本公开涉及amoled生产领域，具体涉及一种金属掩膜版及其制作方法。
背景技术：
1、金属掩膜版是amoled(有源矩阵有机发光二极管)显示面板在制备过程中的重要治工具，主要用于有机材料蒸镀，或者形成封装层等过程中对膜层材料沉积区域的限制。
2、随着技术、市场需求的不断发展，显示面板的产线世代(通常意味着更大的玻璃基板)也在不断地迭代，伴随大世代线(g8.5代及以上)amoled产线的兴起，对于更大尺寸的金属掩膜版的需求应运而生。
3、然而，受限于现有原材轧制设备尺寸限制，大尺寸金属掩膜版所依赖的大宽幅原材无法有效供应，而增设专用宽幅轧制设备投资额度极高，这无疑限制了amoled产业向更高世代线发展的步伐。
技术实现思路
1、为解决或改善现有存在的技术问题，本发明实施例第一方面提供一种金属掩膜版，这种掩膜版至少能够用于在amoled生产工序中形成封装层，主要包括：
2、框架；
3、多个金属条，包括与框架连接的多个第一方向金属条和/或多个第二方向金属条，金属条横跨框架的镂空部分；
4、多个拼接式金属片，与第一方向金属条和/或第二方向金属条连接，两端与框架连接并覆盖框架的镂空部分；拼接式金属片上阵列设置有多个开口；
5、金属掩膜版整体，或各部件中的一个或多个设置有绝缘镀膜层。
6、上述方案采用拼接式的方式，避开了现有技术方案中需要宽幅大尺寸网面的瓶颈，实现了与整版式网面制作的通用金属掩膜版或者封装层金属掩膜版同等的使用效果，使得大尺寸amoled金属掩膜版的应用成为可能。
7、可选的，包括多个第一方向金属条和多个第二方向金属条，第一方向垂直于第二方向；
8、第一方向金属条和第二方向金属条交叠位置分别设置有第一凹槽和第二凹槽，并通过第一凹槽和第二凹槽彼此嵌合，以减小交叠处的厚度。
9、可选的，在多个金属条中：
10、与拼接式金属片长轴平行的金属条设置有第三凹槽，第三凹槽为台阶型槽，拼接式金属片的两条长边分别嵌入两个相邻金属条的第三凹槽内；
11、与拼接式金属片长轴垂直的金属条设置有第四凹槽，能够嵌入拼接式金属片与金属条交叠的部分；
12、第三凹槽或第四凹槽用于减小金属条和拼接式金属片交叠处的厚度。
13、进一步的，在一个第四凹槽内嵌入多个拼接式金属片。
14、在上述的可选方案中，使用横竖交错的金属条布设于框架的镂空处，张紧后的金属条能够支撑拼接式金属片。
15、借助于金属条上开的第一凹槽和第二凹槽，避免第一方向金属条和第二方向金属条交叠处受到外力影响而相互错动，导致绝缘镀膜层破损。此外，第三凹槽和第四凹槽也能避免拼接式金属片的金属条交叠处受到外力影响而相互错动，导致绝缘镀膜层破损。
16、同时，上述各类型的凹槽，有效减薄了部件交叠处的厚度、减小了交叠处的膜层跨越差，也可以起到保护膜层的作用。并且还能减少金属条等结构对蒸镀材料的遮挡，使得蒸镀膜层更加的均匀。
17、可选的，框架或金属条的材质选自如下牌号的合金：invar36、sus304、sus420，厚度为0.03mm至0.20mm；
18、拼接式金属片的材质选自如下牌号的合金：invar36、sus420。
19、可选的，多个第一方向金属条和第二方向金属条围成的净空区域大于拼接式金属片上对应的开口。
20、可选的，绝缘镀膜层的材质选自：氧化铝、氧化钇、氮化硅或氧化硅。
21、可选的，交叠的金属条彼此间、金属条与拼接式金属片彼此间、金属条与框架彼此间、和/或拼接式金属片与框架彼此间，是在将所述金属条张紧的状态下固定的。
22、为了避免各零件结合处在张网之后发生错动，从而导致镀膜破损，上述可选方案在先将各零件组合张紧之后再行焊接，使其无法产生相互错动。
23、本公开实施例第二方面提供一种如前述第一方面中所描述的金属掩膜版的制作方法，包括：在组装前，单独地在框架、金属条和拼接式金属片的表面形成绝缘镀膜层。
24、本公开实施例第三方面提供另一种如前述第一方面中所描述的金属掩膜版的制作方法，包括：
25、对金属条进行张紧；
26、在张紧的过程中对如下一组或多组部件进行固接：
27、交叠的第一方向金属条和第二方向金属条、交叠的第一方向金属条和拼接式金属片、交叠的第二方向金属条和拼接式金属片；
28、在固接后，对各部件进行整体镀膜，以形成绝缘镀膜层。
29、综上所述，前述各方面的技术方案及其可选方案中，化解了宽幅大尺寸原材对amoled工艺向更高世代线发展的制约，同时能够实现与整版式网面制作的例如通用金属掩膜版、封装层金属掩模板相同的技术效果。
1.一种金属掩膜版，其特征在于，至少用于在amoled生产工序中形成封装层，包括：
2.根据权利要求1所述的金属掩膜版，其特征在于，包括多个第一方向金属条(21)和多个第二方向金属条(22)，所述第一方向垂直于所述第二方向；
3.根据权利要求1所述的金属掩膜版，其特征在于，在所述多个金属条中：
4.根据权利要求3所述的金属掩膜版，其特征在于，在一个所述第四凹槽(212)内嵌入多个所述拼接式金属片(30)。
5.根据权利要求1至3任一项所述的金属掩膜版，其特征在于，所述框架(10)或所述金属条的材质选自如下牌号的合金：invar36、sus304、sus420，厚度为0.03mm至0.20mm；
6.根据权利要求2所述的金属掩膜版，其特征在于，多个第一方向金属条(21)和所述第二方向金属条(22)围成的净空区域大于所述拼接式金属片(30)上对应的开口(31)。
7.根据权利要求1至3任一项所述的金属掩膜版，其特征在于，所述绝缘镀膜层(23)的材质选自：氧化铝、氧化钇、氮化硅或氧化硅。
8.根据权利要求1至3任一项所述的金属掩膜版，其特征在于，
9.一种权利要求1至8任一项所述金属掩膜版的制作方法，其特征在于：在组装前，单独地在所述框架(10)、所述金属条和所述拼接式金属片(30)的表面形成所述绝缘镀膜层(23)。
10.一种权利要求1至8任一项所述金属掩膜版的制作方法，其特征在于：
