本发明涉及一种发光封装结构及其制造方法及复合基板，特别是涉及一种应用于发光芯片封装用途的发光封装结构及其制造方法及复合基板。
背景技术：
现有采用覆晶方式封装的发光封装结构需要通过焊锡将发光芯片焊接于基板的焊垫上。由于发光二极管朝向细微化方向发展，当芯片的尺寸缩小后，芯片焊垫的焊接面积以及焊垫的间距也随着缩小，因此对于焊接的精密度要求提高，且对于回焊制程中焊锡溢流的控制也更加严格。
尤其是目前miniled或microled的技术领域中，发光二极管的尺寸缩小，且芯片排列密度也提高，因此在芯片大量移转的制程中，更容易因为焊锡量的误差以及焊锡溢流而造成不良情形。
故，如何通过制程方法以及结构设计的改良，来克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于解决现有发光二极管封装不易控制焊锡量，且不易控制焊锡溢流的缺陷。
为了解决上述的技术问题，本发明实施例提供一种发光封装结构，其中包括：一复合基板，具有一基板本体、一防焊层，其中所述基板本体具有一芯片安装面，所述芯片安装面上具有至少一固晶区，每一所述固晶区分别设置第一电极和第二电极；所述防焊层设置于所述芯片安装面，所述防焊层相对于所述芯片安装面的一顶面的高度高于所述第一电极和所述第二电极顶面的高度；及至少一镂空部，至少一所述镂空部形成于所述防焊层对应至少一所述固晶区的位置，至少一所述镂空部具有一环形侧壁及一底平面部，所述环形侧壁环绕所述镂空部的外围，所述底平面部和所述芯片安装面平行，并且所述第一电极和所述第二电极顶面露出于所述底平面部，位于所述镂空部范围内的所述第一电极和所述第二电极的顶面形成芯片焊接面；至少一发光芯片，设置于至少一所述固晶区中，且焊接于所述第一电极和所述第二电极的所述芯片焊接面上。
本发明实施例还提供一种发光封装结构的制造方法，以及提供一种使用前述发光封装结构的复合基板。
本发明的有益效果在于能够控制焊锡溢流，而减少不良情形，且能精确地控制焊锡量。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与图式，然而所提供的图式仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明发光封装结构第一实施例的立体示意图。
图2为本发明发光封装结构第一实施例的剖面示意图。
图3为本发明第一实施例使用的基板本体的俯视意义图。
图4为本发明发光封装结构第二实施例的立体示意图。
图5为本发明发光封装结构第三实施例的立体示意图。
图6为本发明发光封装结构第三实施例使用的基板本体的俯视意义图。
图7为本发明发光封装结构制造方法的流程示意图。
图8为本发明实施第一防焊层设置程序的操作方法示意图。
图9为本发明实施第二防焊层设置程序的操作方法示意图。
图10为本发明使用的复合基板的一具体实施例的立体示意图。
图11为本发明实施焊锡设置程序及固晶程序的操作方法示意图。
图12为本发明实施第一封胶程序的操作方法示意图。
图13为本发明实施第二封胶程序的操作方法示意图。
图14为本发明实施围墙设置程序中的切槽步骤与围绕体成型步骤的操作方法示意图。
图15为本发明实施切割程序的操作方法示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“发光封装结构及其制造方法及复合基板”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
如图1至图2所示，为本发明发光封装结构1的第一实施例，本发明的发光封装结构1其中包括：一复合基板10、多个发光芯片20、封胶体30、及一围绕结构40。
其中复合基板10包括一基板本体11以及一防焊层12。如图2及图3所示，本实施例中，基板本体11的顶面形成一芯片安装面111，芯片安装面111上形成多个固晶区112，每一固晶区112中分别设置一第一电极13和第二电极14，用以设置一发光芯片20。所述第一电极13和第二电极14为具有不同极性的电极，例如：第一电极13和第二电极14可以分别为p型电极和n型电极。基板本体11的底侧面还设置多个焊垫15，多个焊垫15分别通过设置于基板本体11内的导电结构151电性连接多个第一电极13和第二电极14。发光芯片20的底面设置有两电极21，两电极21分别为p型或n型的电极，且能够通过覆晶方式焊接于相对应的第一电极13和第二电极14上。
基板本体11的芯片安装面111上进一步将多个相邻的固晶区112组合成为一发光数组113，如图1及图3所示，本实施例中，发光数组113是由三个相邻的固晶区112组合而成。发光数组113中的三个固晶区112分别设置用以输出不同颜色光线(如：红光、绿光、蓝光三原色)的发光芯片20，并且通过调整不同的发光芯片20出光的比例，从而达到混光或调光的目的。
并且，每一固晶区112分别能够定义出一长轴方向，并且每一固晶区112中的第一电极13和第二电极14分别设置于固晶区112长轴方向的两端。本实施例中，每一发光数组113的三个固晶区112当中，其中两个固晶区112相互并排，且两相互并排的固晶区112的长轴方向相互平行，并且另一固晶区112设置于两并排的固晶区112的长轴方向的一端，且另一固晶区112的长轴方向和两并排的固晶区的长轴方向相互垂直。
并且如图3所示，本实施例中，为简化基板本体11的导电结构151的配置，在每一发光数组113当中，三个相邻固晶区112的第一电极13相互连接于同一个导电金属层，而三个相邻固晶区112的第二电极14则是个自独立且不相连接。通过上述配置方式，每一发光数组113当中的三个第一电极13能够通过一个导电结构151连接到一个焊垫15上，而三个第二电极14则是分别通过三个导电结构151连接到三个焊垫15，因此使得基板本体11的焊垫15以及导电结构151的数量可以降低，且使得每一发光数组113当中的各个发光芯片20能够独立进行调光。
如图2、图9及图10所示，防焊层12设置于芯片安装面111上，防焊层12大致上覆盖芯片安装面111的大部分面积，并且芯片安装面111上的多个第一电极13与第二电极14也被防焊层12所围绕。防焊层12的厚度大于第一电极13和第二电极14的厚度，因此使得防焊层12顶面相对于芯片安装面111的高度高于第一电极13和第二电极14顶面的高度。防焊层12上形成多个镂空部123，多个镂空部123分别和多个固晶区112相对应，每一镂空部123的轮廓形状和固晶区112的轮廓形状相配合，并且每一镂空部123的面积等于或略大于固晶区112的面积。
如图9及图10所示，镂空部123是从防焊层12的顶面由上向下凹陷并且未贯穿到防焊层12的底面，因此使得镂空部123形成了从防焊层12顶面由上向下凹陷的盲孔。每一镂空部123分别具有一环形侧壁1231以及一底平面部1232，其中环形侧壁1231环绕于固晶区112的外围，底平面部1232连接于环形侧壁1231的底缘并且和芯片安装面111平行。镂空部123的底平面部1232相对于芯片安装面111的高度和第一电极13和第二电极14的芯片焊接面的高度相近，因此使得镂空部123的底平面部1232形成和第一电极13和第二电极14的顶面大致上等高度的状态，而使得第一电极13和第二电极14的顶面能够露出于底平面部1232。
如图9及图10所示，在镂空部123范围内，第一电极13和第二电极14裸露出，亦即其顶面未被防焊层12遮蔽，因此形成了可供发光芯片20的p型或n型电极21覆晶焊接的芯片焊接面。在第一电极13和第二电极14的芯片焊接面上设置焊锡层50，并且通过回焊方式使得焊锡层50融化而将发光芯片20的p型或n型的电极21分别以覆晶方式焊接在相对应的第一电极13和第二电极14的芯片焊接面上，藉以将发光芯片20固定在固晶区112中，并且使得发光芯片20的电极21和第一电极13及第二电极14分别形成电性连接。
本发明实施例中，防焊层12的顶面的高度被安排为高于第一电极13和第二电极14的顶面的高度，因此使得每一镂空部123的环形侧壁1231的高度高于芯片焊接面的高度，而使得第一电极13和第二电极14的芯片焊接面上的焊锡层50受到环形侧壁1231的限制，而无法溢流到环形侧壁1231的外侧。并且如图8至图10所示，在镂空部123的范围内，第一电极13和第二电极14之间保持一间距，并且在镂空部123范围内的第一电极13和第二电极14之间的间隙被第一防焊层121所填满，因此使得第一电极13、第二电极14和第一防焊层121的顶面(即底平面部1232)相互齐平。
特别说明，在本发明一较佳实施例中，防焊层12的顶面相对于第一电极13和第二电极14的芯片焊接面的高度介于15μm至30μm之间，而且焊锡层50的顶面相对于防焊层12的顶面的高度介于5μm至25μm之间。
本实施例中，防焊层12是由第一防焊层121以及第二防焊层122所形成，其中，第一防焊层121设置于基板本体11的芯片安装面111上，并且围绕各个第一电极13和第二电极14。第一防焊层121的厚度大致上和第一电极13与第二电极14的厚度接近，因此使得第一电极13和第二电极14的顶面露出于第一防焊层121的顶面。第二防焊层122设置于第二防焊层122相对于芯片安装面111的一侧。并且如图9及图10所示，本实施例中，是通过在第二防焊层122上设置开孔的方式形成镂空部123，因此使得镂空部123的环形侧壁1231形成于第二防焊层122上，并且第一防焊层121的顶面构成了镂空部123的底平面部1232。
特别说明，本实施例虽然揭露防焊层12是由第一防焊层121及第二防焊层122所组成的多层式结构，但本发明实际运用时，防焊层12也能够采用单层式的结构。
如图2所示，芯片安装面111上还设置有所述封胶体30，封胶体30贴合于基板本体11的芯片安装面，并且将多个发光芯片20包覆于封胶体30的内部。本实施例中，封胶体30包括一第一封胶体31和第二封胶体32。其中第一封胶体31设置于芯片安装面111上，并且包围多个发光芯片20。并且第一封胶体31的顶面是和发光芯片20顶面的高度接近，并且发光芯片20顶面暴露于第一封胶体31的顶面。第二封胶体32设置于第一封胶体31和的顶面，并且覆盖于多个发光芯片20的顶面。
更详细地说，本实施例中，第一封胶体31可以采用白色材料制成，并且第二封胶体32为透明材质制成，因此使得第一封胶体31形成了围绕于发光芯片20外围的白墙结构，而能够反射发光芯片20发出的光线，并且第二封胶体32为可透光结构，而使得发光芯片20产生的光线能够穿通过第二封胶体32。第一封胶体31除了可以采用白色材质制成以外，在本发明其他实施例中，第一封胶体31也能够采用不透光的材料制成，例如：黑色材质。
此外，在本发明一的较佳实施例中，第一封胶体31或第二封胶体32中能够添加光反射材质(例如：氧化铝、二氧化钛)，以增进发光芯片20的发光效率或增进混光效果。
本发明的发光封装结构1还具有一设置于基板本体11外围的围绕结构40，围绕结构40设置于基板本体11的顶面，围绕结构40的顶面和封胶体30的顶面齐平，并且环绕于多个发光芯片20以及封胶体30的外侧。围绕结构40能够以不透光材料制成，且围绕结构40能够依照需求，选用黑色或白色材料制成。
如图4所示，为本发明发光封装结构1第二实施例的示意图。本实施例和前述第一实施例基本技术内容相似，因此相同技术特征不再重复说明。本实施例的不同点，在于复合基板10上设置有多个不同的发光数组113，且每一发光数组113分别具有多个固晶区112，每一固晶区112中分别设置一发光芯片20。本实施例中，每一发光数组113中的各个固晶区112以及发光芯片20的排列方式和第一实施例类似，因此不再重复介绍。
如图5至图6所示，为本发明发光封装结构1以及基板本体11的第三具体实施例的示意图，本实施例和前述第一实施例相同技术特征不再重复说明。本实施例相较于第一实施例的主要不同，在于基板本体11上的发光数组113当中每一发光芯片20以及第一电极13和第二电极14的配置方式。本实施例中，基板本体11上同样区分为多个发光数组113，每一发光数组113当中，包括多个相互并排的固晶区112，每一固晶区112的长轴方向相互平行，因此使得每一发光数组113中的多个发光芯片20能排列成为一直线。
并且如图6所示，本实施例中，每一发光数组113当中的多个第一电极13是由一横跨过各个固晶区112的导电金属层所构成，而各个第二电极14则是由各自独立的导电金属层所构成，因此使得同一发光数组113当中的第一电极13彼此相互连接，且各个第二电极14相互独立。其中，设置于发光数组113中的三个固晶区112的发光芯片20可视产品设计需求，依序选择如红光芯片、绿光芯片或是蓝光芯片设置，但不以此为限。
同理，每一固晶区112分别能够定义出一长轴方向，并且每一固晶区112中的第一电极13和第二电极14分别设置于固晶区112长轴方向的两端。本实施例中，每一发光数组113的三个固晶区112当中，其中三个固晶区112相互并排且彼此平行。
本发明实施例还提供一种发光封装结构使用的复合基板10。如图11及图12所示，本发明实施例提供的复合基板10包括有基板本体11以及设置于基板本体11上的防焊层12。本发明复合基板10的结构已于前揭说明中详细介绍，因此不再重复叙述。
如图7所示，为本发明发光封装结构1的制造方法的流程图，本发明的发光封装结构制造方法主要包括：准备程序s1、防焊层设置程序s2、焊锡设置程序s3、固晶程序s4、封胶程序s5、围墙设置程序s5，及一切割程序s7。
本发明的封装结构制造方法中，首先实施所述准备程序s1，准备程序s1为提供一如前述各实施例所示的基板本体11。在此程序中，能够实施一前处理步骤，将基板本体11以及第一电极13和第二电极14的表面洁净后，以利于后续程序进行。特别说明，本发明的发光封装结构1能够由一大面积的封装结构经由切割后再形成个别单独的封装结构，因此本发明准备程序s1中所提供的基板本体11能够为尚未经由切割的大面积基板。
接着实施防焊层设置程序s2，如图8及图9所示，为本发明采用防焊层设置程序s2的第一种实施例的示意图。本实施例中的防焊层12是由第一防焊层121及第二防焊层122所构成，因此本实施例的防焊层设置程序s2能够进一步区分为第一防焊层设置程序和第二防焊层设置程序。
其中，如图8所示，第一防焊层设置程序中首先实施一铺设步骤，将第一防焊层121的材料铺设于芯片安装面111上，并且第一防焊层121铺设的厚度可以接近或略大于第一电极13和第二电极14的厚度，当实施完第一防焊层121的铺设步骤后，接着实施一刷磨步骤，使用一滚筒或其他刷磨装置对第一防焊层121的表面刷磨，以使得第一防焊层121平整，且使得第一防焊层121的顶面和第一电极13和第二电极14的顶面齐平，而使得第一电极13和第二电极14的顶面露出于第一防焊层121的顶面。
特别说明，第一防焊层121的材料能够选用环氧树脂材料制成，并且所述刷磨步骤是在第一防焊层121的材料处于半固化状态下进行。当进行刷磨步骤时，较佳者为采用不织布材质的刷磨滚筒对第一防焊层121的表面进行刷磨步骤，藉以避免滚筒材质伤害第一电极13或第二电极14表面，而造成不良影响。
接着实施第二防焊层设置程序，如图9所示，第二防焊层122设置程序为将第二防焊层122设置于第一防焊层121的顶面上，并且于第二防焊层122上形成所述镂空部123。本发明第二防焊层设置程序s2能够通过光罩显影方式将第二防焊层122以图形化方式设置于第一防焊层121上。更详细地说，本发明第二防焊层设置程序s2当中，能够先行于第一防焊层121和第一电极13与第二电极14的顶面设置光阻材料，接着再以光罩显影方式形成多个和所述镂空部123互补形状的光阻图案，接着再将第二防焊层122的材料设置于第一防焊层121上，然后再将光阻图案移除后，便能够在第二防焊层122上形成多个所述镂空部123。
如图9及图10所示，当完成第二防焊层设置程序s2后，防焊层12的顶面高于第一电极13和第二电极14的顶面，第二防焊层122的顶面相相对于第一电极13和第二电极14的顶面的高度介于15μm至30μm之间，并且每一固晶区112的第一电极13和第二电极14的顶面露出于镂空部123中，而且在镂空部123范围内裸露出的第一电极13和第二电极14的顶面便形成了可供发光芯片20的电极21覆晶接合的芯片焊接面。
如图10所示，当防焊层设置程序s2完成后，在此程序所制备完成的成品即为本发明实施例所提供的复合基板10。
特别说明，本发明的防焊层设置程序的另一变化实施例中，防焊层12是采用单层结构，本实施例的防焊层设置程序s2为将防焊层材料设置于芯片安装面111上。接着实施一镂空部成型步骤，在此步骤是通过蚀刻、或雷射加工、或机械移除方式，在防焊层12上预定设置镂空部123的位置，局部地移除防焊层12的材料，而使得防焊层12上形成多个所述镂空部123。
如图11所示，为实施焊锡设置程序s3以及固晶程序s4的示意图，焊锡设置程序s3为将焊锡材料设置于每一第一电极13和第二电极14的芯片焊接面上。本实施例中，为通过模版将焊锡材料设置于各个第一电极13和第二电极14的芯片焊接面上。所述模版具有对应于第一电极13和第二电极14的芯片焊接面的多个开孔，焊锡材料通过模版上的多个开孔涂附或印刷于所述芯片焊接面。
更详细地说，本发明焊锡设置程序s3当中，使用的模版为一钢板，钢板上设置有对应各个第一电极13和第二电极14芯片焊接面的开孔。在本发较佳实施例中，所述钢板上的开孔的面积介于在每一镂空部123范围内的第一电极13和第二电极14的芯片焊接面面积的80％至120％的范围内，并且所设置的焊锡层50的顶面高度高于防焊层12顶面的高度，且焊锡层50顶面相对于防焊层顶面的高度介于5μm至25μm之间，藉以精确控制焊锡量，使得焊锡层50在后续的回焊步骤中，能够控制焊锡溢流的范围，并且维持足够的焊锡层厚度。
如图11所示，实施固晶程序s4时，为将发光芯片20设置于固晶区112中，并且使得每一发光芯片20底面的电极21分别和相对应第一电极13及第二电极14上的焊锡层50接触后，再通过一回焊步骤使得焊锡层50融化而将发光芯片20的p型或n型的电极21分别焊接在相对应的第一电极13和第二电极14上。
如图12至图13所示，为本发明封胶程序s5的示意图，本实施例中，封胶体30包括第一封胶体31和第二封胶体32，因此封胶程序s5也能够区分为第一封胶程序和第二封胶程序。其中，如图12所示，第一封胶程序为将第一封胶体31设置在防焊层12上，并且使得第一封胶体31的顶面和发光芯片20的顶面齐平，而使得多个发光芯片20的顶面露出于第一封胶体31的顶面。
更详细地说，本实施例中，第一封胶体31能够采用白色的硅胶片体制成，实施第一封胶程序时，为将用以制成第一封胶体31的硅胶片体覆盖于发光芯片20的上方，接着再施压，使得发光芯片20穿过硅胶片体，并使得硅胶片体的底面贴附于防焊层12的顶面，且硅胶片体的顶面和发光芯片20的顶面齐平，接着对第一封胶体31加热，而形成所述第一封胶体31。并且当第一封胶31加热后会具有流动性，因此使得第一封胶31充填于凹陷部123之中，因此使得发光芯片20的底面和底平面部1232之间的空间也填满了第一封胶31。
如图13所示，第二封胶程序是将透光材料设置于第一封胶体31和各个发光芯片20的顶面，以形成所述第二封胶体32。当实施完成第二封胶设置程序后，发光芯片20以及第一封胶体31的顶面完全被第二封胶体32所覆盖，因此使得发光芯片20被第一封胶体31和第二封胶体32包覆，而能够通过封胶体30保护发光芯片20。
如图14所示，为实施围墙设置程序s6的示意图。本实施例中，围墙设置程序s6包括切槽步骤及围绕结构成型步骤。其中切槽步骤为在封胶体30和基板本体11上预定设置围绕结构40的位置，形成和围绕结构40的形状互补的切槽41。更详细地说，本发明的切槽步骤为通过刀具、切割装置或雷射加工等方式，在封胶体30上切割出所述切槽41，并且所述切槽步骤是从封胶体30的顶面由上往下切割，并且局部地切入到基板本体11的顶面，因此使得切槽41的底部延伸到基板本体11的顶面。
围绕体成型步骤为将形成围绕结构40的材料填入到切槽41中，当填入到切槽41中的材料固化后，便形成所述围绕结构40。在此步骤所形成的围绕结构40的顶面和封胶体30的顶面齐平，并且围绕结构40底端嵌入于位于基板本体11顶面的切槽41中。
如图15所示，为本发明实施切割程序s7的示意图。切割程序中，为沿着围绕结构40外围的一切除部份42的材料切断，使得基板本体11和围绕结构40外侧面平整，并且使得原本多个相互连接在一起的封装结构能够被切断为多个独立的单元，而形成如图1所示的发光封装结构1的成品。
[实施例的有益效果]
综上所述，本发明的有益效果，在于能够通过防焊层12上的镂空部123限制焊锡层50的流动范围，使得焊锡层50无法溢流到固晶区112外围的区域，而能够避免短路，并且避免发光芯片20回焊后产生歪斜、偏移或焊锡厚度不足的问题。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的申请专利范围，所以凡是运用本发明说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的申请专利范围内。
1.一种复合基板，其特征在于，包括：
一基板本体，所述基板本体具有一芯片安装面，所述芯片安装面上具有至少一固晶区，每一所述固晶区分别设置第一电极和第二电极；
一防焊层，设置于所述芯片安装面，所述防焊层相对于所述芯片安装面的一顶面的高度高于所述第一电极和所述第二电极顶面的高度；及
至少一镂空部，至少一所述镂空部形成于所述防焊层对应至少一所述固晶区的位置，至少一所述镂空部具有一环形侧壁及一底平面部，所述环形侧壁环绕所述固晶区，所述底平面部和所述芯片安装面平行，并且所述第一电极和所述第二电极顶面露出于所述底平面部，位于所述镂空部范围内的所述第一电极和所述第二电极的顶面形成芯片焊接面。
2.如权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述防焊层顶面相对于所述第一电极和第二电极顶面的高度介于15μm至30μm之间。
3.如权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述防焊层包括一第一防焊层和第二防焊层，其中所述第一防焊层的顶面和所述第一电极和所述第二电极的顶面齐平，所述镂空部形成于所述第二防焊层，且所述底平面部形成于所述第一防焊层的顶面。
4.一种发光封装结构，其特征在于，包括：
一如权利要求1至3其中任一项所述之复合基板；
至少一发光芯片，设置于至少一所述固晶区中，且焊接于所述第一电极和所述第二电极的所述芯片焊接面上。
5.如权利要求4所述的发光封装结构，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的所述芯片焊接面分别设置一焊锡层，所述发光芯片通过所述焊锡层焊接于所述芯片焊接面上，所述焊锡层顶面的高度高于所述防焊层顶面的高度。
6.如权利要求4所述的发光封装结构，其特征在于，还包括一封胶体，所述封胶体设置于所述防焊层上且包围所述发光芯片。
7.如权利要求4所述的发光封装结构，其特征在于，还包括至少一围绕结构，设置于所述基板本体的所述芯片安装面，并且围绕所述固晶区和所述发光芯片的外侧。
8.如权利要求7所述的发光封装结构，其特征在于，所述基板本体的顶面设置有和所述围绕结构底部相对应的切槽，所述围绕结构的底部嵌合于所述切槽内。
9.一种发光封装结构，其特征在于，包括：
一如权利要求1至3其中任一项所述之复合基板；
所述复合基板上具有多个所述固晶区，多个发光芯片设置于多个所述固晶区中，且焊接于每一所述固晶区的所述第一电极和所述第二电极的所述芯片焊接面上；
其中所述基板本体上能够区分为多个发光数组，每一所述发光数组中分别具有多个相邻的所述固晶区，每一所述发光数组中的多个所述固晶区的所述第一电极共同地连接在一起，且多个所述固晶区的所述第二电极相互独立。
10.如权利要求9所述的发光封装结构，其特征在于，每一所述发光数组中包含三个所述固晶区，三个所述固晶区分别能够定义一长轴方向，三个所述固晶区当中，其中两所述固晶区相互并排，且相互并排的两所述固晶区的长轴方向彼此平行，且另一所述固晶区设置于并排的两所述固晶区在长轴方向的一侧边，且位于并排的两所述固晶区在长轴方向的一侧边的所述固晶区的长轴方向和相互并排的两所述固晶区的长轴方向垂直。
11.如权利要求9所述的发光封装结构，其特征在于，每一所述发光数组中的多个所述固晶区相互并排于一直在线。
12.一种发光封装结构制造方法，其特征在于，包括：
实施一准备程序：制备一基板本体，所述基板本体具有一芯片安装面，所述芯片安装面上具有至少一固晶区，每一所述固晶区分别设置第一电极和第二电极；
实施防焊层设置程序：设置一防焊层于所述芯片安装面，所述防焊层顶面的高度高于所述第一电极和所述第二电极的顶面的高度；
至少一镂空部形成于所述防焊层对应至少一所述固晶区的位置，至少一所述镂空部分别具有一环形侧壁及一底平面部，所述环形侧壁环绕所述固晶区，所述底平面部和所述芯片安装面平行，并且所述第一电极和所述第二电极的顶面露出于所述底平面部，在所述镂空部范围内的所述第一电极和所述第二电极的顶面形成芯片焊接面；
实施焊锡设置程序：将焊锡材料设置于在镂空部所述第一电极和所述第二电极的所述芯片焊接面上，而形成位于所述芯片焊接面上的焊锡层，所述焊锡层的高度高于所述第二防焊层顶面的高度；
实施固晶程序：为将至少一发光芯片设置于至少一所述固晶区，且通过固晶步骤使得所述发光芯片的两电极通过所述焊锡层焊接于所述第一电极和所述第二电极；
实施封胶程序：将封胶体设置于所述基板本体的所述芯片安装面，且包覆至少一所述发光芯片。
13.如权利要求12所述的发光封装结构制造方法，其特征在于，所述防焊层设置程序包括第一防焊层设置程序和第二防焊层设置程序，其中第一防焊层设置程序为设置一第一防焊层于所述芯片安装面，所述第一防焊层覆盖所述芯片安装面，且通过刷磨装置刷磨所述第一防焊层的顶面，使得所述第一防焊层和所述第一电极和所述第二电极的顶面齐平，而使得所述第一电极和所述第二电极的顶面露出于所述第一防焊层的顶面；所述第二防焊层设置程序为设置一第二防焊层于所述第一防焊层的顶面，所述第二防焊层上形成至少一所述镂空部。
14.如权利要求12所述的发光封装结构制造方法，其特征在于，所述焊锡设置程序为通过一模版将所述所述焊锡材料设置于所述芯片焊接面上，所述模版具有对应所述第一电极和所述第二电极的所述芯片焊接面的多个开孔，其中所述模版的多个所述开孔的面积介于位在所述镂空部内的所述芯片焊接面面积的80％至120％的范围内，焊锡材料通过多个所述开孔涂附于所述芯片焊接面上，而形成所述焊锡层。
15.如权利要求12所述的发光封装结构制造方法，其特征在于，还包括围墙设置程序，用以将一围绕结构设置于所述基板本体的所述芯片安装面上，并且围绕所述固晶区和所述发光芯片的外侧，所述围墙设置程序包括下列步骤：
实施一切槽步骤：在预定设置所述围绕结构的位置设置从所述封胶的顶面延伸到所述基板本体的切槽，所述切槽的形状和所述围绕结构为互补的形状；
实施一围绕结构成型步骤：将用以形成所述围绕结构的材料填入所述切槽内，以形成所述围绕结构。
技术总结