用者：江苏三月光电科技有限公司
技术研发日：2019.09.11
技术公布日：2021.03.12
