本发明涉及智能标签领域，具体涉及一种双金属片声磁防盗复合标签。
背景技术：
智能标签的主要工作原理是采用射频识别技术（radiofrequencyidentification，rfid），是自动识别技术的一种，通过无线射频方式进行非接触双向数据通信，利用无线射频方式对电子标签进行读写，从而达到识别目标和数据交换的目的。射频识别技术已被广泛地应用在智能标签产品领域中。
在当前技术中，智能标签最常用的通信频率包括超高频（一般在860-960mhz）以及高频（13.56mhz），高频智能标签主要用于通信距离短的应用场景（比如服装吊牌类产品等），而超高频智能标签主要用于通信距离长的应用场景（比如运输、仓储等）。现有技术的智能标签由于只能根据需要应用的场景来选择采用通信距离短的高频智能标签还是采用通信距离长的超高频智能标签，然而在实际应用中发现，随着各类产品的仓储物流等技术的发展，人们寄希望所采用的智能标签既可以实现短距离通信，又可以实现在物流运输、仓储环节中的长距离通信，增加使用便捷性，而且可以显著降低智能标签的使用成本，但现有技术中没有能满足该要求的智能标签产品。为此，本申请人的在先专利申请201922045323.3公开了一种双频智能标签及其双频智能标签吊牌，在空白区域上直接贴合高频智能标签，进而得到双频智能标签，既可以实现短距离的可靠通信，又可以实现在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信，增加使用便捷性，而且可以显著降低智能标签的使用成本。
然而，随着本申请人的进一步深入研究开发后发现，201922045323.3公开的复合方案采用直接复合现有技术常规的dr防盗标签；dr防盗标签属于声磁标签的一种，其核心结构包括非晶片和偏磁片，对非晶片和偏磁片进行塑封处理后成型，其中dr为dual-resonater的缩写，意思是指共振片。然而由于dr防盗标签包括塑料材质外壳，如果再将其封装在高频智能标签吊牌中，会使高频智能标签吊牌整体厚度较大，需要设置较多的填充层，这不利于复合结构的小巧轻便的优点，而且该复合结构不需对高频智能标签吊牌的天线导电图形具有特殊要求，普适性一般。
因此，本申请人基于在智能标签领域的多年专注开发研究以及所累积的大量生产经验，决定寻求新的复合结构来对以上技术问题进行改进。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种双金属片声磁防盗复合标签，该复合标签结构紧凑简单且轻便，普适性好。
本发明采用的技术方案如下：
一种双金属片声磁防盗复合标签，包括粘接复合为一体的底层、双金属片层、中间避位层、设有非晶片的非晶片层以及面层，其中，所述双金属片层包括偏磁片以及设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜，所述标签芯片和所述超高频天线电连接，用于实现超高频智能标签的通信，同时所述偏磁片与非晶片协同配合，用于实现声磁防盗的通信。
优选地，所述超高频智能标签的通信频率为860-960mhz。
优选地，所述超高频天线包括围绕分布在所述载体绝缘膜外周的导电图型。
优选地，所述导电图型采用经沉积刻蚀后的铝膜。
优选地，述中间避位层上设有与所述标签芯片位置对应的避让孔。
优选地，所述中间避位层采用绝缘膜制成，同时作为隔离所述非晶片和所述偏磁片的隔离层。
优选地，所述非晶片层上设有用于定位嵌装所述非晶片的嵌装孔，所述嵌装孔的位置与所述偏磁片正对应配合。
优选地，所述载体绝缘膜采用pet膜。
优选地，所述底层采用双铜纸或白卡纸。
优选地，所述面层采用双铜纸或白卡纸。
本发明创造性地提出将超高频智能标签的超高频天线、标签芯片以及dr声磁防盗标签的偏磁片放置在同一双金属片层，然后设置与偏磁片对应配合的非晶片层，同时在双金属片层与非晶片层之间设置避让层，避让层不仅用于避免挤压超高频智能标签的标签芯片，同时作为偏磁片和非晶片之间的绝缘隔离层，在实际复合时，连同表层和底层同时通过标签复合机实现一体粘接复合成型，不需设置任何填充层，复合标签结构紧凑简单且轻便，普适性好，避免了现有复合标签中采用dr防盗标签成品复合到超高频智能标签中的空白区域存在的诸多技术问题。
附图说明
图1是本发明具体实施方式下双金属片声磁防盗复合标签的结构示意图（处于非粘接复合状态）；
图2是图1的正面结构示意图；
图3是本发明具体实施方式下双金属片声磁防盗复合标签的复合过程示意图。
具体实施方式
本发明实施例公开了一种双金属片声磁防盗复合标签，包括粘接复合为一体的底层、双金属片层、中间避位层、设有非晶片的非晶片层以及面层，其中，双金属片层包括偏磁片以及设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜，标签芯片和超高频天线电连接，用于实现超高频智能标签的通信，同时偏磁片与非晶片协同配合，用于实现声磁防盗的通信。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
请参见图1、图2和图3所示，一种双金属片声磁防盗复合标签1，包括粘接复合为一体的底层11、双金属片层12、中间避位层13、设有非晶片21的非晶片层14以及面层15，其中，优选地，在本实施方式中，底层11采用200g的双铜纸或白卡纸；面层15采用200g的双铜纸或白卡纸,底层11和面层15的外表面可分别用于印制相关吊牌信息；
在本实施方式中，双金属片层12包括偏磁片22以及设有超高频天线（图未示出）和标签芯片32的载体绝缘膜31，标签芯片32和超高频天线电连接，用于实现超高频智能标签的通信，同时偏磁片22与非晶片22协同配合，用于实现声磁防盗的通信；具体地，在本实施方式中，超高频智能标签的通信频率为860-960mhz，dr声磁防盗的工作频率为58khz;超高频天线包括围绕分布在载体绝缘膜外周的导电图型，导电图型采用经沉积刻蚀后的铝膜，其具体形状可采用公知导电图形，本实施例对其没有特别限定之处；
优选地，在本实施方式中，中间避位层13上设有与标签芯片32位置对应的避让孔13a，避免标签芯片32受到挤压；进一步优选地，在本实施方式中，非晶片层14上设有用于定位嵌装非晶片21的嵌装孔14a，嵌装孔16c的位置与偏磁片22正对应配合；
优选地，在本实施方式中，中间避位层13采用pet绝缘膜制成，同时作为隔离非晶片21和偏磁片22的隔离层；载体绝缘膜31采用pet膜。
本实施例创造性地提出将超高频智能标签的超高频天线、标签芯片以及dr声磁防盗标签的偏磁片22放置在同一双金属片层12，然后设置与偏磁片22对应配合的非晶片层14，同时在双金属片层12与非晶片层14之间设置中间避让层13，中间避让层13不仅用于避免挤压超高频智能标签的标签芯片32，同时作为偏磁片22和非晶片21之间的绝缘隔离层，在实际复合时，连同底层11和面层15同时通过标签复合机实现一体粘接复合成型，不需设置任何填充层，该复合标签结构紧凑简单且轻便，普适性好，避免了现有复合标签中采用dr防盗标签成品复合到超高频智能标签中的空白区域存在的诸多技术问题。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
1.一种双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，包括粘接复合为一体的底层、双金属片层、中间避位层、设有非晶片的非晶片层以及面层，其中，所述双金属片层包括偏磁片以及设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜，所述标签芯片和所述超高频天线电连接，用于实现超高频智能标签的通信，同时所述偏磁片与非晶片协同配合，用于实现声磁防盗的通信。
2.根据权利要求1所述的双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，所述超高频智能标签的通信频率为860-960mhz。
3.根据权利要求1所述的双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，所述超高频天线包括围绕分布在所述载体绝缘膜外周的导电图型。
4.根据权利要求3所述的双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，所述导电图型采用经沉积刻蚀后的铝膜。
5.根据权利要求1所述的双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，所述中间避位层上设有与所述标签芯片位置对应的避让孔。
6.根据权利要求5所述的双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，所述中间避位层采用绝缘膜制成，同时作为隔离所述非晶片和所述偏磁片的隔离层。
7.根据权利要求1所述的双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，所述非晶片层上设有用于定位嵌装所述非晶片的嵌装孔，所述嵌装孔的位置与所述偏磁片正对应配合。
8.根据权利要求1所述的双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，所述载体绝缘膜采用pet膜。
9.根据权利要求1所述的双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，所述底层采用双铜纸或白卡纸。
10.根据权利要求1所述的双金属片声磁防盗复合标签，其特征在于，所述面层采用双铜纸或白卡纸。
技术总结