本申请属于封装技术领域，具体涉及一种多芯片封装方法。
背景技术：
随着电子产品的更新换代，对于多芯片封装器件的功能要求越来越多，多芯片封装器件中的多个芯片之间的信号传输也越来越频繁。目前一般会采用硅桥等方式使多个芯片之间形成电互连结构，以实现信号传输。
现有的形成上述多芯片封装器件的过程主要包括：先从圆片上切割获得单颗芯片，然后再将多颗芯片在基板上重布，接着再将硅桥与对应位置处的多颗芯片实现电连接。上述重布过程对对位精度要求较高，工艺成本较高。
技术实现要素：
本申请提供一种多芯片封装方法，以解决多芯片封装器件制备过程中的对位问题。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种多芯片封装方法，包括：提供第一圆片，所述第一圆片设有若干矩阵排列的主芯片，相邻所述主芯片之间设置有非贯通的划片槽，所述第一圆片包括相背设置的正面和背面，所述主芯片的正面即所述第一圆片的正面，所述主芯片的背面即所述第一圆片的背面，所述主芯片的正面设置有多个第一焊盘；在所述第一圆片的正面设置具有多个开口的间隔件，其中，每个所述开口位置处对应设置有来自于相邻所述主芯片的相邻多个第一焊盘；在每个所述开口位置处设置桥接芯片，所述桥接芯片与所述开口内的多个第一焊盘电连接，以使得相邻所述主芯片通过所述桥接芯片电连接；切割所述第一圆片，以获得多个封装体，其中所述封装体中包含电连接的至少两个所述主芯片和至少一个所述桥接芯片。
其中，所述间隔件为设置有多个导电通孔的半导体基板，所述在所述第一圆片的正面设置具有多个开口的间隔件的步骤，包括：将部分所述导电通孔与其对应位置处的部分所述第一焊盘一一对应且电连接。
其中，所述切割所述第一圆片的步骤之后，还包括：在所述半导体基板背离所述主芯片的位置形成再布线层，所述再布线层与所述导电通孔电连接。
其中，所述半导体基板背离所述主芯片一侧相对所述桥接芯片背离所述主芯片一侧凸出/齐平，所述切割所述第一圆片的步骤之后，还包括：将所述封装体中的所述桥接芯片朝向表面平整的封装基板；使所述导电通孔与所述封装基板电连接。
其中，所述桥接芯片背离所述主芯片一侧凸出于所述半导体基板背离所述主芯片一侧，所述切割所述第一圆片的步骤之后，还包括：将所述封装体中的所述桥接芯片朝向表面具有凹槽的封装基板，且使至少部分所述桥接芯片位于所述凹槽内；使所述导电通孔与所述封装基板电连接。
其中，所述在每个所述开口位置处设置桥接芯片的步骤之后，还包括：在所述桥接芯片与所述第一圆片之间设置底填胶。
其中，所述开口的面积大于所述桥接芯片的面积，所述在所述桥接芯片与所述第一圆片之间设置底填胶的步骤之后，还包括：在所述开口未被所述底填胶和所述桥接芯片填充的区域内形成塑封层。
其中，所述在所述第一圆片的正面设置具有多个开口的间隔件的步骤之前，还包括：在每个所述第一焊盘上形成金属凸点。
其中，所述切割所述第一圆片的步骤，包括：利用可去除的第一胶膜将所述桥接芯片背离所述第一圆片一侧贴附在第一载板上；研磨所述第一圆片的背面，以减薄所述第一圆片的厚度；沿至少部分所述划片槽进行切割。
其中，所述在每个所述开口位置处设置桥接芯片的步骤之前，还包括：提供第二圆片，所述第二圆片上设有若干矩阵排列的桥接芯片；所述桥接芯片的正面即所述第二圆片的正面，所述桥接芯片的背面即所述第二圆片的背面，所述桥接芯片的正面设置有多个第二焊盘；利用可去除的第二胶膜将所述第二圆片的正面贴附在第二载板上；研磨所述第二圆片的背面，以减薄所述第二圆片的厚度；切割所述第二圆片以获得单颗所述桥接芯片。
区别于现有技术情况，本申请的有益效果是：本申请所提供的多芯片封装方法中会在切割第一圆片之前，在第一圆片的正面设置桥接芯片，从而省去现有技术中设置桥接芯片之前的芯片重布过程，进而解决芯片重布过程中所存在的对位问题，降低对位所需的器件成本；此外，使用桥接芯片实现相邻两个主芯片电连接的方式，相比于现有技术中硅桥的方式而言，降低了对位难度，且提高了整个多芯片封装器件的良率；另外，在设置桥接芯片之前会设置具有开口的间隔件，然后再在开口位置设置桥接芯片，该设计方式中的间隔件还可以对桥接芯片起到一定的限位作用，以降低对位难度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1为本申请多芯片封装方法一实施方式的流程示意图；
图2a为图1中步骤s101对应的一实施方式的剖面示意图；
图2b为图1中步骤s102对应的一实施方式的剖面示意图；
图2c为图1中步骤s103对应的一实施方式的剖面示意图；
图2d为图1中步骤s104对应的一实施方式的剖面示意图；
图3为图2a中第一圆片一实施方式的俯视示意图；
图4a为第二圆片一实施方式的剖面示意图；
图4b为图1中步骤s103对应的另一实施方式的结构示意图；
图5为步骤s104对应的一实施方式的剖面示意图；
图6为图1中步骤s104之后多芯片封装器件一实施方式的结构示意图；
图7为图1中步骤s104之后多芯片封装器件另一实施方式的结构示意图；
图8为图1中步骤s104之后多芯片封装器另一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请多芯片封装方法一实施方式的流程示意图，上述多芯片封装方法具体包括：
s101：提供第一圆片10，第一圆片10设有若干矩阵排列的主芯片100，相邻主芯片100之间设置有非贯通的划片槽108(如图3所示)，第一圆片10包括相背设置的正面102和背面104，主芯片100的正面即第一圆片10的正面102，主芯片100的背面即第一圆片10的背面104，主芯片100的正面设置有多个第一焊盘106。
具体地，请参阅图2a和图3，图2a为图1中步骤s101对应的一实施方式的剖面示意图，图3为图2a中第一圆片一实施方式的俯视示意图。第一圆片10上的各个主芯片100的类型可以相同或者不同，具体可根据实际需求进行设定。例如，图3中虚线框中相邻的主芯片a和b可以为一组，后续可以切割保留至同一个封装体中，该组内的主芯片a和b的类型可以不同，即该组内的主芯片a和b可以为异质芯片。此外，对于划分为一组内的相邻主芯片的个数可以为2个、3个、4个等，具体可以根据需求进行设定。
s102：在第一圆片10的正面102设置具有多个开口1050的间隔件105，其中，每个开口1050位置处对应设置有来自于相邻主芯片100的相邻多个第一焊盘106。
具体地，请参阅图2b，图2b为图1中步骤s102对应的一实施方式的剖面示意图。该间隔件105可以为预先设置有多个导电通孔1052(例如，导电硅通孔等)的半导体基板，上述步骤s102的具体包括：将部分导电通孔1052与其对应位置处的部分第一焊盘106一一对应且电连接。在本实施例中，可以利用焊球/焊料等物质将导电通孔1052与对应位置处的第一焊盘106电连接。
此外，在上述步骤s102之前还可以包括在每个第一焊盘106上形成金属凸点，该金属凸点的材质可以为金、铜等；具体形成金属凸点的过程可以为：在第一圆片10的正面102形成第一光阻层，且该第一光阻层对应第一焊盘106的位置设置有第一开口；在第一开口内利用电镀的方式形成金属凸点；去除第一光阻层。进一步，上述步骤s102具体包括：利用焊料/焊球等物质将导电通孔1052与对应位置处的金属凸点电连接，进而实现与对应位置处的第一焊盘106电连接。
当然，在其他实施例中，步骤s102中所引入的间隔件105也可为不含有导电通孔1052的绝缘性基板，当将该间隔件105设置到第一圆片10的正面102之后，需要和其他元器件实现电连接时，可以通过激光等方式在间隔件105形成通孔，然后在通孔内形成导电层，以形成导电通孔。
s103：在每个开口1050位置处设置桥接芯片103，桥接芯片103与开口1050内的多个第一焊盘106电连接，以使得相邻主芯片100通过桥接芯片103电连接。
具体地，请参阅图2c，图2c为图1中步骤s103对应的一实施方式的剖面示意图。桥接芯片103可以包括相背设置的正面(未标示)和背面(未标示)，桥接芯片103的正面可以朝向第一圆片10，且桥接芯片103正面上的第二焊盘1030可以与对应位置处的第一焊盘106通过焊球/焊料等方式实现电连接。
在一个实施例中，在上述步骤s103之前，可以预先提供多颗分裂好的桥接芯片103；在进行上述步骤s103时，可以利用吸附装置分别吸附单颗桥接芯片103至对应位置。而为了降低后续整个封装体的厚度，上述步骤s103之前还包括：a、提供第二圆片20，第二圆片20上设有若干矩阵排列的桥接芯片103，桥接芯片103的正面即第二圆片20的正面200，桥接芯片103的背面即第二圆片20的背面202，桥接芯片103的正面设置有多个第二焊盘1030；具体如图4a所示，图4a为第二圆片一实施方式的剖面示意图。第二圆片20的俯视图与第一圆片10的俯视图类似。b、利用可去除的第二胶膜将第二圆片20的正面200贴附在第二载板上。c、研磨第二圆片20的背面202，以减薄第二圆片20的厚度。d、切割第二圆片20以获得单颗桥接芯片103。
在又一个实施例中，当间隔件105的高度小于桥接芯片103的厚度时，即开口1050的高度小于桥接芯片103的厚度，在上述步骤s103之前，也可预先提供包含多个桥接芯片103的第二圆片20，具体过程如下：a、提供第二圆片20，第二圆片20上设有若干矩阵排列的桥接芯片103；b、利用可去除的第二胶膜(例如，双面胶等)将第二圆片20的正面200贴附在第二载板上，具体请参阅图4a。b、研磨第二圆片20的背面202，以减薄第二圆片20的厚度。较佳地，在本实施例中，在上述步骤a之前还可以包括：切割去除第二圆片20的划片槽204处的部分第二圆片20；上述步骤b具体为：研磨第二圆片20的背面202直至划片槽204露出。通过该设计方式可以使得第二圆片20上的相邻桥接芯片103之间断开；且由于第二胶膜的作用，虽然相邻桥接芯片103之间断开，但是相邻桥接芯片103之间的位置关系固定。c、利用可去除的第三胶膜将第二圆片20的背面202贴附在第三载板上。d、去除设置在第二圆片20正面200的第二胶膜和第二载板。相应的，请参阅图4b，图4b为图1中步骤s103对应的另一实施方式的结构示意图。在上述步骤s103中，间隔件105背离第一圆片10的一侧低于桥接芯片103背离第一圆片10的一侧，或者，间隔件105背离第一圆片10的一侧与桥接芯片103背离第一圆片10的一侧齐平。在上述设计方式中，多颗单独的桥接芯片103的背面利用可去除的第三胶膜(图未示)固定设置于第三载板40上，通过一次定位过程即可实现多个桥接芯片103定位，以进一步降低定位过程的复杂程度。
此外，为了固定桥接芯片103的位置，且对桥接芯片103与主芯片100之间的电连接结构进行保护，在上述步骤s103之后还可以包括：在桥接芯片103与第一圆片10之间设置底填胶，该底填胶还可进一步填充位于桥接芯片103下方的划片槽108。进一步，当开口1050在第一圆片10上的正投影面积大于桥接芯片103在第一圆片10上的正投影面积时，在桥接芯片103与第一圆片10之间设置底填胶的步骤之后，还可以包括：在开口1050未被底填胶和桥接芯片103填充的区域内形成塑封层。
s104：切割第一圆片10，以获得多个封装体30，其中封装体30中包含电连接的至少两个主芯片100和至少一个桥接芯片103。
具体地，切割后所获得的封装体30中可以包含两个主芯片100和一个桥接芯片103，封装体30中也可以包含四个主芯片100和四个桥接芯片103，具体封装体30中主芯片100的个数以及排布方式可以根据实际需求进行设定；且从同一个第一圆片10上切割获得的封装体30的类型可以相同或者不同。
当步骤s103中的结构如图2c中所示时，请一并参阅图2c和图2d，图2d为图1中步骤s104对应的一实施方式的剖面示意图。在本实施例中，可以利用刀具沿图2c中部分划片槽108进行切割，刀具的中心线可以与划片槽108的中心线(如图2c中虚线所示)进行对齐，所获得的封装体30的结构如图2d所示。在本实施例中，可以如图2d中所示，刀具的宽度等于或者略大于划片槽108的宽度，以将划片槽108处的第一圆片10和间隔件105全部切除；在其他实施例中，刀具的宽度也可以小于划片槽108的宽度，此时封装体30中主芯片100的外侧面还可保留有台阶部。
当步骤s103中的结构如图4b中所示时，为了降低切割时的阻力，在上述步骤s104之前还可以包括：去除第三胶膜和第三载板40。
此外，为了降低整个封装体30的厚度，在进行上述步骤s104时还可以减薄第一圆片10的厚度，以使得主芯片100的厚度降低。具体地，上述步骤s104包括：利用可去除的第一胶膜将桥接芯片103背离第一圆片10一侧贴附在第一载板上；研磨第一圆片10的背面，以减薄第一圆片10的厚度；沿至少部分划片槽108进行切割。
在某些情况下，在上述步骤s102之前还可以包括：切割去除第一圆片10的划片槽108处的部分第一圆片10，以加深划片槽108的深度，注意此时划片槽108并未贯通整个第一圆片10。当相邻主芯片100为不同类型的芯片，即异质芯片时，在上述去除划片槽108位置处的部分第一圆片10之后，还可以在加深后的划片槽108内形成绝缘层，绝缘层的深度可以与加深后的划片槽108的深度相同。研磨第一圆片10的背面，以减薄第一圆片10的厚度的步骤可以为：可以研磨第一圆片10的背面104直至划片槽108露出；此时，虽然第一圆片10上的相邻的主芯片100之间断开，由于第一胶膜的作用，主芯片100之间的相对位置关系并未发生变动。且当相邻主芯片100之间的类型不同，即属于异质芯片时，该设计方式可以使得相邻主芯片100之间信号干扰降低。
对应的，请参阅图5，图5为步骤s104对应的一实施方式的剖面示意图。该封装体30a与图2d中封装体30的差异在于，封装体30a中相邻主芯片100之间设置有断开的间隔区域，且该间隔区域内设置有绝缘层101。
另外，请再次参阅图2d，经过上述步骤s101-步骤s104所获得的封装体30可以包括至少两个主芯片100以及至少一个桥接芯片103，封装体30中的每个主芯片100包括第一区域1000和第二区域1002，所有第一区域1000相邻设置，且相邻第一区域1000上的第一焊盘106与桥接芯片103电连接；第二区域1002上的第一焊盘106与间隔件105中的导电通孔1052电连接。而在获得上述封装体30之后，还可将上述封装体30与封装基板等元器件进行电连接。
例如，请参阅图6，图6为图1中步骤s104之后多芯片封装器件一实施方式的结构示意图。在上述步骤s104之后还可以包括：将封装体30(图6中未标示)中的桥接芯片103朝向表面平整的封装基板50，且使间隔件105(即半导体基板)上的导电通孔1052与封装基板50电连接。具体地，封装基板50对应导电通孔1052的位置设置有连接焊盘(图未示)，导电通孔1052可以通过焊料/焊球等与连接焊盘电连接。而为了稳定封装体30与封装基板50的相对位置，桥接芯片103与封装基板50之间可以设置有粘性层。
此外，上述封装基板50还可进一步与其他元器件(例如，电路板等)实现电连接；此时封装基板50内的导电线路可从连接焊盘位置处延伸至封装基板50背离主芯片100一侧。
又例如，请参阅图7，图7为图1中步骤s104之后多芯片封装器件另一实施方式的结构示意图。在上述步骤s104之后还可以包括：在间隔件105(即半导体基板)背离主芯片100的位置形成再布线层51，再布线层51与导电通孔1052电连接。较佳地，在本实施例中，桥接芯片103与间隔件105背离主芯片100一侧齐平。
又例如，请参阅图8，图8为图1中步骤s104之后多芯片封装器另一实施方式的结构示意图。当桥接芯片103背离主芯片100一侧凸出于间隔件105(即半导体基板)背离主芯片100一侧时，上述步骤s104之后还包括：a、将封装体30(图8中未标示)中的桥接芯片103朝向表面具有凹槽(未标示)的封装基板52，且使至少部分桥接芯片103位于凹槽内；其中，桥接芯片103在封装基板50上具有第一投影面积，凹槽500在封装基板50上具有第二投影面积，第一投影面积小于第二投影面积；b、使导电通孔1052与封装基板52电连接；其中，封装基板52对应导电通孔1052的位置设置有连接焊盘(图未示)，导电通孔1052可以通过焊料/焊球等导电体与连接焊盘电连接。而为了稳定封装体30与封装基板52的相对位置，桥接芯片103与凹槽的底部之间可以设置有粘性层。
总而言之，本申请所提供的多芯片封装方法中会在切割第一圆片之前，在第一圆片的正面设置桥接芯片，从而省去现有技术中设置桥接芯片之前的芯片重布过程，进而解决芯片重布过程中所存在的对位问题，降低对位所需的器件成本；此外，使用桥接芯片实现相邻两个主芯片电连接的方式，相比于现有技术中硅桥的方式而言，降低了对位难度，且提高了整个多芯片封装器件的良率。
以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
1.一种多芯片封装方法，其特征在于，包括：
提供第一圆片，所述第一圆片设有若干矩阵排列的主芯片，相邻所述主芯片之间设置有非贯通的划片槽，所述第一圆片包括相背设置的正面和背面，所述主芯片的正面即所述第一圆片的正面，所述主芯片的背面即所述第一圆片的背面，所述主芯片的正面设置有多个第一焊盘；
在所述第一圆片的正面设置具有多个开口的间隔件，其中，每个所述开口位置处对应设置有来自于相邻所述主芯片的相邻多个第一焊盘；
在每个所述开口位置处设置桥接芯片，所述桥接芯片与所述开口内的多个第一焊盘电连接，以使得相邻所述主芯片通过所述桥接芯片电连接；
切割所述第一圆片，以获得多个封装体，其中所述封装体中包含电连接的至少两个所述主芯片和至少一个所述桥接芯片。
2.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述间隔件为设置有多个导电通孔的半导体基板，所述在所述第一圆片的正面设置具有多个开口的间隔件的步骤，包括：
将部分所述导电通孔与其对应位置处的部分所述第一焊盘一一对应且电连接。
3.根据权利要求2所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述切割所述第一圆片的步骤之后，还包括：
在所述半导体基板背离所述主芯片的位置形成再布线层，所述再布线层与所述导电通孔电连接。
4.根据权利要求2所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述半导体基板背离所述主芯片一侧相对所述桥接芯片背离所述主芯片一侧凸出/齐平，所述切割所述第一圆片的步骤之后，还包括：
将所述封装体中的所述桥接芯片朝向表面平整的封装基板；
使所述导电通孔与所述封装基板电连接。
5.根据权利要求2所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述桥接芯片背离所述主芯片一侧凸出于所述半导体基板背离所述主芯片一侧，所述切割所述第一圆片的步骤之后，还包括：
将所述封装体中的所述桥接芯片朝向表面具有凹槽的封装基板，且使至少部分所述桥接芯片位于所述凹槽内；
使所述导电通孔与所述封装基板电连接。
6.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述在每个所述开口位置处设置桥接芯片的步骤之后，还包括：
在所述桥接芯片与所述第一圆片之间设置底填胶。
7.根据权利要求6所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述开口在所述第一圆片上的正投影面积大于所述桥接芯片在所述第一圆片上的正投影面积，所述在所述桥接芯片与所述第一圆片之间设置底填胶的步骤之后，还包括：
在所述开口未被所述底填胶和所述桥接芯片填充的区域内形成塑封层。
8.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一圆片的正面设置具有多个开口的间隔件的步骤之前，还包括：
在每个所述第一焊盘上形成金属凸点。
9.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述切割所述第一圆片的步骤，包括：
利用可去除的第一胶膜将所述桥接芯片背离所述第一圆片一侧贴附在第一载板上；
研磨所述第一圆片的背面，以减薄所述第一圆片的厚度；
沿至少部分所述划片槽进行切割。
10.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述在每个所述开口位置处设置桥接芯片的步骤之前，还包括：
提供第二圆片，所述第二圆片上设有若干矩阵排列的桥接芯片；所述桥接芯片的正面即所述第二圆片的正面，所述桥接芯片的背面即所述第二圆片的背面，所述桥接芯片的正面设置有多个第二焊盘；
利用可去除的第二胶膜将所述第二圆片的正面贴附在第二载板上；
研磨所述第二圆片的背面，以减薄所述第二圆片的厚度；
切割所述第二圆片以获得单颗所述桥接芯片。
技术总结