本发明涉及半导体集成电路，尤其涉及一种低成本的大电阻设计方法。
背景技术：
1、大电阻被广泛应用于芯片中，比如低通滤波器和低功耗设计等场景。电阻通常用无源器件实现，由于片上电阻方块阻值有限，所以大电阻往往意味着较大的面积。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题是：针对已知技术中电阻通常用无源器件实现，由于片上电阻方块阻值有限，大电阻往往意味着较大的面积的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本发明提出一种低成本的大电阻设计方法，该发明基于本征管(native mos)或耗尽管(depletion mos)，用较小的面积实现大电阻。
3、采取的技术方案如下：
4、一种低成本的大电阻设计方法，所述方法为：在n1管的栅极和源极之间串联一个电压源vb，n1管为本征型场效应晶体管或耗尽型场效应晶体管；n1管的漏极和源极分别定义节点b和节点a，节点b和节点a之间形成等效大电阻，该电路的等效大电阻为，其中，u为载流子迁移率，为栅极单位面积电容，w/l为n1管的宽长比，是n1管的栅源电压，为n1管的阈值电压。
5、对本发明技术方案的进一步优选，电压源vb为正温度系数偏置电压源。
6、本发明还提出一种低成本的大电阻设计方法，采取的技术方案如下：
7、一种低成本的大电阻设计方法，所述方法为：串接两个本征管场效应晶体管或耗尽型场效应晶体管，分别为n1管和n2管；n1管和n2管的源极相连，n1管和n2管的栅极，在栅极和源极之间串联一个电压源vb；n1管的漏极和n2管的漏极分别定义为节点a和节点b，节点b和节点a之间形成等效大电阻，该电路的等效大电阻为，其中，u为载流子迁移率，为栅极单位面积电容，w/l为n1管的宽长比，是n1管的栅源电压，为n1管的阈值电压。
8、对本发明技术方案的进一步优选，电压源vb为正温度系数偏置电压源。
9、对本发明技术方案的进一步优选，所述电压源vb由如下偏置电压电路提供：偏置电压电路包括缓冲器、电阻r和电流源ib, 缓冲器的正极接源极，负极接电阻r一端，电阻r另一端接栅极，缓冲器的正极和负极分别定义节点c和节点d，电阻r另一端定义节点e，电流源ib为正温度系数电流；电流源ib流过电阻r产生正温度系数电压ib*r，节点c和d的电压相等，节点e和c直接等效产生正温度系数电压。
10、本发明与现有技术相比具有的有益效果：
11、本发明方法，设计电压源vb，使得接近0，从而实现很大的电阻。
1.一种低成本的大电阻设计方法，其特征在于，所述方法为：在n1管的栅极和源极之间串联一个电压源vb，n1管为本征型场效应晶体管或耗尽型场效应晶体管；n1管的漏极和源极分别定义节点b和节点a，节点b和节点a之间形成等效大电阻，该电路的等效大电阻为，其中，u为载流子迁移率，为栅极单位面积电容，w/l为n1管的宽长比，是n1管的栅源电压，为n1管的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的低成本的大电阻设计方法，其特征在于，电压源vb为正温度系数偏置电压源。
3.根据权利要求2所述的低成本的大电阻设计方法，其特征在于，电压源vb的正极接n1管的源极，电压源vb的负极接n1管的栅极。
4.一种低成本的大电阻设计方法，其特征在于，所述方法为：串接两个本征管场效应晶体管或耗尽型场效应晶体管，分别为n1管和n2管；n1管和n2管的源极相连，n1管和n2管的栅极，在栅极和源极之间串联一个电压源vb；n1管的漏极和n2管的漏极分别定义为节点a和节点b，节点b和节点a之间形成等效大电阻，该电路的等效大电阻为，其中，u为载流子迁移率，为栅极单位面积电容，w/l为n1管的宽长比，是n1管的栅源电压，为n1管的阈值电压。
5.根据权利要求4所述的低成本的大电阻设计方法，其特征在于，电压源vb为正温度系数偏置电压源。
6.根据权利要求4所述的低成本的大电阻设计方法，其特征在于，电压源vb的正极接源极，电压源vb的负极接栅极。
7.根据权利要求4所述的低成本的大电阻设计方法，其特征在于，所述电压源vb由如下偏置电压电路提供：
