本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种立式热处理设备。
背景技术：
目前，半导体工艺设备中的立式热处理设备的工艺均匀性与工艺腔室的同心度息息相关，并且工艺均匀性的主要影响因素是气流均匀性、压力均匀性及温度均匀性。当工艺腔室与晶圆同心度较差时，温度及气流在晶圆表面内的均匀性将受影响，甚至导致工艺的失败，因此立式热处理设备一般会包括有用于调整同心的结构。
现有技术中的立式热处理设备主要由加热腔室、晶舟、工艺腔室及工艺门构成。晶舟主要用于承载晶圆，晶圆与加热腔室及工艺腔室之间的同心度需要在装配时完成调整，首先将加热室与机箱之间调整为同心状态，然后再将工艺腔室与机箱之间调整为同心状态，晶舟在工艺门的带动下进入工艺腔室内，之后再将工艺门与工艺腔室之间调整为同心状态，从而实现加热腔室、工艺腔室与晶圆之间的同心调整。但是由于现有技术中的同心调整方式是间接实现的，因此各部件之间的同心度存在累积误差，从而严重影响晶圆的工艺均匀性。
技术实现要素：
本申请针对现有方式的缺点，提出一种立式热处理设备，用以解决现有技术存在立式热处理设备装配累积误差大，导致同心度调整困难的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种立式热处理设备，用于对待加工工件进行热处理工艺，包括：机箱、工艺腔室和加热腔室，所述加热腔室和所述工艺腔室均固定设置于所述机箱的顶部，且所述工艺腔室位于所述加热腔室内，所述工艺腔室用于容置所述待加工工件，所述立式热处理设备还包括检测组件，所述检测组件包括发射传感器，所述发射传感器设置于所述加热腔室的顶部，所述机箱内部的底面上相对所述发射传感器设置有第一反射部；所述工艺腔室的顶部具有透光部及第一遮光部，所述透光部位于所述发射传感器发射的光束的路径上，所述第一遮光部环绕所述透光部设置；通过判断所述发射传感器是否能接收到所述第一反射部反射的光束，用以检测所述工艺腔室是否与所述加热腔室同心设置。
于本申请的一实施例中，所述立式热处理设备还包括晶舟及工艺门，所述晶舟用于承载所述待加工工件，所述晶舟设置于所述工艺门上，用于通过所述工艺门移入或者移出所述工艺腔室；所述晶舟包括顶板，所述顶板上相对所述发射传感器设置有第二反射部，所述第二遮光部环绕所述第二反射部设置；通过判断所述发射传感器是否能接收到所述第二反射部反射的光束，用以检测所述晶舟与所述工艺腔室及所述加热腔室是否同心设置。
于本申请的一实施例中，所述工艺腔室的顶部设有进气孔，所述进气孔用于通入工艺气体；所述顶板上表面具有导流面，所述导流面用于对从所述进气孔通入的所述工艺气体进行导流，以使所述工艺气体经所述晶舟的顶部分流至所述晶舟的侧部。
于本申请的一实施例中，所述导流面为圆台面，所述第二反射部设置于所述圆台面的顶部平面上，所述第二遮光部设置于所述圆台面的侧面上；所述发射传感器设于所述加热腔室的顶部居中位置。
于本申请的一实施例中，所述顶板为石英材质，所述顶板上表面采用喷砂方式处理以形成所述第二遮光部。
于本申请的一实施例中，所述加热腔室的顶壁上设置有通光孔，所述发射传感器对应设置在所述通光孔位置处，并且所述发射传感器通过所述通光孔发射并接收光束。
于本申请的一实施例中，所述顶壁包括层叠设置的外罩及保温板，所述保温板靠近所述工艺腔室设置，所述发射传感器设置于所述外罩及所述保温板之间，并且所述通光孔设置于所述保温板上。
于本申请的一实施例中，所述通光孔的直径大于所述发射传感器的光束直径，并且所述通光孔的孔径与所述发射传感器的光束直径对应设置。
于本申请的一实施例中，所述第一反射部为设置于所述机箱上的反光涂层或者反光板，所述第二反射部为设置于所述晶舟顶部的反光涂层或者反光板。
于本申请的一实施例中，所述工艺腔室为透明石英材质制成，所述工艺腔室的顶部为弧面，且所述第一遮光部采用喷砂方式形成于所述工艺腔室的顶面上。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
本申请实施例通过将发射传感器设置于加热腔室的顶部，工艺腔室顶部设置透光部及环绕透光部设置的第一遮光部，机箱内的底面上设置有第一反射部，发射传感器通过判断能否接收到第一反射部反射的光束，从而实现对工艺腔室及加热腔室的同心度检测。由于工艺腔室直接相对于加热腔室进行同心调整，以避免现有技术中由于间接调整造成的累积误差，从而大幅提高了工艺腔室与加热腔室同心度的精确性，并且由于检测较为便捷使得本申请实施例的同心度调节较为简单。另外，由于工艺腔室与加热腔室之间的同心度提高，从而可以提高工艺腔室内温度及气流均匀性，进而大幅提高了待加工工件的工艺均匀性。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种立式热处理设备的局部示意图；
图2为本申请实施例提供的一种工艺腔室的俯视示意图；
图3为本申请实施例提供的一种立式热处理设备的同心调整示意图；
图4为本申请实施例提供的一种晶舟的主视示意图；
图5为本申请实施例提供的一种晶舟的俯视示意图；
图6为本申请实施例提供的一种晶舟的局部放大示意图；
图7为本申请实施例提供的一种立式热处理设备内的气流状态示意图；
图8为现有技术中的立式热处理设备内的气流状态示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种立式热处理设备，用于对待加工工件100进行热处理工艺，该立式热处理设备的结构示意图如图1至图3所示，包括：机箱1、工艺腔室2和加热腔室3，加热腔室3和工艺腔室2均固定设置于机箱1的顶部，且工艺腔室2位于加热腔室3内，工艺腔室2用于容置待加工工件100；立式热处理设备还包括检测组件4，检测组件4包括发射传感器41，发射传感器41设置于加热腔室3的顶部，机箱1内部的底面上相对发射传感器41设置有第一反射部11；工艺腔室2的顶部具有透光部21及第一遮光部22，透光部21位于发射传感器41发射的光束的路径上，第一遮光部22环绕透光部21设置；通过判断发射传感器41是否能接收到第一反射部11反射的光束，用以检测工艺腔室2是否与加热腔室3同心设置。
如图1至图3所示，机箱1具体采用金属材质制成的箱式结构，其主要用于承载工艺腔室2及加热腔室3。工艺腔室2具体可以采用石英材质制成的管状结构，用于容置待加工工件100，该待加工工件100具体可以为晶圆，但是本申请实施例并不以此为限。加热腔室3具体可以设置于圆形套筒结构，工艺腔室2具体嵌套于加热腔室3内，并且工艺腔室2的外壁与加热腔室3的内壁之间具有间距，加热腔室3用于保护工艺腔室2以及提供待加工工件100热处理工艺所需要的稳定温度。工艺腔室2及加热腔室3均固定设置于机箱1的顶部。发射传感器41设置于加热腔室3的顶部，并且可以位于加热腔室3顶部的居中位置，但是本申请实施例并不以此为限。机箱1内的底面相对发射传感器41设置有第一反射部11，第一反射部11与发射传感器41可以在加热腔室3的轴线上居中对齐，即发射传感器41在竖直方向上与第一反射部11的中心部位对齐，第一反射部11用于反射发射传感器41的光束。工艺腔室2的顶部上设置有透光部21及第一遮光部22，透光部21具体位于发射传感器41发射的光束的路径上，例如当发射传感器41设置于加热腔室3的顶部居中位置时，透光部21则设置于工艺腔室2的顶部居中位置，但是本申请实施例并不以此为限。第一遮光部22环绕透光部21设置，第一遮光部22用于遮挡发射传感器41的光束，以使发射传感器41的光束仅穿过透光部21。进一步地，为了提升同心度检测的精度和兼容性，发射传感器41发射的光束的直径可调，可根据不同工艺同心度要求增大或者缩小。
在实际应用时，发射传感器41可以穿过加热腔室3的顶部向工艺腔室2的透光部21发射光束，当光束穿过透光部21后，并且发射传感器41接收到第一反射部11反射的光束时，则说明工艺腔室2与加热腔室3同心设置；当光束未穿过透光部21时，此时由于第一遮光部22的阻挡了光束的发射，使得发射传感器41无法接收到第一反射部11反射的光束，因此说明工艺腔室2与加热腔室3未同心设置。具体地，第一遮光部22是通过散射的方式阻止发射传感器41接收回归光束。此时通过调整工艺腔室2与加热腔室3的相对位置，当发射传感器41接收到第一反射部11反射的光束时，则工艺腔室2与加热腔室3同心设置。
本申请实施例通过将发射传感器设置于加热腔室的顶部，工艺腔室顶部设置透光部及环绕透光部设置的第一遮光部，机箱内的底面上设置有第一反射部，发射传感器通过判断能否接收到第一反射部反射的光束，从而实现对工艺腔室及加热腔室的同心度检测。由于工艺腔室直接相对于加热腔室进行同心调整，以避免现有技术中由于间接调整造成的累积误差，从而大幅提高了工艺腔室与加热腔室同心度的精确性，并且由于检测较为便捷使得本申请实施例的同心度调节较为简单。另外，由于工艺腔室与加热腔室之间的同心度提高，从而可以提高工艺腔室内温度及气流均匀性，进而大幅提高了待加工工件的工艺均匀性。
于本申请的一实施例中，如图1、图4至图6所示，立式热处理设备还包括晶舟5及工艺门6，晶舟5用于承载待加工工件100，晶舟5设置于工艺门6上，用于通过工艺门6移入或者移出工艺腔室2；晶舟5包括顶板50，顶板50上相对发射传感器41设置有第二反射部51，第二遮光部52环绕第二反射部51设置；通过判断发射传感器41是否能接收到第二反射部51反射的光束，用以检测晶舟5与工艺腔室2及加热腔室是否同心设置。
如图1、图4至6所示，晶舟5内部可以用于容置多个待加工件100，并且晶舟5的底端可以设置于工艺门6上，由工艺门6带动晶舟5选择性进入工艺腔室2内。顶板50上设置有第二反射部51及第二遮光部52。第二反射部51具体位于顶板50的居中位置，而第二遮光部52环绕第二反射部51设置，第二反射部51用于反射发射传感器41的光束，而第二遮光部52则用于吸收发射传感41的光束。具体地，第二遮光部52是通过散射的方式阻止发射传感器41接收回归光束。当需要对晶舟5进行同心调整时，发射传感器41的光束透过工艺腔室2的透光部21到达晶舟5的顶部，当发射传感器41接收到第二反射部51反射的光束时，则说明晶舟5、工艺腔室2及加热腔室3三者同心设置。在实际工艺时经校准后的机械手(图中未示出)将待加工工件100传输至晶舟5上，进而实现待加工工件100与晶舟5、工艺腔室2及加热腔室3同心设置。此外，当发射传感器41的光束透过工艺腔室2的透光部21到达晶舟5的顶部，由于第二遮光部52的吸光效应，发射传感器41无法接收到第二反射部51反射的光束，则说明晶舟5未与工艺腔室2及加热腔室3同心设置。采用上述设计，由于发射传感器41直接对工艺腔室2及晶舟5进行检测，从而可以避免由于现有技术中间接调整造成的累积误差，进而大幅提高了各部件同心度的精确性。另外，由于晶舟5与工艺腔室2及加热腔室3同心度提高，以使得待加工工件100与工艺腔室2及加热腔室3的同心度提高，从而提高了待加工工件100的工艺均匀性。
进一步的，在工艺过程中由于热场及力场的作用下晶舟5会发生变形，晶舟5变形后相对工艺腔室2及加热腔室3的同心度会发生变化，并且由于晶舟5底端固定设置，而晶舟5的顶部无约束，因此会造成晶舟5的顶部变形较大，从而导致晶舟5与工艺腔室2及加热腔室3同心度会发生偏离。因此采用检测组件4实时对晶舟5的同心度进行监测，并且根据监测结果对晶舟5进行微调。具体来说检测组件4将检测数据发送至立式热处理设备的下位机(图中未示出)上，由下位机控制工艺门6上的微调机构对晶舟5的位置进行调整，以实现持续在线监测，从而改善工艺过程中待加工工件100与工艺腔室2及加热腔室3的同心度，进而优化待加工工件100的工艺均匀性。
于本申请的一实施例中，如图1、图4至图6所示，工艺腔室2的顶部设有进气孔23，进气孔23用于通入工艺气体；顶板50上表面具有导流面，导流面用于对从进气孔23通入的工艺气体进行导流，以使工艺气体经晶舟5的顶部分流至晶舟5的侧部。可选地，导流面为圆台面，第二反射部51设置于圆台面的顶部平面上，第二遮光部52设置于圆台面的侧面上；发射传感器41设于加热腔室的顶部居中位置。
如图1、图4至图6所示，工艺腔室2整体均采用石英材质，工艺腔室2的顶部可以设置有多个进气孔23，多个进气孔23可以围绕工艺腔室2的轴心沿圆周方向均匀排布，用于将工艺气体导入至工艺腔室2内。工艺腔室2的顶部一体形成有罩体24，该罩体24覆盖于多个进气孔23的外周，用于与一供气装置(图中未示出)连接，以将工艺气体导引至多个进气孔23处。顶板50的上表面具有导流面，导流面可以对从进气孔23通入的工艺气体进行导流，具体地，导流面可以使得工艺气体在接触顶板50后向水平方向分流，并且使工艺气体随晶舟5的旋转呈螺旋状下降，具体可以参照附图7中如黑色箭头示出的气流方向，从而大幅提高工艺腔室2内的气流均匀性。为了便于安装第二反射部51及第二遮光部52，顶板50的上表面具可以设置为圆台面，即导流面具体为圆台面，第二反射部51设置于圆台面的顶部平面上，第二遮光部52设置于圆台面的侧面上；发射传感器41可以设置于加热腔室3的顶部居中位置。采用上述设计，不仅能提高检测的便捷性及准确性，而且还能大幅降低顶板50的制作难度及加工成本，进而大幅降低晶舟5的应用及维护成本。
进一步的，为了说明本申请实施例的有益效果，以下结合图8进行说明，现有技术中的晶舟200的顶板201为空心平面结构，气流在进入工艺腔室300后，会经过顶板201的空心处到达位于晶舟201的顶部待加工工件100的表面，从而对待加工工件100的工艺均匀性造成影响；并且晶舟201的顶板202外缘处气流主要为垂直分量，容易在工艺腔室202内造成紊流，具体可参照附图8中黑色箭头示出的气流方向，由于气流不均匀从而对待加工工件100的工艺均匀性造成影响。
需要说明的是，本申请实施例并不限定顶板50的上表面必须采用圆台面，顶板5的上表面也可以采用圆锥面。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图4至图6所示，顶板50为石英材质，顶板50上表面采用喷砂方式处理以形成第二遮光部52。具体来说，顶板50整体采用石英材质制成，第二遮光部52具体可以采用喷砂工艺形成于顶板50的上表面，第二遮光部52可以环绕设置第二反射部51设置，或者第二反射部51直接设置于该第二遮光部52上。采用上述设计，第二遮光部52采用喷砂工艺制成，不仅能有效降低应用及维护成本，而且能大幅提高晶舟5结构稳定性，从而降低故障率。
于本申请的一实施例中，如图1及图3所示，加热腔室3的顶壁上设置有通光孔31，发射传感器41对应设置在通光孔31位置处，并且发射传感器41通过通光孔31发射并接收光束。可选地，顶壁包括层叠设置的外罩32及保温板33，保温板33靠近工艺腔室2设置，发射传感器41设置于外罩32及保温板33之间，并且通光孔31设置于保温板33上。
如图1及图3所示，加热腔室3的顶部依次层叠设置有外罩32及保温板33，外罩32具体可以采用金属材质制成以用于保护加热腔室3的内部结构。保温板33靠近工艺腔室2设置，保温板33用于避免加热腔室3的热量流失，从而提高本申请实施例的加热效率及降低能耗。保温板33中心位置处设置有通光孔31，发射传感器41可以设置于外罩32及保温板33之间，由于保温板33可阻挡加热腔室3的主要热量接触发射传感器41，从而有效延长发射传感器41的使用寿命，以及避免加热腔室3内部热量流失。但是本申请实施例并不限定通光孔31及发射传感器41的具体设置方式，例如外罩32及保温板33上贯穿有通光孔31，发射传感器41设置于外罩32的上表面。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
需要说明的是，本申请实施例并不限定加热腔室3的具体结构及类型，例如在一些实施例中，加热腔室3内可以设置有电阻丝加热器，以对工艺腔室2进行加热。但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1及图3所示，通光孔31的直径大于发射传感器41的光束直径，并且通光孔31的孔径与发射传感器41的光束直径对应设置。具体来说，该通光孔31的直径大于发射传感器41的光束直径，并且根据不同工艺的同心度要求，发射传感器41的光束直径能根据不同工艺进行调节，而通光孔31的直径也可以对应于光束的直径进行调节，从而大幅提高本申请实施例的适用范围。
于本申请的一实施例中，如图3至图5所示，第一反射部11为设置于机箱1上的反光涂层或者反光板，第二反射部52为设置于晶舟5顶部的反光涂层或者反光板。具体来说，机箱1底部上形成一光洁表面，采用反光材料涂覆于该光洁表面上以形成第一反射部11。可选地，第一反射部11具体可以采用耐高温材质制成的板状结构，例如采用硅材质制成，第一反射部11采用螺栓连接或者粘接等方式设置机箱1的底部上，但是本申请实施并不以此为限。第二反射部51与第一反射部11可以采用相同方式制成，不同之处仅在于第二反射部51设置晶舟5的顶板50上，因此对于第二反射部51的具体实施方式不再赘述。采用上述设计，能有效降低本申请实施例的应用及制造成本。
于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，工艺腔室2为透明石英材质制成，工艺腔室2的顶部为弧面，且第一遮光部22采用喷砂方式形成于工艺腔室2的顶面上。具体来说，由于工艺腔室2整体采用透明石英材质制成，工艺腔室2顶部可以设置有圆环形第一遮光部22，第一遮光部22具体可以采用喷砂工艺形成于工艺腔室2的顶部上，并且未被第一遮光部22覆盖的透明区域构成透光部21。采用上述设计，不仅能有效降低应用及维护成本，而且能大幅提高工艺腔室2结构稳定性，从而降低故障率。
需要说明的是，本申请实施例并不限定第一遮光部22具体工艺，例如第一遮光部22也可以直接形成于工艺腔室2内或者采用遮光材料喷涂。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1所示，检测组件4还包括显示器(图中未示出)，显示器具体中以与立式热处理设备的下位机电连接，下位机根据发射传感器41接收的光束控制显示器展示检测结果。显示器可以根据发射传感器41是否的接收到光束来显示各部件之间的是否同心设置，从而实现快速且便捷的同心度检测。可选地，发射传感器41具体采用反射型激光传感器。但是本申请实施例并不以为限，例如在一些其它实施例中，发射传感器41还可以采用对射式光电传感器，其发射端可以设置于加热腔室3的顶部，而接收端则可以设置于机箱1内的底部上，并且工艺腔室2及晶舟5均设置有透光结构即可实现。因此本申请实施例并不限发射传感器41的具体实施方式，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
本申请实施例通过将发射传感器设置于加热腔室的顶部，工艺腔室顶部设置透光部及环绕透光部设置的第一遮光部，机箱内的底面上设置有第一反射部，发射传感器通过判断能否接收到第一反射部反射的光束，从而实现对工艺腔室及加热腔室的同心度检测。由于工艺腔室直接相对于加热腔室进行同心调整，以避免现有技术中由于间接调整造成的累积误差，从而大幅提高了工艺腔室与加热腔室同心度的精确性，并且由于检测较为便捷使得本申请实施例的同心度调节较为简单。另外，由于工艺腔室与加热腔室之间的同心度提高，从而可以提高工艺腔室内温度及气流均匀性，进而大幅提高了待加工工件的工艺均匀性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
1.一种立式热处理设备，用于对待加工工件进行热处理工艺，包括：机箱、工艺腔室和加热腔室，所述加热腔室和所述工艺腔室均固定设置于所述机箱的顶部，且所述工艺腔室位于所述加热腔室内，所述工艺腔室用于容置所述待加工工件，其特征在于：
所述立式热处理设备还包括检测组件，所述检测组件包括发射传感器，所述发射传感器设置于所述加热腔室的顶部，所述机箱内部的底面上相对所述发射传感器设置有第一反射部；
所述工艺腔室的顶部具有透光部及第一遮光部，所述透光部位于所述发射传感器发射的光束的路径上，所述第一遮光部环绕所述透光部设置；通过判断所述发射传感器是否能接收到所述第一反射部反射的光束，用以检测所述工艺腔室是否与所述加热腔室同心设置。
2.如权利要求1所述的立式热处理设备，其特征在于，所述立式热处理设备还包括晶舟及工艺门，所述晶舟用于承载所述待加工工件，所述晶舟设置于所述工艺门上，用于通过所述工艺门移入或者移出所述工艺腔室；
所述晶舟包括顶板，所述顶板上相对所述发射传感器设置有第二反射部，第二遮光部环绕所述第二反射部设置；
通过判断所述发射传感器是否能接收到所述第二反射部反射的光束，用以检测所述晶舟与所述工艺腔室及所述加热腔室是否同心设置。
3.如权利要求2所述的立式热处理设备，其特征在于，所述工艺腔室的顶部设有进气孔，所述进气孔用于通入工艺气体；
所述顶板上表面具有导流面，所述导流面用于对从所述进气孔通入的所述工艺气体进行导流，以使所述工艺气体经所述晶舟的顶部分流至所述晶舟的侧部。
4.如权利要求3所述的立式热处理设备，其特征在于，所述导流面为圆台面，所述第二反射部设置于所述圆台面的顶部平面上，所述第二遮光部设置于所述圆台面的侧面上；所述发射传感器设于所述加热腔室的顶部居中位置。
5.如权利要求2所述的立式热处理设备，其特征在于，所述顶板为石英材质，所述顶板上表面采用喷砂方式处理以形成所述第二遮光部。
6.如权利要求1所述的立式热处理设备，其特征在于，所述加热腔室的顶壁上设置有通光孔，所述发射传感器对应设置在所述通光孔位置处，并且所述发射传感器通过所述通光孔发射并接收光束。
7.如权利要求6所述的立式热处理设备，其特征在于，所述顶壁包括层叠设置的外罩及保温板，所述保温板靠近所述工艺腔室设置，所述发射传感器设置于所述外罩及所述保温板之间，并且所述通光孔设置于所述保温板上。
8.如权利要求6所述的立式热处理设备，其特征在于，所述通光孔的直径大于所述发射传感器的光束直径，并且所述通光孔的孔径与所述发射传感器的光束直径对应设置。
9.如权利要求2所述的立式热处理设备，其特征在于，所述第一反射部为设置于所述机箱上的反光涂层或者反光板，所述第二反射部为设置于所述晶舟顶部的反光涂层或者反光板。
10.如权利要求1至9任意一项所述的立式热处理设备，其特征在于，所述工艺腔室为透明石英材质制成，所述工艺腔室的顶部为弧面，且所述第一遮光部采用喷砂方式形成于所述工艺腔室的顶面上。
技术总结