本发明属于清洗剂
技术领域：
，具体涉及一种新型金箔电极清洗剂及其制备方法。
背景技术：
：表面钝化技术是半导体器件制造过程中的重要工艺环节，对器件的电学特性和可靠性有重要影响。在传统的半导体分离器件产品中，主要的半导体产品表面钝化技术采用二氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺胶、白胶、玻璃等。由于玻璃作为钝化层具有低成本、高可靠性优势，逐渐替代了白胶、聚酰亚胺胶等，使得玻璃已成为半导体产品表面钝化层的主流材料。而随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高。在现有技术中，利用半导体钝化专用玻璃制作玻璃钝化硅二极管（gpp）芯片是一种较为理想的半导体钝化材料。电泳玻璃钝化法是将玻璃粉和有机溶剂（异丙醇和乙酸乙酯）配制成悬浮液，并在悬浮液内加入适量的活性剂和醋酸纤维素。在直流电场作用下，带负电的玻璃颗粒向正电极上硅片方向运动，并淀积在硅片沟槽内。专利cn106653600a公开了一种gpp芯片电泳法制作工艺，该制作工艺包括选择制造材料、硅片清洗、磷预沉积、硼扩散、双面喷砂去氧化层、钝化保护、玻璃钝化、漂洗和划片，其使用电泳法对玻璃进行钝化使玻璃的附着面更广，使附着更加的均匀，提高gpp芯片的质量。但由于在电泳过程中，悬浮液中的固体颗粒会在阳极电极上沉积，而随着玻璃粉在阳极电极上不断地沉积，导致电泳效率不断下降，因此必须及时将阳极电极取出，清洗掉阳极电极表面的沉积物。目前还未有专用的清洗剂，都是使用一些近似的电极清洗剂。由于现有清洗剂并不是针对性的，另外沉积在电极表面的玻璃粉比较密实，普通电极清洗剂需要长时间的浸泡后再人工刷洗，或使用超声波清洗设备，才能去除电极表面的沉积物。如专利cn108251231a公开了一种电极清洗剂及其制备方法，该电极清洗剂包括：柠檬酸钠1～5份，碳酸钠3～5份，海藻酸钠0.8～3份，羧甲基纤维素4～8份，十二烷基苯磺酸钠0.5～3份，琥珀酸双酯磺酸盐0.5～3份，脂肪酸甲脂乙氧基化物1～6份，水80～100份。但该电极清洗剂只是去除了电极表面附着的污垢，另外由于在电泳玻璃钝化法过程中电泳沉积很快，对于电极的清洗需要很频繁，如果清洗需要较长时间，就跟不上连续的生产。因此，本发明研发设计了一种专用的电极清洗剂，能够快速地清除在电泳玻璃钝化法中金箔电极表面的玻璃粉沉积物。技术实现要素：本发明一目的在于针对
背景技术：
中存在的技术问题而提供一种新型金箔电极清洗剂，在gpp芯片电泳法玻璃钝化工艺中，用于电泳的阳极金箔片表面玻璃粉沉积物的清洗。本发明另一目的在于提供一种新型金箔电极清洗剂的制备方法。为实现本发明一目的而采用的技术方案为：一种新型金箔电极清洗剂，按质量百分含量计，该电极清洗剂包括：乙醇酸5～10%，柠檬酸1～5%，甲酸1～2%，阻垢剂1～10%，缓蚀剂0.5～1%，水余量。优选地，本发明所述的阻垢剂选自hedp、edtmpa或atmp中的一种或几种。进一步优选，阻垢剂组成为hedp和edtmpa按照质量比1:1.2混合。优选地，本发明所述的缓蚀剂选自bta、mbt、tta中的一种或几种。进一步优选，缓蚀剂组成为bta和tta按照质量比2:1混合。为实现本发明另一目的而采用的技术方案为：一种新型金箔电极清洗剂的制备方法，其包括以下步骤：步骤一、将乙醇酸，柠檬酸，甲酸按照配比混合并搅拌均匀；步骤二、将阻垢剂缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀；步骤三、将缓蚀剂缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀；步骤四、加入水，调节ph至6～7，得到所述电极清洗剂。本发明的优点和有益效果在于：1、本发明清洗剂的成分针对性的进行了选择和调整，对金箔电极表面沉积的玻璃粉有强力的分散悬浮作用，清洗设备简单，清洗时间短，能很好地满足现有的电泳玻璃钝化生产工艺。2、通过对多种不同的表面活性剂和清洗助剂的研究，发现几种表面活性剂以某一特定比例的复配物，对电极表面的沉积物有极佳的渗透分散性，因此，本发明最终确定了该清洗剂的组分和重量百分比，包括阻垢剂hedp和edtmpa按质量比例1:1.2复合，以及缓蚀剂bta和tta按照质量比2:1复合，对电极表面的沉积物清洗效果具有一定的协同作用。3、该清洗剂对金箔电极表面玻璃粉沉积物有很好的去除力，使用时只需将电极浸泡在清洗剂中较短时间，取出后用清水冲洗一下即可。具体实施方式下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。实施例1：1）按照配比，将乙醇酸5%，柠檬酸5%，甲酸1.5%混合并搅拌均匀；2）将阻垢剂10%缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀；3）将缓蚀剂1%缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀，其中阻垢剂为hedp和edtmpa按照质量比1:1.2混合，其中缓蚀剂为bta和tta按照质量比2:1混合；4）加入水，调节ph至6，得到新型金箔电极清洗剂。实施例2：1）按照配比，将乙醇酸10%，柠檬酸1%，甲酸2%混合并搅拌均匀；2）将阻垢剂6%缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀；3）将缓蚀剂0.8%缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀，其中阻垢剂为hedp和edtmpa按照质量比1:1.2混合，其中缓蚀剂为bta和tta按照质量比2:1混合；4）加入水，调节ph至6.5，得到新型金箔电极清洗剂。实施例3：1）按照配比，将乙醇酸8%，柠檬酸3%，甲酸1%混合并搅拌均匀；2）将阻垢剂1%缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀；3）将缓蚀剂0.5%缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀，其中阻垢剂为hedp和edtmpa按照质量比1:1.2混合，其中缓蚀剂为bta和tta按照质量比2:1混合；4）加入水，调节ph至7，得到新型金箔电极清洗剂。将上述实施例和单独采用阻垢剂、单独采用缓蚀剂分别对玻璃粉沉积物污染程度相同的电极在室温下做对比试验。采用方法为电极浸渍法，将玻璃粉沉积物污染程度相同的电极分别放入实施例1～3的溶液、以及相同质量的阻垢剂和缓蚀剂内，浸泡时间2min，显微照片观测各电极表面情况。归纳情况见下表1：表1实施例1实施例2实施例3阻垢剂hedp阻垢剂edtmpa阻垢剂atmp缓蚀剂bta缓蚀剂mbt缓蚀剂ttaph66.57-----表面情况基本无污染基本无污染基本无污染有明显污染残余部分污染残余部分污染无明显变化无明显变化无明显变化对比例1：选取阻垢剂为hedp和edtmpa按照质量比1:0.5混合；缓蚀剂为bta和tta按照质量比3:1混合。其余同实施例1。对比例2：选取阻垢剂为hedp和edtmpa按照质量比1:2混合；缓蚀剂为bta和tta按照质量比1:1混合。其余同实施例2。对比例3：选取阻垢剂为hedp和edtmpa按照质量比1:3混合；缓蚀剂为bta和tta按照质量比4:1混合。其余同实施例3。将上述对比例1～3与实施例1～3玻璃粉沉积物污染程度相同的电极在室温下做对比试验。同样采用电极浸渍法，将玻璃粉沉积物污染程度相同的电极分别放入对比例1～3的溶液，浸泡时间5min，显微照片观测各电极表面情况。归纳情况见下表2：表2实施例1实施例2实施例3对比例1对比例2对比例3ph66.5766.57表面情况基本无污染基本无污染基本无污染残余部分污染残余部分污染残余部分污染从表2可以看出，本发明实施例1～3中的阻垢剂hedp和edtmpa按质量比例1:1.2复合，以及缓蚀剂bta和tta按照质量比2:1复合，共同使用后的电极表面基本无污染，效果优于对比例1～3中阻垢剂和缓蚀剂的复合比例，这可能是适合的浓度比例能够发生共吸附，具有一定的协同作用，而当浓度不合适时，会发生竞争吸附，导致效果变差。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本
技术领域：
的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。当前第1页1 2 3
技术特征：1.一种新型金箔电极清洗剂，其特征在于：按质量百分含量计，该电极清洗剂包括：乙醇酸5～10%，柠檬酸1～5%，甲酸1～2%，阻垢剂1～10%，缓蚀剂0.5～1%，水余量。
2.根据权利要求1所述的新型金箔电极清洗剂，其特征在于：所述的阻垢剂选自hedp、edtmpa或atmp中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的新型金箔电极清洗剂，其特征在于：所述的缓蚀剂选自bta、mbt、tta中的一种或几种。
4.根据权利要求2所述的新型金箔电极清洗剂，其特征在于：所述的阻垢剂组成为hedp和edtmpa按照质量比1:1.2混合。
5.根据权利要求3所述的新型金箔电极清洗剂，其特征在于：所述的缓蚀剂组成为bta和tta按照质量比2:1混合。
6.一种制备如权利要求1～5任一项所述的新型金箔电极清洗剂的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将乙醇酸，柠檬酸，甲酸按照配比混合并搅拌均匀；
步骤二、将阻垢剂缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀；
步骤三、将缓蚀剂缓慢加入上述混合溶液中并搅拌均匀；
步骤四、加入水，调节ph至6~7，得到所述电极清洗剂。
技术总结本发明公开了一种新型金箔电极清洗剂及其制备方法，属于清洗剂技术领域。该金箔电极清洗剂，按质量百分含量计，包括：乙醇酸5～10%，柠檬酸1～5%，甲酸1～2%，阻垢剂1～10%，缓蚀剂0.5～1%，水余量。本发明清洗剂的成分针对性的进行了选择和调整，对金箔电极表面沉积的玻璃粉有强力的分散悬浮作用，清洗设备简单，清洗时间短，能很好地满足现有的电泳玻璃钝化生产工艺。另外，通过对多种不同的表面活性剂和清洗助剂的研究，发现几种表面活性剂以某一特定比例的复配物，对电极表面的沉积物有极佳的渗透分散性。
技术研发人员：刘鸣;孙宇亮;刘利娟;陆朝霞
受保护的技术使用者：苏州市晶协高新电子材料有限公司
技术研发日：2021.01.19
技术公布日：2021.03.12
