本发明涉及一种用于封装二极管阵列的陶瓷零件。
背景技术：
二极管阵列陶瓷零件应用于tvs、稳压、整流等二级管分立器件的集成，陶瓷零件需要将多个芯管整合在一起，因此如何在提高集成度是陶瓷零件设计的难点。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是：针对现有陶瓷零件集成度不高的问题，提供了一种高集成度的陶瓷零件。
本发明的技术方案是：
一种用于封装的陶瓷外壳，包括陶瓷3，陶瓷3是一个矩形板，陶瓷3的下表面安装有偶数组电极，每组电极包括一个长电极8和一个短电极2，相邻两组电极中心对称；陶瓷3的上表面的中线位置安装一排上电极6，每个上电极6通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接长电极8，上电极6的两侧布置两排铜钼铜4，每个铜钼铜4通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接短电极2。
所述导体为铜柱或者铜丝。
铜钼铜4呈矩形片状，安装在陶瓷3上表面的凹槽中。
每两个上电极6的两侧各有一片铜钼铜4，相邻两个上电极6的宽度加上两者的间距小于铜钼铜4的宽度。
所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷3厚度。
铜钼铜4、长电极8和短电极2表面镀金，上电极6表面镀镍。
陶瓷3上表面的四周安装边框1。
导体的直径小于陶瓷3上通孔的直径，长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4的数量均为6个。
长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4分别将其所覆盖的通孔端面密封。
每个铜钼铜4通过两个导体连接短电极2。
本发明的有益效果：
本发明采用对称设计，可以在较小的零件尺寸内实现了多个芯片的集成，压丝区设计在中间陶瓷隔离区，中间陶瓷隔离区具备横向电隔离和纵向导电通路的双重作用，提高零件集成度，热层设计为铜钼铜结构，满足热容和热匹配的双重要求，同时尽量放大铜钼铜的表面积，对陶瓷表面积的利用率很高。
每两个长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4作为一个单元模块，当需要封装的芯片数量增加时，直接增加单元模块即可，减少后期改进的设计难度。
目前国内外普遍采用的钨浆料过孔工艺承受大电流冲击时易被烧毁，在本设计中采用了铜柱过孔设计替代钨浆料过孔设计，极大的提升了零件过孔的过电能力，提高了零件可靠性。
在零件不同位置上实现了不同镀层保护，即管芯焊接区与外表面采用镀金设计，压丝端采用镀镍设计，解决了陶瓷零件普遍存在的焊接与压焊对镀层要求的矛盾问题。引脚采用长短接错穿插设计，既作为焊接用引脚又起到通孔密封作用。
附图说明：
图1为实施例1陶瓷下表面的结构示意图。
图2为实施例1陶瓷上表面的结构示意图。
图3为图2的剖视图。
图4为实施例2陶瓷下表面的结构示意图。
图5为实施例2陶瓷上表面的结构示意图。
图6为图5的剖视图。
具体实施方式
实施例1：如图1-图3，本实施例需要在在17mm*14mm的零件尺寸内实现了6颗1500wtvs芯片的集成。
陶瓷3是一个矩形板结构，陶瓷3的下表面安装有偶数组（6组）电极，每组电极包括一个长电极8和一个短电极2，相邻两组电极中心对称；6组电极构成了两排电极，每排电极由长电极8和短电极2交错排布而成，第一排的短电极2对应第二排的长电极8。
陶瓷3的上表面的中线位置安装一排上电极6，上电极6下方的陶瓷3中开有通孔，每个上电极6通过长导体51穿过陶瓷3上的通孔连接长电极8，在陶瓷3的上表面挖设6个矩形的凹槽，6个凹槽均布在上电极6的两侧，凹槽中安装矩形片状的铜钼铜4，每个铜钼铜4通过两个短导体52穿过通孔连接短电极2。导体的直径小于陶瓷3上通孔的直径，长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4分别将其所覆盖的通孔端面密封。陶瓷3上表面的四周安装边框1。
所述导体为铜柱。每两个上电极6的两侧各有一片铜钼铜4，相邻两个上电极6的宽度加上两者的间距小于铜钼铜4的宽度。
所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷3厚度。
铜钼铜4、长电极8和短电极2表面镀金，上电极6表面镀镍。
实施例2：
本实施例需要在在14.8mm*8.8mm的零件尺寸内实现了8颗600wtvs芯片的集成。
陶瓷3是一个矩形板结构，陶瓷3的下表面安装有8组电极，每组电极包括一个长电极8和一个短电极2，相邻两组电极中心对称；6组电极构成了两排电极，每排电极由长电极8和短电极2交错排布而成，第一排的短电极2对应第二排的长电极8。
陶瓷3的上表面的中线位置安装一排上电极6，上电极6下方的陶瓷3中开有通孔，每个上电极6通过长导体51穿过陶瓷3上的通孔连接长电极8，在陶瓷3的上表面挖设8个矩形的凹槽，8个凹槽均布在上电极6的两侧，凹槽中安装矩形片状的铜钼铜4，每个铜钼铜4通过两个短导体52穿过通孔连接短电极2。所述导体为铜丝，长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4分别将其所覆盖的通孔端面密封。陶瓷3上表面的四周安装边框1。
每两个上电极6的两侧各有一片铜钼铜4，相邻两个上电极6的宽度加上两者的间距小于铜钼铜4的宽度。所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷3厚度。
铜钼铜4、长电极8和短电极2表面镀金，上电极6表面镀镍。
1.一种用于封装的陶瓷外壳，包括陶瓷（3），其特征在于：陶瓷（3）是一个矩形板，陶瓷（3）的下表面安装有偶数组电极，每组电极包括一个长电极（8）和一个短电极（2），相邻两组电极中心对称；陶瓷（3）的上表面的中线位置安装一排上电极（6），每个上电极（6）通过导体穿过陶瓷（3）上的通孔连接长电极（8），上电极（6）的两侧布置两排铜钼铜（4），每个铜钼铜（4）通过导体穿过陶瓷（3）上的通孔连接短电极（2）。
2.根据权利要求1所述用于封装的陶瓷外壳，其特征在于：所述导体为铜柱或者铜丝。
3.根据权利要求2所述用于封装的陶瓷外壳，其特征在于：铜钼铜（4）呈矩形片状，安装在陶瓷（3）上表面的凹槽中。
4.根据权利要求2所述用于封装的陶瓷外壳，其特征在于：每两个上电极（6）的两侧各有一片铜钼铜（4），相邻两个上电极（6）的宽度加上两者的间距小于铜钼铜（4）的宽度。
5.根据权利要求3所述用于封装的陶瓷外壳，其特征在于：所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷（3）厚度。
6.根据权利要求1-5任一项所述用于封装的陶瓷外壳，其特征在于：铜钼铜（4）、长电极（8）和短电极（2）表面镀金，上电极（6）表面镀镍。
7.根据权利要求6所述用于封装的陶瓷外壳，其特征在于：陶瓷（3）上表面的四周安装边框（1）。
8.根据权利要求6所述用于封装的陶瓷外壳，其特征在于：导体的直径小于陶瓷（3）上通孔的直径，长电极（8）、短电极（2）、上电极（6）和铜钼铜（4）的数量均为6个。
9.根据权利要求6所述用于封装的陶瓷外壳，其特征在于：长电极（8）、短电极（2）、上电极（6）和铜钼铜（4）分别将其所覆盖的通孔端面密封。
10.根据权利要求6所述用于封装的陶瓷外壳，其特征在于：每个铜钼铜（4）通过两个导体连接短电极（2）。
技术总结