本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种发光装置及制作方法。
背景技术：
发光二极管作为新一代的照明工具，在节能环保方面，比起其它照明技术，具有很大的优势，但是从技术、制程方面考虑，还有很大的优化空间。
专利cn107546301a公开了一种发光装置，制程为：s1：将发光元件排列在基体上；s2：在基体和发光元件的上表面覆盖一层荧光胶；s3：在发光元件之间的荧光胶的上表面，覆盖一层光反射层；s4：经过模压封装，在发光元件的上表面覆盖一层圆弧形的光透过层；s5：切割得到单颗发光装置。通过该方法得到的发光装置虽然工艺简单、成本低，但出光的均匀性差、工艺可控性差。
专利cn109273579a公开了一种发光装置，制程为：s1：将整片荧光膜贴在高温膜的上表面；s2：将发光元件均匀贴在荧光膜的上表面；s3：在发光元件的四周覆盖一层弧状的透明胶；s4：沿发光元件之间进行切割，得到单颗带荧光膜的发光元件；s5：将带有荧光膜的发光元件固定在基体上，并在相邻发光元件之间覆盖一层光反射层；s6：沿发光元件之间进行切割，得到单颗发光装置。通过该方法得到的发光装置虽然出光均匀，但工艺难度较大、成本高。
技术实现要素：
为了克服现有技术的上述缺点，本发明的目的在于提供一种发光装置，旨在解决现有存在的制造工艺难度大、出光不均匀的问题。
本发明为达到其目的，所采用的技术方案如下：
一种发光装置，包括发光元件、基体、光转换层、光反射层和光透过层；
所述光反射层铺盖在所述基体的一面上，所述光反射层背离所述基体的一面上开设有一首尾连接的分割槽，所述分割槽内外两侧分别为内区和外区；
所述发光元件嵌装在所述内区中并与所述基体固定连接；
所述光转换层包括第一光转换层和第二光转换层，所述第一光转换层设置在所述分割槽内，所述第二光转换层覆盖在所述内区并背离所述基体的一面；
所述光透过层包括第一光透过层和第二光透过层，所述第一光透过层设在所述分割槽内并覆盖所述第一光转换层背离所述基体的一面，所述第二光透过层设置在所述光反射层背离所述基体的一面上并将所述光反射层、所述第一光透过层、所述第二光转换层覆盖。
进一步的，所述分割槽的形状包括圆形、方形、多边形中的一种，其中多边形为正多边形、非正多边形。
进一步的，所述发光元件包含正装、倒装、垂直芯片中的至少一种。
进一步的，所述分割槽的槽宽尺寸不大于0.5mm。
进一步的，所述第一光透过层的上表面与所述光反射层的上表面处于同一平面。
进一步的，所述光透过层的材质为光折射胶，所述光反射层的材质为光反射胶，所述光转换层的材质为荧光胶。
本发明还公开了一种发光装置的制作方法，包括以下步骤：
s1：以基体的上表面为正面，将所述发光元件按m*n的单元阵列方式固定于所述基体的上表面，每一个所述单元包含至少一个所述发光元件；
s2：在相邻的所述单元之间，铺设一层光反射胶，形成一层光反射层；
s3：在所述光反射层的上表面，以每个所述的单元为中心，用激光制作出相应的首尾相连的分割槽，所述分割槽将相应的所述单元包围；
s4：在所述光反射层的上表面覆盖一层掩模，仅使得所述单元的上表面和被所述分割槽包围区域内的光反射层的上表面裸露，在所述掩模的上表面、裸露的所述单元的上表面及裸露的被所述分割槽包围区域内的光反射层的上表面，覆盖一层光转换层，去掉掩模；
s5：使用模具进行模压封装，在所述光转换层的上表面和所述光反射层的上表面覆盖一层圆弧形的光透过层；
s6：切割得到单颗发光装置。
进一步的，在步骤s1中：所述m大于或等于1，所述n大于或等于1。
进一步的，在步骤s4中：所述掩模设有与所述单元位置对应的孔槽。
进一步的，所述孔槽的形状与所述分割槽的形状一致，所述孔槽的内环尺寸比所述分割槽的内环大，所述孔槽的外环尺寸比所述分割槽的外环小。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提出的发光装置及制作方法，设置的首尾相连的分割槽结构，对光转换层的形状进行了限制，可以保证光转换层的均匀性和形状一致性；同时在制作方法中，避免了采用贴片工艺带来的工艺复杂性，在传统的工艺流程中，通过激光工艺加工形成分割槽结构，可以保证工艺的流畅性，没有增加工艺复杂性；在制作发光装置的过程中，对所述掩模的上表面、裸露的所述单元的上表面及裸露的被所述分割槽包围区域内的光反射层的上表面，覆盖一层光转换层的操作时，多余的光转换层的荧光胶会流入分割槽，保证整个发光装置的发光面的光转换层的均匀性和形状一致性，并在掩膜相对发光元件的位置偏移时，能减小光转换层相对发光元件的位置偏移程度，提高发光装置的出光均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1中发光装置的结构剖视图；
图2是本发明实施例2中发光装置的制作过程s1的结构示意图；
图3是本发明实施例2中发光装置的制作过程s2的结构示意图；
图4是本发明实施例2中发光装置的制作过程s3的结构示意图；
图5是本发明实施例2中发光装置的制作过程s4的结构示意图；
图6是本发明实施例2中发光装置的制作过程s4的结构剖视图。
图7是本发明的制作方法的流程图。
附图标记说明：
1-发光元件，2-基体，3-分割槽，4-光反射层，5-第一光转换层，6-第二光转换层，7-第一光透过层，8-第二光透过层，9-掩模。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
参照图1至图7，本发明实施例提供一种发光装置，
包括发光元件1、基体2、光转换层、光反射层4和光透过层；
所述光反射层4铺盖在所述基体2的一面上，所述光反射层4背离所述基体2的一面上开设有一首尾连接的分割槽3，所述分割槽3内外两侧分别为内区和外区；
所述发光元件1嵌装在所述内区中并与所述基体2固定连接；
所述光转换层包括第一光转换层5和第二光转换层6，所述第一光转换层5设置在所述分割槽3内，所述第二光转换层6覆盖在所述内区并背离所述基体2的一面；
所述光透过层包括第一光透过层7和第二光透过层8，所述第一光透过层7设在所述分割槽3内并覆盖所述第一光转换层5背离所述基体2的一面，所述第二光透过层8设置在所述光反射层4背离所述基体2的一面上并将所述光反射层4、所述第一光透过层7、所述第二光转换层6覆盖。
进一步的，所述分割槽3的形状包括圆形、方形、多边形中的一种，其中多边形为正多边形、非正多边形。
进一步的，所述发光元件1包含正装、倒装、垂直芯片中的至少一种。
进一步的，所述分割槽3的槽宽尺寸不大于0.5mm。
进一步的，所述第一光透过层7的上表面与所述光反射层4的上表面处于同一平面。
进一步的，所述光透过层的材质为光折射胶，所述光反射层4的材质为光反射胶，所述光转换层的材质为荧光胶。
本发明还公开了一种发光装置的制作方法，包括以下步骤：
s1：以基体的上表面为正面，将所述发光元件按m*n的单元阵列方式固定于所述基体的上表面，m、n为自然数，两者可以相等，也可以不相等，如图2中，m＝2,n＝2，也可以是2*3、2*4、6*5等，每一个所述单元包含一个所述发光元件；
s2：在相邻的所述单元之间，铺设一层光反射胶，形成一层光反射层；
s3：在所述光反射层的上表面，以每个所述的单元为中心，用激光制作出相应的首尾相连的分割槽，所述的分割槽将相应的所述单元包围；
s4：在所述光反射层的上表面覆盖一层掩模9，仅使得所述单元的上表面和被所述分割槽包围区域内的光反射层的上表面裸露，在所述掩模的上表面、裸露的所述单元的上表面及裸露的被所述分割槽包围区域内的光反射层的上表面，喷涂荧光胶，形成一层第二光转换层，此时多余的荧光胶会流入分割槽中，形成第一光转换层，去掉掩模；
s5：使用模具进行模压封装，在所述光转换层的上表面和所述光反射层的上表面覆盖一层圆弧形的光透过层；
s6：切割得到单颗发光装置。
进一步的，在步骤s4中：所述掩模设有与所述单元位置对应的孔槽。
进一步的，所述孔槽的形状与所述分割槽的形状一致，所述孔槽的内环尺寸比所述分割槽的内环大，所述孔槽的外环尺寸比所述分割槽的外环小。
综上所述，本申请与现有技术相比，具有如下优点：
1、本发明设置的首尾相连的分割槽结构，对光转换层的形状进行了限制，可以保证光转换层的均匀性和形状一致性。
2、本发明的制作方法中，避免了采用贴片工艺带来的工艺复杂性，在传统的工艺流程中，通过激光工艺加工形成分割槽结构，可以保证工艺的流畅性，没有增加工艺复杂性。
3、在制作发光装置的过程中，对所述掩模的上表面、裸露的所述单元的上表面及裸露的被所述分割槽包围区域内的光反射层的上表面，覆盖一层光转换层的操作时，多余的光转换层的荧光胶会流入分割槽，保证整个发光装置的发光面的光转换层的均匀性和形状一致性。
4、在制作发光装置的过程中，当掩膜相对发光元件的位置偏移时，分割槽结构能减小光转换层相对发光元件的位置偏移程度，提高发光装置的出光均匀性。
需要说明的是，本发明公开的发光装置及制作方法的其它内容可参见现有技术，在此不再赘述。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，故凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
1.一种发光装置，其特征在于，包括发光元件、基体、光转换层、光反射层和光透过层；
所述光反射层铺盖在所述基体的一面上，所述光反射层背离所述基体的一面上开设有一首尾连接的分割槽，所述分割槽内外两侧分别为内区和外区；
所述发光元件嵌装在所述内区中并与所述基体固定连接；
所述光转换层包括第一光转换层和第二光转换层，所述第一光转换层设置在所述分割槽内，所述第二光转换层覆盖在所述内区并背离所述基体的一面；
所述光透过层包括第一光透过层和第二光透过层，所述第一光透过层设在所述分割槽内并覆盖所述第一光转换层背离所述基体的一面，所述第二光透过层设置在所述光反射层背离所述基体的一面上并将所述光反射层、所述第一光透过层、所述第二光转换层覆盖。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述分割槽的形状包括圆形、方形、多边形中的一种，其中多边形为正多边形、非正多边形。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件包含正装、倒装、垂直芯片中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述分割槽的槽宽尺寸不大于0.5mm。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一光透过层的上表面与所述光反射层的上表面处于同一平面。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光透过层的材质为光折射胶，所述光反射层的材质为光反射胶，所述光转换层的材质为荧光胶。
7.一种如权利要求1所述的发光装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1：以基体的上表面为正面，将所述发光元件按m*n的单元阵列方式固定于所述基体的上表面，每一个所述单元包含至少一个所述发光元件；
s2：在相邻的所述单元之间，铺设一层光反射胶，形成一层光反射层；
s3：在所述光反射层的上表面，以每个所述的单元为中心，用激光制作出相应的首尾相连的分割槽，所述分割槽将相应的所述单元包围；
s4：在所述光反射层的上表面覆盖一层掩模，仅使得所述单元的上表面和被所述分割槽包围区域内的光反射层的上表面裸露，在所述掩模的上表面、裸露的所述单元的上表面及裸露的被所述分割槽包围区域内的光反射层的上表面，覆盖一层光转换层，去掉掩模；
s5：使用模具进行模压封装，在所述光转换层的上表面和所述光反射层的上表面覆盖一层圆弧形的光透过层；
s6：切割得到单颗发光装置。
8.根据权利要求7所述的发光装置的制作方法，其特征在于，在步骤s1中：所述m大于或等于1，所述n大于或等于1。
9.根据权利要求7所述的发光装置的制作方法，其特征在于，在步骤s4中：所述掩模设有与所述单元位置对应的孔槽。
10.根据权利要求9所述的发光装置的制作方法，其特征在于，所述孔槽的形状与所述分割槽的形状一致，所述孔槽的内环尺寸比所述分割槽的内环大，所述孔槽的外环尺寸比所述分割槽的外环小。
技术总结