本公开涉及半导体，更具体地涉及一种先刻蚀器件有源区的垂直器件制造方法。
背景技术：
1、为应对半导体器件不断小型化的需求，提出了各种器件结构，例如鳍式场效应晶体管(finfet)、多桥沟道场效应晶体管(mbcfet)、鞍型鳍式场效应晶体管(saddle-finfet)等等。但是，它们仍存在一定的限制。
2、竖直型fet是一种在小型化方面具有前景的mosfet。但是，竖直型fet在竖直方向的高度差较大，高度差将远远超过光刻胶的覆盖能力，特别是在堆叠层数增加的情况下。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本公开提供了一种先刻蚀器件有源区的垂直器件制造方法。
2、本公开的第一个方面，提供了一种先刻蚀器件有源区的垂直器件制造方法，包括：在衬底上依次设置第一源/漏限定层、沟道限定层、第二源/漏限定层的叠层；在叠层上设置掩模层；在叠层上设置图案化的光刻胶，图案化的光刻胶显露第一区域；基于图案化的光刻胶，在第一区域中将叠层刻蚀第一深度；以及基于掩模层，在第一区域以及第一区域内侧的第二区域中，进一步将叠层刻蚀第二深度，其中，在第一区域中，叠层被刻穿从而形成隔离沟槽。
3、根据本公开的实施例，通过在刻蚀之前设置掩膜层并设置图案化的光刻胶，避免了光刻胶需要在垂直器件中覆盖的高度过高，从而提升了对竖直器件有源区的刻蚀能力。
1.一种先刻蚀器件有源区的垂直器件制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述图案化的光刻胶形成在所述叠层的上表面上方，从而覆盖所述掩模层中的高度差。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，
6.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述叠层上设置掩模层包括：
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权利要求7所述的方法，还包括：
10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，
