本发明涉及天线模组封装技术领域，尤其涉及一种毫米波天线模组的封装结构及移动设备。
背景技术：
随着集成电路工艺水平的提升，单片微波集成电路应用越来越广泛，尤其是5g毫米波的普及，手持移动端和基站大规模应用了毫米波的功放、低噪放、移向器和混频器等射频芯片，此外还有电源管理(模拟芯片)，为了电磁波束控制所应用的fpga、单片机等数字芯片。为了各种芯片的稳定工作，相互无干扰，所以提升芯片隔离度是一个涵待解决的问题。
同时，对于移动端5g毫米波模组，业界选择以射频芯片与基板天线的结合成为aip(封装天线)方式来降低射频系统损耗，并且这样集成度更高，性能更优秀。目前流行的毫米波模组的aip结构如图1所示，多层pcb天线通过bga(ballgridarray，球栅阵列封装)焊球3与数字芯片22、模拟芯片23和射频芯片21相连接。但是，由于bga焊球较大，所以造成毫米波模组的剖面较厚。又因为移动端的设备较薄，所以难以直接放入手机等终端里。因此，降低模组厚度也是一个值得解决的问题。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是：提供一种毫米波天线模组的封装结构及移动设备，可降低毫米波模组的剖面厚度，同时可提升芯片之间的隔离度。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种毫米波天线模组的封装结构，包括多层电路板和芯片，所述多层电路板包括层叠设置的第一电路板层和第二电路板层，所述芯片设置于所述第一电路板层和第二电路板层之间；所述芯片的数量为两个以上，相邻两个芯片之间设有电磁带隙。
本发明还提出一种移动设备，包括如上所述的毫米波天线模组的封装结构。
本发明的有益效果在于：通过将芯片内埋进多层电路板中，使得芯片无需通过bga焊球设置到电路板上，从而可以省掉bga的厚度，降低模组厚度；通过ebg(电磁带隙)隔离各个芯片，提升了芯片之间的隔离度，保证各芯片可稳定工作。本发明降低了毫米波天线模组的剖面厚度，使得毫米波天线模组可放置在较薄的移动设备(如手机)中，同时提升了芯片之间的隔离度，保证各芯片可稳定工作。
附图说明
图1为现有技术中毫米波模组的封装结构的剖面示意图；
图2为本发明实施例一的一种毫米波天线模组的封装结构的剖面示意图。
标号说明：
1、多层电路板；2、芯片；3、bga焊球；4、电磁带隙；5、天线辐射体；6、馈电线；7、匹配网络；8、电路层；
11、第一电路板层；12、第二电路板层；
21、射频芯片；22、数字芯片；23、模拟芯片。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
请参阅图2，一种毫米波天线模组的封装结构，包括多层电路板和芯片，所述多层电路板包括层叠设置的第一电路板层和第二电路板层，所述芯片设置于所述第一电路板层和第二电路板层之间；所述芯片的数量为两个以上，相邻两个芯片之间设有电磁带隙。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：可降低毫米波模组的剖面厚度，同时可提升芯片之间的隔离度。
进一步地，所述第一电路板层和第二电路板层均包括至少一层的电路板。
进一步地，所述芯片包括射频芯片、数字芯片和模拟芯片，所述射频芯片分别与所述数字芯片和模拟芯片电连接。
由上述描述可知，射频芯片用于为天线提供信号；数字芯片即数字集成电路芯片，用于控制射频芯片的信号的幅值和相位；模拟芯片即电源芯片，用于为射频芯片提供电源。
进一步地，还包括天线辐射体和馈电线，所述天线辐射体设置于所述第一电路板层远离所述第二电路板层的一面上，所述馈电线的一端与所述天线辐射体连接，所述馈电线的另一端通过贯穿所述第一电路板层的通孔与所述射频芯片连接。
由上述描述可知，射频芯片提供射频信号，通过馈电线馈送至天线辐射体。
进一步地，还包括匹配网络，所述匹配网络设置于所述第一电路板层靠近所述第二电路板层的一面上，所述馈电线通过所述匹配网络与所述射频芯片连接。
进一步地，所述第二电路板层远离所述第一电路板层的一面上设有电路层，所述射频芯片、数字芯片和模拟芯片分别与所述电路层电连接。
由上述描述可知，便于芯片与外部电路连接。
本发明还提出一种移动设备，包括如上所述的毫米波天线模组的封装结构。
实施例一
请参照图2，本发明的实施例一为：一种毫米波天线模组的封装结构，适用于5g毫米波通信系统的毫米波模组多芯片的场景。
如图2所示，包括多层电路板1和芯片2，所述多层电路板1包括层叠设置的第一电路板层11和第二电路板层12，所述芯片2设置于所述第一电路板层11和第二电路板层12之间；所述芯片2的数量为两个以上，相邻两个芯片2之间设有电磁带隙4。
其中，多层板就是多层走线层，每两层之间是介质层。多层电路板至少有三层导电层，其中两层在外表面，而剩下的一层被合成在绝缘板内。它们之间的电气连接通常是通过电路板横断面上的镀通孔实现的。
本实施例中即将多层电路板划分为第一电路板层和第二电路板层，所述第一电路板层和第二电路板层均包括至少一层的电路板，即至少一层介质层和走线层。
进一步地，所述芯片2包括射频芯片21、数字芯片22和模拟芯片23，所述射频芯片21分别与所述数字芯片22和模拟芯片23电连接。
其中，射频芯片用于为天线提供信号；射频芯片中包含的移相器和放大器等原件，移相器用于为天线单元间提供相位差以实现波束扫描的能力，放大器用于补偿移相器的损耗。数字芯片即数字集成电路芯片，用于控制射频芯片的信号的幅值和相位，相当于射频芯片中如放大器，低噪放等电路的数字开关。模拟芯片即电源芯片，用于为射频芯片提供电源。
优选地，所述射频芯片21设置在数字芯片22和模拟芯片23的中间，在射频芯片21和数字芯片22之间设置电磁带隙4，在射频芯片21和模拟芯片23之间设置电磁带隙4。
进一步地，还包括天线辐射体5和馈电线6，所述天线辐射体5设置于所述第一电路板层11远离所述第二电路板层12的一面上，所述馈电线6的一端与所述天线辐射体5连接，所述馈电线6的另一端通过贯穿所述第一电路板层11的通孔与所述射频芯片21连接。
进一步地，还包括匹配网络7，所述匹配网络7设置于所述第一电路板层11靠近所述第二电路板层12的一面上，或者也可以设置于所述第一电路板层11中相对靠近第二电路板层12的一走线层上；所述馈电线6的另一端与所述匹配网络7连接，所述匹配网络7与所述射频芯片21连接。
进一步地，所述第二电路板层12远离所述第一电路板层11的一面上设有电路层8，即外围电路，所述射频芯片21、数字芯片22和模拟芯片23分别与所述电路层8电连接。优选地，三个芯片可分别通过第二电路板层上的镀通孔与所述电路层电连接。
本实施例通过将芯片内埋进多层电路板中，使得芯片无需通过bga焊球设置到电路板上，从而可以省掉bga的厚度，降低模组厚度，使得毫米波天线模组可放置在较薄的移动设备中；通过ebg(电磁带隙)隔离各个芯片，提升了芯片之间的隔离度，保证各芯片可稳定工作。
综上所述，本发明提供的一种毫米波天线模组的封装结构及移动设备，降低了毫米波天线模组的剖面厚度，使得毫米波天线模组可放置在较薄的移动设备中，同时提升了芯片之间的隔离度，保证各芯片可稳定工作。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
1.一种毫米波天线模组的封装结构，其特征在于，包括多层电路板和芯片，所述多层电路板包括层叠设置的第一电路板层和第二电路板层，所述芯片设置于所述第一电路板层和第二电路板层之间；所述芯片的数量为两个以上，相邻两个芯片之间设有电磁带隙。
2.根据权利要求1所述的毫米波天线模组的封装结构，其特征在于，所述第一电路板层和第二电路板层均包括至少一层的电路板。
3.根据权利要求1所述的毫米波天线模组的封装结构，其特征在于，所述芯片包括射频芯片、数字芯片和模拟芯片，所述射频芯片分别与所述数字芯片和模拟芯片电连接。
4.根据权利要求3所述的毫米波天线模组的封装结构，其特征在于，还包括天线辐射体和馈电线，所述天线辐射体设置于所述第一电路板层远离所述第二电路板层的一面上，所述馈电线的一端与所述天线辐射体连接，所述馈电线的另一端通过贯穿所述第一电路板层的通孔与所述射频芯片连接。
5.根据权利要求4所述的毫米波天线模组的封装结构，其特征在于，还包括匹配网络，所述匹配网络设置于所述第一电路板层靠近所述第二电路板层的一面上，所述馈电线通过所述匹配网络与所述射频芯片连接。
6.根据权利要求3所述的毫米波天线模组的封装结构，其特征在于，所述第二电路板层远离所述第一电路板层的一面上设有电路层，所述射频芯片、数字芯片和模拟芯片分别与所述电路层电连接。
7.一种移动设备，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的毫米波天线模组的封装结构。
技术总结